四位元新泡沫編碼之快閃式類比數位轉換器
4 - B i t f lash analog-to-digital converter
呂輝宗 徐桂森
建國科技大學電子工程所
htlu@ctu.edu.tw
摘要
我們以TSMC0.35um2P4M製程技術設計一個 兩級式比較器的四位元新泡沫編碼之快閃式類比 數位轉換器。其工作電壓區間為0.5至1.3伏特,取 樣率為1GHz,消耗功率為2.2343 mW。整體電路佈 局面積為(含PAD)1.374×1.384mm 。 電路結構是利用電阻陣列產生了參考電位,再 將其參考電位輸入比較器中與輸入的電位比較,而 所得到溫度計碼(Thermometer Code)的值經由新泡 沫編碼電路,輸出值再送給後置編碼電路(Binary Code)編碼後輸出。 而我們所使用的新泡沫編碼比傳統式編碼少 一半,因此減少MOS使用顆數與面積減少。未來 會把位元數向上提升與採用不同的比較器,使他的 取樣率提高和面積減少達到最佳。 關鍵詞:兩級式比較器,溫度計碼,新泡沫編碼。1. 前言
快 閃 式 類比 數 位轉 換 器 (Flash Analog-to-Digital Converter; Flash ADC)是將類比轉為數位過 程中同時轉換並且完成,而並不需要處理轉換過程 中產生的餘量問題。其重點在於要求快速的轉換時 間及較低的功率消耗,採用CMOS的製程來設計,可 以大幅降低生產成本及提高電路的整合能力,然而 至今仍廣受設計者喜愛。 本研究採用Flash ADC結構[1],電路中包含了電 阻 陣 列 (Resistive Array) 、 比 較 器 (Comparator) 及編碼器(Encode)等;電阻陣列產生電壓位準, 接至比較器與輸入訊號做比較,輸出為數位的溫 度計碼(Thermometer Code),再經新泡沫編碼器 與後置編碼器(Binary Code),最後輸出即為輸入訊 號電壓相對應的數位碼。 此快閃式類比數位轉換器可應用於感測器量 測,光纖接收器、硬碟或光碟讀取頭,以及超寬頻 無線傳輸系統等之前端電路,具有不可取代的地 位。2. 架構說明
四位元快閃式類比數位轉換器之整體架構, 如 圖 1所 示, 其 電路 中 包含 電 阻 陣列 (Resistive Array)、比較器陣列(Comparator Array)及溫度計碼 (Thermometer Code)、編碼器(Encode)等。2.1 電路整體動作
由電阻陣列(Resistive Array)產 生參考電 位 後,輸入至比較器陣列(Comparator Array)與輸入訊 號電位(Vin)做比較,比較器陣列輸出值經由溫度計 碼 ( T h e r m o m e t e r C o d e ) 轉 換 進 行 新泡沫編碼,由新泡沫編碼轉換成二進制碼(Binary Code)[2]並輸出至緩衝級,最後得到數位輸出碼。 而比較器的多寡,取決於位元數,假使有n bit 則就需要2N1 的比較器。以上文為例,此論文設 計於四位元快閃式類比數位轉換器,則需要241, 所以需要十五顆比較器的電路。圖 1 快閃式類比數位轉換器的整體架構內部電路
3. 設計流程
首先定出電路規格表,並決定電路的架構及 元件進行模擬。當是否達到預先設計規格,如否, 則回到第一層進行規劃電路。如是,則進行電路佈 局、DRC、LVS 驗證,再以 PEX 萃取寄生效應, 進行模擬,當是否達到預期規格,如否,則返回, 如是,則進行下線晶片及量測與改進,此設計流程 如圖 2 所示。 圖 2. 快閃式類比數位轉換器設計流程4. 電路內部結構
4.1 比較器的動作原理:
比較器的主要功能是偵測輸入信號之間的差 異而做出正確的判斷。當輸入信號之間的差距很小 而且處在雜訊干擾嚴重的環境時,很可能常常會做 出誤判。因此需要遲滯的功能來保持輸出的穩定性 及正確性。 其原理是用圖 3 兩級式比較器電路來說明,電 路分成兩部分。第一部分是差動輸入電路,第二部 分是 current-sink 反向比較器電路所組成的。是除 了可以提高電路的增益,更可達到輸出端電壓更接 近提供電壓之優點。Va、Vb 是輸入比較電壓,Vbias 是自定電壓端[3]。 圖3 二級式比較器電路 圖4 二級式比較器之等效電路 表一為本論文新泡沫編碼與文獻[1]傳統式 編碼所使用MOS的顆數比較表。 表 1 本論文編碼與文獻[1]編碼之比較表 規格項目 本論文 [1] 謝傑宇 編碼總顆數 15 32 本論文提出四位元新泡沫編碼類比/數位轉換 器與其他文獻做比較。本研究將文獻[1]原本工作 電壓區間為1至2.2伏特的類比數位轉換器,降低至 0.5至1.3伏特,使消耗功率降低為2.2343mW,比較 結果如表二所示。表 1 本論文與文獻[1]之比較表
5. 電路晶片圖
圖5為4-Bits Flash ADC 加上I/O PAD之完整晶 片圖。總面績為1.374mm×1.384mm。
圖5 4-Bits Flash ADC晶片圖