[PDF] Top 20 利用邊緣移動方法研究純錫薄膜之電遷移
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利用邊緣移動方法研究純錫薄膜之電遷移
... 到 1.5 × 10 5 A/cm 2 的電流密度，並觀察電遷移效應。實驗結果發現在 室溫以及 50 ℃下在陽極皆有看到針狀與島狀的錫凸塊，但是在 75 ℃ 和 100 ℃下在陽極只有見到島狀錫凸塊的生成，且在四個通電的環境 溫度下，錫原子的漂移速率皆隨著電流密度增加而上升。實驗求得門 ... See full document
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用邊緣移動技術研究共晶銲錫之電遷移
... 摘要 本論文報導利用邊緣移動技術來計算共晶錫鉛受電致遷移之 參數。試片結構使用經圖案化後銅/鈦結構，經由迴流與拋光銲錫形 成 Blech 結構。利用原子力顯微鏡來對通電前後體積變化做計算，可 ... See full document
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無鉛銲錫的電遷移研究
... （1.5 ×10 5 A/cm 2 ）下，較高溫度時陽極所 產生的錫晶鬚成長速率較快，同樣地陰極 部分所產生的孔洞擴大的速率快的多。也 就是說，我們已經對此純錫的電遷移試片 做了加速的測試，模擬了在高電流密度不 同溫度下的結果。錫晶鬚的成長機制至目 前為止很多文獻所做過的推測都是針對由 ... See full document
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覆晶封裝銲錫接點的電遷移與應力遷移行為之研究
... 摘要 覆晶封裝銲錫接點的電遷移是一個重要的可靠度議題，是故了解 覆晶封裝銲錫接點內的電流密度及溫度分佈相當重要。另外，本研究 第一個觀測到銲錫內有應力遷移現象，並導致大裂縫生成。我們利用 實驗觀測，配合有限元素分析法與理論計算模型研究覆晶封裝銲錫接 ... See full document
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覆晶錫銀銲錫接點於定溫不同電流密度下之電遷移失效模式研究
... 24 3-2 凱文結構方式佈局 本實驗之試片迴路設計為使用凱文結構方式佈局，其結構之俯視圖及橫截面示 意圖，如圖 3-2 所示；3D 剖面圖如圖 3-3 所示。本研究中將利用此結構精確地量 測銲錫受電遷移影響之電阻變化。結構中主要涵蓋四顆銲錫凸塊，此四顆銲錫凸 ... See full document
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溫度變化對覆晶錫銀銲錫接點之電遷移破壞模式研究
... 種型態其一為 Pancake-void ; 另一種型態為銅金屬墊層消耗溶解。然 而形成這兩種破壞型態的主因,過去的文獻並沒有明確的定義這個部 份。 在本文研究中，將利用凱文結構作為覆晶銲錫凸塊電性的量測， ... See full document
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銲錫厚度對錫銀銲錫接點中電遷移效應的影響
... 於能夠在初始先確認試片初始結構，並且可以邊量測電阻上升的不同階段 邊觀測微結構變化。因此，在開始通電測試前必須把試片磨至通電所需觀 察的剖面才能進行通電。首先，用不同號數的 SiC 砂紙由 1000、2000、4000 做研磨，然後用 1μm 及 ... See full document
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覆晶封裝銲錫接點在介面反應，電遷移與熱遷移下之顯微結構變化
... 後續的三四章，討論電遷移對於銲錫接點的影響。除了利用Kelvin Four-point Probe監控銲錫接點之電阻在電遷移測試中的變化外，同時 也觀測相對應的微觀結構變化。而為了可以更加準確的預測出銲錫接 ... See full document
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以電子背散射繞射儀(EBSD)來研究錫膜的電遷移行為
... 在此一發展過程中，將對可靠度造成極大威脅的一個重要課題便是錫鬚的生成。 因此，若我們能探討晶格中原子遷移的擴散機制必定將對於工業與學術界帶來重 大的幫助。於本年度研究成果中，我們不僅成功利用微影技術製作出可藉由 EBSD 分析的純錫薄膜試片，且成功地建立 EBSD 的分析技術。而在研究結果中我們發 現 ， 經 過 ... See full document
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以鎳為金屬墊層之覆晶錫銀銲錫接點於不同溫度下之電遷移失效模式研究
... 而到了 1965 年被發現電遷移對於積體電路製程中鋁導線的可靠度會造成威脅， 才又掀起一陣討論的熱潮。1976 年 Blech 的電遷移實驗中[8]，以氮化鈦層上沉 積鋁作為試片，通入電流於氮化鈦層中，並利用鋁有較低電阻的特性，電流會由 氮化鈦層流入鋁導線中。實驗中發現於陰極端會有 ... See full document
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不同金屬墊層在低錫銀銲錫厚度下的電遷移破壞模式分析
... 鍵結能量也較高，因此對於抵抗電遷移的能力是較強的。以往文獻指出， 電流密度集中區域大致在金屬墊層以及銲錫凸塊介面，鍵結強度較低的銲 錫材料因無法抵抗電遷移而產生孔洞，但在厚銅柱墊層結構，電流集中區 ... See full document
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覆晶銲錫接點鎳墊層/錫銀銲錫/SOP製程銅銲墊結構的電遷移破壞模式之研究
... 1-1.1 覆晶封裝技術 (Flip-chip technology) 為了達成縮小晶片體積與提高 I/O 數的目標，目前 IC 業界主流 所使用的打線接合 (wire bonding) 方式 (圖 1-2) ，因為僅可在晶片 周圍連接導線，接點數受限於晶片邊緣接點數目的限制及無法對晶片 中央部分加以利用，且訊號傳遞路徑過長，封裝尺寸也因外接導線而 ... See full document
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銅鎳奈米複合材料電遷移現象之研究
... 實驗室最資深的子元學長，你對於實驗嚴謹的態度令我佩服，謝謝你 坐鎮實驗室成為我們這些學弟研究上諮詢的對象，講到尋求問題的解答當 然不能忘了昌博，雖然你私下的爆料更是精彩…你們兩位是實驗室的支柱， 希望你們能順利的畢業。同屆的欣富和倫豪，雖然你們已經畢業很久了， ... See full document
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錫銀銅銲錫薄膜於電遷移效應下之研究
... 銲過程中銲錫與銅箔無法完全的潤濕(wetting)，且銲錫薄膜在拋光完後在薄膜 邊緣的厚度會較薄，所以我們在利用FIB來製作不同長度的短的銲錫條時不會從 邊緣開始製作，因為在邊緣上層的銲錫厚度太薄而且厚度不平均以至於難以正確 ... See full document
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錫銀銅無鉛銲錫電遷移之研究
... 聖翔感謝你們實驗儀器上的協助。程昶、筱芸、世緯、宏誌、章賓、德聖、淵明、 阿雄、克謹、哲明、佳輝、國仁、柏均、宋孝先還有在 UCLA 的 Albert Wu、Steven Yen、 Jong Wook 、Xi Chang、Peter LEE、 Tim Yeh、 John Wang、Fei、Emily Rajat 豐富了這四年的研究生活讓我充滿了美好的回憶。 ... See full document
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錫鉛覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究
... 錫鉛覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究 Effect of UBM structure on Electromigration and thermomigration behavior in flip chip SnPb solder joints 研 究 生：李侑錚 Student：Yu-Cheng ... See full document
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錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究
... 文 錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究 Effect of UBM structure on Electromigration and thermomigration behavior in flip chip SnAg ... See full document
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覆晶無鉛錫銀銲錫接點之電遷移破壞機制
... iii 誌謝 首先要感謝我的指導老師-陳智教授在這四年來的教導以及生活上的關心與協助， 當我遇到困難時，總能給予適時的幫助與鼓勵，使得問題皆能順利解決。在這段博士班 就學期間從老師身上學到嚴謹的研究態度與對真理的追求的精神。更要感謝杜經寧院士 對於研究方向的啟發與研究方法的指導及建議。讓我對電遷移研究有更深入的瞭解與體 ... See full document
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使用薄膜鈦/鎳(釩)/銅金屬墊層以及銅銲墊的錫銅銲錫接點之電遷移研究
... 這兩年間與實驗室的大家朝夕相處，感謝聖翔學長的關心以及 分享生活的經驗，筱芸學姊不論在研究或是生活上無私的照顧，世緯 學長對於本研究上提供諸多的寶貴意見以及重要的模擬結果，翔耀學 長對於實驗上给於我非常慷慨的協助，阿丸學長不管在任何方面上常 常以不同角度切入給與意見，開朗的宗寬學長為實驗室帶來許多歡 樂，詠湟學長實驗認真而且最近也被大家帶壞了，熱愛運動的建民學 ... See full document
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錫鉛銲錫合金的電子飄移研究
... 隨著消費電子產品的小型化，電子構 裝中用的銲錫即將面臨一個嚴重的可靠性 （reliability）問題：即 Electromigration (EM)，電遷移。本計畫設計適合研究銲錫 EM 的結構: 即研究 EM 的標準的 Blech 結 構，並運用 NDL 和交大半導體中心的製程 ... See full document
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