成長上限敏感度分析

使用所有資料(2004 年以前)進行模擬，其結果如表 3.1 所示。

表 3.1 Loglet Lab 模擬成長上限

技術(總件數) 模擬期間

線傳煞車 系統(316)

線傳轉向 系統(288)

車用室溫熱 像器(167)

有機薄膜電 晶體(176)

奈米碳管場 發射顯示器

(204)

~2000 模擬值 ---- ---- 430 120 70

~2004 模擬值 610 1110 460 ---- 1210

由表 3.1 可知線傳煞車系統與線傳轉向系統在 2000 年以前之累積專利件 數資料變化過於平緩，導致模擬之上限值無法收歛，因此無法準確的模擬出 最佳之成長上限，有機薄膜電晶體 2004 年以前之累積專利件數資料變化不明 確，因此亦無法模擬出最佳之成長上限，其中奈米碳管場發射顯示器在 2000 年以前之資料所模擬出的上限值為 70 件專利，而在 2004 年以前之資料所模 擬出的上限值為 1210 件專利，此兩種模擬期間所模擬出的成長上限值之差異 頗大，係因為此項技術之專利件數在 2001 年以後快速成長所致。另外有機薄 膜電晶體與奈米碳管場發射顯示器在 2000 年以前之累積專利件數過少，以致 於模擬出之成長上限低於實際之總專利件數，因此這兩項成長上限模擬值不 納入本研究敏感度分析之討論範圍。

除上述之成長上限外，本研究另假設 500 到 40,000 不等之成長上限一同 進行成長上限敏感度分析，將模擬成長上限與本研究所假設之成長上限帶入 式(2.1)與式(2.5)之 L，y 則帶入圖 2.9、圖 2.10、圖 2.11、圖 2.12、圖 2.13 各 技術 2000 年以前之累積專利件數，最後以式(2.47)計算 2000 年以前之平均絕 對差(MAD)，用以衡量不同成長上限所產生的誤差，其結果如表 3.2 所示。

由表 3.2 可知，當假設之成長上限值分別為 30,000 件與 40,000 件累積專 利件數時，對於珀爾曲線與甘培茲曲線之 MAD 值所產生的變化不大，表示 假設之成長上限探討到此件數為止屬於合理的推斷，因此本研究對成長上限 之探討僅到 40,000 件累積專利件數為止。在成長曲線模型中假設不同的成長 上限，將會產生不同的預測效果，而成長上限所產生的 MAD 值之走勢，也 會因為各技術發展情況不一而有所不同，如圖 3.1、圖 3.2、圖 3.3、圖 3.4、

圖 3.5 所示。

表 3.2 各種成長上限之 MAD 值

線傳煞車 系統

線傳轉向 系統

車用室溫熱像 器

有機薄膜電晶 體

奈米碳管場發 成長 射顯示器

上限 珀爾 甘培茲 珀爾 甘培茲 珀爾 甘培茲 珀爾 甘培茲 珀爾 甘培茲

430 ---- ---- ---- ---- 1.69* 2.11* ---- ---- ----

----460 ---- ---- ---- ---- 1.71* 2.09* ---- ---- ---- ----500 4.95 6.07 0.83 0.93 1.75 2.07 3.80 1.86 2.41 1.44 610 4.87* 5.99* ---- ---- ---- ---- ---- ---- ---- ----1,000 4.72 5.83 0.83 0.92 2.00 1.90 4.38 2.19 2.48 1.60 1,210 ---- ---- ---- ---- ---- ---- ---- ---- 2.49* 1.63*

1,110 ---- ---- 0.83* 0.92* ---- ---- ---- ---- ---- ----總件數

*10 4.56 5.57 0.83 0.91 2.11 1.79 4.71 2.50 2.50 1.69 5,000 4.54 5.49 0.83 0.90 2.24 1.66 4.90 2.80 2.52 1.83 10,000 4.51 5.40 0.83 0.89 2.27 1.66 4.96 2.99 2.53 1.90 20,000 4.50 5.32 0.83 0.88 2.29 1.65 5.00 3.15 2.53 1.95 30,000 4.50 5.19 0.83 0.88 2.29 1.65 5.01 3.23 2.53 1.98 40,000 4.50 5.25 0.83 0.88 2.29 1.65 5.01 3.28 2.54 2.00

註：*表 Loglet Lab 模擬之成長上限、粗體表最佳與最差之平均絕對差。

圖 3.1 線傳轉向系統之 MAD 值走勢在不同的成長上限假設下，產生的 誤差變化在 4 到 6 之間，而圖 3.2 線傳轉向系統與圖 3.3 車用室溫熱像器之 MAD 值走勢在不同的成長上限假設下，產生的誤差變化極小，表示當專利 件數穩定成長時，不同的成長上限對 MAD 值會產生些微影響，由圖中可發 現假設之成長上限中皆可找到使 MAD 值最小之成長上限，因此適合利用成 長曲線模型進行預測。

圖 3.1 線傳煞車系統成長上限之 MAD 值走勢

圖 3.2 線傳轉向系統成長上限之 MAD 值走勢

圖 3.3 車用室溫熱像器成長上限之 MAD 值走勢

圖 3.4 有機薄膜電晶體之 MAD 值走勢在不同的成長上限假設下，產生 的誤差變化很大，雖然在二十年前就出現相關專利，但此項技術在近十年才 真正受到重視並發展相關專利，可將其視為新興的技術，而圖 3.5 奈米碳管 場發射顯示器之 MAD 值走勢在不同的成長上限假設下，產生的誤差變化 小，表示這些技術之專利件數呈現穩定成長，其相關專利發展不到十年，因 此頗具發展潛力，亦屬於新興技術，由圖中可發現，假設之成長上限中皆可 找到使 MAD 值最小之成長上限，因此能掌握到正確之成長上限，適合以成 長曲線模型進行預測。

圖 3.4 有機薄膜電晶體成長上限之 MAD 值走勢

圖 3.5 奈米碳管場發射顯示器成長上限之 MAD 值走勢

另外，將表 3.2 中最小與最大 MAD 值之成長上限值帶入式(2.1)與式(2.5) 之 L，y 帶入圖 2.9、圖 2.10、圖 2.11、圖 2.12、圖 2.13 各項技術 2000 年以 前之累積專利件數，並預測出 2001 年到 2004 年累積專利件數預測值，以觀 察在最佳與最差的情形下，實際累積專利件數是否落於兩條曲線的包覆中，

如圖 3.6、圖 3.7、圖 3.8、圖 3.9、圖 3.10 所示，其中粗線為 MAD 值最小之 預測值，細線為 MAD 值最大之預測值，實線為珀爾曲線，虛線為甘培茲曲 線。

圖 3.6 線傳煞車系統專利累積件數預測值比較

圖 3.7 線傳轉向系統專利累積件數預測值比較

圖 3.9 有機薄膜電晶體專利累積件數預測值比較

圖 3.10 奈米碳管場發射顯示器專利累積件數預測值比較

由圖 3.6、圖 3.8、圖 3.9、圖 3.10 可知此四項技術 2000 年以前的實際累 積專利件數皆落於預測曲線的包覆中，表示此四項技術之專利資料適用於成 長曲線模型的預測；圖 3.7 線傳轉向系統之預測曲線因包覆範圍過小，導致 實際累積專利件數並未落於預測曲線中，出現嚴重低估的現象，因此本研究 對線傳轉向系統之數據進行修正，由於專利件數在 2000 年以後快速上昇，為 使預測曲線之斜率變陡，以便使累積專利件數落於預測曲線當中，因此先將 1993 年到 1995 年之專利資訊剔除，結果如圖 3.11 所示，發現實際累積專利 件數仍然未落於預測曲線中，因此再將 1993 年到 1996 年之專利資訊剔除，

結果如圖 3.12 所示，實際累積專利件數皆落於預測曲線的包覆中，因此使用 1997 年到 2000 年之專利資訊進行預測將使成長曲線模型更為準確。

圖 3.11 線傳轉向系統專利累積件數預測值比較(剔除 1993~1995 年資料)

圖 3.12 線傳轉向系統專利累積件數預測值比較(剔除 1993~1996 年資料) 由於當成長上限被低估時，曲線爬升過於陡峭，很快就達到中點，而成 長上限被高估時，曲線爬升的非常緩慢，會延遲的估計達到中點的時間【21】， 此外利用歷史資料進行預測後所產生的誤差並不足以代表未來預測結果所產 生的誤差，因此本研究將各項技術的最佳與最差 MAD 值之成長上限皆納入 進行成長曲線技術預測時假設之成長上限，並計算 2001 年到 2004 年之誤差，

以暸解成長曲線模型是否適用於未來趨勢發展之技術預測。