產品及製程技術發展分析

6.2.1 產品發展﹕

目前個案公司的 FLASH Memory 產品除了包括 4Mb、8Mb、16Mb 等低容量 FLASH Memory 之外，也積極開發 32Mb、64Mb 及 128Mb 等大容量 FLASH Memory。因應行 動電話發展趨勢，除了提供 5V,3V 的產品之外，也積極研發 1.8V 低操作電壓的 FLASH 產品，並將 FLASH Memory 和 SRAM 封裝成一顆晶片的多晶片封裝(MCP)技術 應用在行動電話上。

FLASH 產品主要應用於 PC BIOS、微控制器、CD-ROM/DVD-ROM 控制晶片、印表 機及 STB(Set-Top-Box)等，近年來隨著電子科技產品不斷問世，使得具有重複讀 寫、存取快速、低耗能及永久性儲存特性的 FLASH 運用範圍由資訊產品逐漸延伸 至數位相機、MP3、PDA 及行動電話等可攜式電子產品領域，個案公司為因應產業 發展及市場需求，遂調整產品結構朝高附加價值及高集積度之 FLASH 產品開發。

2002 年新產品與新應用平台持續推出，獲得多家遊戲機、印表機、PDA 及數位相 機等大廠採用，加以受 HP 與 Compaq 合併影響，HP 印表機訂單量大增，銷售量值 因而攀升。

就產品策略而言，個案公司長期替 HP 及任天堂和 Pachinko 客戶開發印表機 和遊戲機應用的 FLASH，約佔其 FLASH 營業額的 40-50％。但自 2003 年起，採行 聚焦策略，鎖定中低容量密度(4M~32M)市場，如 DVD、Modem、WLAN 等，並開 發 完 成 量 產 0.18 微 米 低 電 壓 （ 3V） 32Mb 及 64Mb 高 積 極 度 之 業 界 相 容 性 快 閃 記 憶 體 產 品 家 族 系 列 ， 積極搶佔市場佔有率，預計於 2004 年將可佔全世 界 50%的市場。其 FLASH 產品的種類規格如下圖示。

17 FLASH 產品展示圖

(2003.07)

Boot

Page mode MX29PDL128G

x8/x16 Boot MX29LV400T/B MX29LV800T/B MX29LV800AT/B

MX29LV160T/B MX29LV160AT/B

MX29LV320AT/B

MX29LV320T/B MX29LV640T/B

x8/x16 Boot MX29LW160T/B MX29LW320T/B MX29LW640T/B/U MX29LW128T/B/U/D

x16 Boot MX28F160C3 MX28F640C3

x16 Uniform MX29LV640U

3V ^{Uniform MX28F640J3 MX28F128J3}

Page mode

x8 Boot MX29LV004T/B MX29LV008T/B

Uniform MX29LV040 MX29LV081 MX29LV017A MX29LV033 MX29LV065

4M 8M 16M 32M 64M 128M

x16/x32

5V

^{x8/x16 Boot} MX29F100T/B MX29F200T/B MX29F400T/B MX29F800T/B

x8 Boot MX29F001T/B MX29F002(N)T/B MX29F004T/B

Uniform ^{MX29F040 MX29F080 MX29F016}

1M 2M 4M 8M 16M 32M 64M 128M

Burst & SRW

Page mode MX28F128L18T/B

Burst & SRW

Page Mode MX28F320W18T/B MX28F640W18T/B MX28F128W18T/B

1M 2M 4M 8M 16M 32M 64M 128M

1.8V ^x16

圖

資料來源：個案公司產品簡介

6.2.2 製程技術發展

個案公司對 FLASH Memory 產品有長期規劃，在策略上積極擴充 FLASH Memory 產能，使得 FLASH 佔整體營收比重不斷提高，預計於 2004 年，FLASH 產值將達台

1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003

$0

Q'TY(Kpcs) NTD TOTAL(NT$K)

圖 18 FLASH 產品銷售數量及營業額(1995~2003) 資料來源﹕本研究整理 ( 2003/12)

6.4 競爭分析

目前國內 IC 製造廠主要計有台積電、聯電、華邦等多家公司，而國外記憶體 IC 供應商則大多分佈於美國、日本、韓國，這些主要的廠商包括 NEC、Hitachi、

IBM、Micron Technology 及 Intel 等 40 餘家公司。依據 Dataquest 資料顯示，

目前非揮發性記憶體之主要供應商大多分佈於美、日、韓等地區，主要廠商計有 美國的 Intel、Advanced Micro Devices、Atmel、日本的 Fujitsu 及韓國的 Samsung，而在亞洲方面，個案公司僅次於 Sharp、Fujitsu，為亞洲第三大非揮發 性記憶體之供應商，居全球第八大的排名名次。本研究將只著重於該公司 FLASH 產品作競爭分析。

以個案公司與世界一流的 FLASH 廠商 Intel 做比較﹕

表 24 個案公司與領導廠商的競爭力比較

項 目 個案公司 業界領先者 領先(+)或落後(-) 全球排名 13 1（Intel） －

全球佔有率(%) 1.5% 26% －

市場成長性 高 高 ｘ

市場應用面 高 中 +

開 發 速 度 (TTM)

月/每顆新產品

9 個月左右 6 個月 －

產 品 規 格 與 功 能

跟隨者 制定規格 －

生產週期 一般 一般 ｘ

可替代性 一般 低(高階產品) －

成本 中 低 －

生產彈性 中 低 +

2000-2006 MXIC vs. World Leading Flash製程技術

0

2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006

(um)

圖 19 個案公司 2000-2006 年製程技術與業界領先者比較圖 資料來源﹕陳國樺(2003)

由上面圖表可以清楚看出除 FLASH 製程落後世界領先者在 2002 年前約一至兩 個世代（Generation）製程技術，（製程技術一個世代約可節省成本 30-40%）。而 到了 2004~2006 年，個案公司的製程技術將與世界領導者接近。其中，靠策略合 作夥伴的幫助相當大。

就波特的 SWOT 分析如下：

表 25 個案公司 SWOT 競爭分析 Opportunity:

- 全球需求持續增加

- FLASH代工移至亞太地區

Threat:

- 新競爭者加入（DRAM廠商轉投入）

- 新替代性技術產生（MRAM、FRAM）

- 大陸FLASH製造代工興起 - 專 利 權 衍 生 困 擾 不 易 防 範 Strength:

- 國 際 性 策 略 聯 盟

- 持 續 與 多 家 世 界 知 名 廠 商 (Key Account Strategy)建 立 互 利 合 作 關 係

Weakness:

- 設計人才不足

- 非揮發記憶體(NVM)一次買足(one stop shopping)的優勢

- 上下游產業鏈完整

資料來源﹕本研究整理

就上述分析，個案公司的競爭利基，除了具有一般在台灣的半導體的優勢外，

在產品開發及生產方面持續與多家世界知名廠商建立互利合作關係(如日本任天 堂、美國 HP)，充分展現了個案公司之競爭優勢。另外，在國際性的策略聯盟方面，

使得個案公司能朝「技術領先，客戶導向」的經營方式發展。一方面透過聯盟可 取得先進技術，以期趕上國際大廠的腳步﹔另一方面，策略聯盟也可以降低風險，

減低資金不足的壓力。甚至透過策略性製造代工服務，更可以解決市場行銷的問 題。因此，一種妥適的策略聯盟的安排，將可有效的解決台灣具有代表性的 FLASH 廠商大部分的不利因素，甚至可以一併避免台灣 FLASH 半導體廠商所共同面臨的 專利權的威脅。

6.5 策略聯盟分析

6.5.1 策略聯盟的歷程

就本研究分析，個案公司是相當重視運用藉力使力的方式取得資源的公司。

就其總經理的一篇專訪中指出(莊素玉,2000)，該公司成立時，就利用美日貿易逆 差的矛盾，利用美國一家公司的品牌，從美國打進日本市場。另外，就是利用技 術授權給日本的公司，並將獲得的資金做為研發經費。在與日本鋼管 NKK 合作的 前三年，取得將近一千六百萬美元作為研發經費，終於奠定初期研發資金的來源。

這種藉由策略合作、聯盟的方式，有效的把技術創新，製造力和資金結合在一起，

就有機會創造一個新的領域、新的發展。這正是策略聯盟優勢的具體展現。就該 公司重要合作案的沿革，列述如下，可一窺該公司對策略聯盟的運用方式及成效。

表 26 個案公司重要策略合作沿革一覽表

1990年12月 與日本NKK簽約，合作開發 MASK ROM產品並對其技術移轉。

1991年 9月 與日本NKK簽約，合作開發FLASH MEMORY產品並對其技術移轉。

1993年9月 與日本三洋電機公司(SANYO)簽約，授權SANYO生產MASK ROM。

與台灣積體電路公司 ( TSMC ) 簽訂合作生產契約。

1997年3 月

與飛利浦半導體公司簽訂十年合約共同研發、製造及銷售一系列 嵌入式快閃記憶體產品 ( Embedded FLASH )。

10月 與日本松下電子簽訂廣泛的合作備忘錄及 DRAM 製造合約。

2000年 2月 與德國西門子Infineon 合作研發Mask ROM 多媒體儲存卡(全球 第一個單晶片32MByte Mask ROM 多媒體儲存卡)。

7月 與日本三菱電機( Mitsubishi )合作生產行動通訊用記憶晶片 組。

2001年 2月 與以色列TOWER半導體策略聯盟，投資七千五百萬美元。

6月 與ADI(Analog Device Inc.)簽署設計與製造服務協定。

與交通大學合作研發成功IEEE802.11晶片組設計及無線網路雛形 2002年 1月 與以色列Saifun公司合作之Jaffa FLASH正式完成試產。

11月 與日本三菱電機(Mitsubishi)合作簽訂「合作研發，設計暨製造 高集積快閃記憶體」備忘錄。

2003年10月 與日本瑞薩科技(Renesas Technology Corporation) 合作簽訂「合作研發暨製造高密度快閃記憶體」備忘錄。

資料來源﹕個案公司現增公開說明書(2003),本研究整理

個案公司創廠初期，各種資源都相對的缺乏，因此必須借力使力，透過策略 聯盟或技術合作，來達成企業成長的目標。從 1990 年開始與日本鋼管公司 (NKK Corp.) 簽約，合作開發 MASK ROM 產品並對其技術移轉，並於 1991 年對 FLASH、

EPROM 產品做技術移轉，1993 年對 16Mb FLASH Memory 產品做技術移轉，獲得將 近一千六百萬美元技術移轉權利金的收入以支持公司初期的營運資金。此外，由 於 NKK 是一聲譽卓著的日本公司，個案公司便透過它的行銷管道在日本推廣產品，

消除了銷售服務、文化與習慣等調過問題，並進而逐漸打入了最難攻入的日本市 場。同時，1993 年與日本三洋電機公司 (SANY0) 簽約授權產銷 MASK ROM 亦得到 資金及產能的支援。

此外，由於建廠初期，工廠尚未開始營運，尚無法生產自有產品。但是對於 一個半導體新公司而言，自有行銷管道和品牌知名度的建立，尤其重要。更何況 擁有行銷管道和品牌知名度，常常曠日費時，更需要大量的資源投入。所以，個 案公司借其創始業務行銷人員的關係與管道，透過策略夥伴關係，ODM 韓國 Samsung 和日本 AKM 的 MASK ROM，行銷東南亞地區，成功的打下市場。一方面替策略夥伴 較弱的東南亞市場，增加銷售金額﹔另一方面也藉此建立自有的行銷管道和品牌

知名度，並在創始後的第一年(1990)，就有營業收入。這正是一個雙贏的策略聯 盟的具體事例。最後，隨著市場的變化，並待工廠能產出自有產品後，逐漸用自 有產品取代，完成了初期行銷功能的全面佈建。

1993 年，半導體業出現產能短缺的狀況。當時，由於業界資本支出普遍不 足，並沒有現成的產能可儘速擴充。而個案公司的 6 吋廠房已經開始營運，但還 有多餘空間，尚待資金購買設備擴充。1993 年底，個案公司與台灣積體電路公司 (TSMC)簽訂合作生產契約 (FABCO 專案)，由台積出資金買機器設備放置於個案公 司生產，個案公司則提供廠房、技術和人員，生產的晶片一部分歸台積，滿足當 時全面缺貨時台積產能的需求，另一方面個案公司也藉此達成營收目標及製程技 術的磨練。而此批設備，待合約期滿後，由個案公司買回。就台積而言，利用及 時的產能，能夠掌握景氣時高價的超額利潤，並可出售設備換回部分投資﹔就個 案公司而言，產能及營收能大量增加，生產技術、管理制度能大幅提昇，並能以 低價取得製造設備，完成初期生產製造的擴充與佈建。

為充分有效的使用 IC 封裝這必要的資源 ,個案公司於 1994 年投資 IC 封裝公 司鑫成科技股份有限公司 400 萬股，取得 9% 股權，並於 1995 年再投資鑫成科技 340 萬股，連同以前持股共 740 萬股，取得 9.1%股權。此外，也投資另一 IC 封裝 公司華特電子股份有限公司 160 萬股，取得 9.4% 股權。1996 年適逢半導體業一

為充分有效的使用 IC 封裝這必要的資源 ,個案公司於 1994 年投資 IC 封裝公 司鑫成科技股份有限公司 400 萬股，取得 9% 股權，並於 1995 年再投資鑫成科技 340 萬股，連同以前持股共 740 萬股，取得 9.1%股權。此外，也投資另一 IC 封裝 公司華特電子股份有限公司 160 萬股，取得 9.4% 股權。1996 年適逢半導體業一

在文檔中 台灣半導體FLASH產業策略聯盟之研究-以某半導體公司為例 (頁 80-0)