策略聯盟之現況

歷經 2000 年來產業的激烈變動，將近 3 年半導體的衰退期，使得多數廠 商紛紛大幅降低資本支出， FLASH 廠商不僅面臨產能的問題，先進製程技術 更是亟待克服的另一項問題。然而，隨著新興應用的增加，FLASH 產業成長 快速，再加上 FLASH 產業的激烈競爭及高投資、高風險、高報酬的特性，全 球在 2003 年產生了許多以策略聯盟來提昇競爭力的案例。

就國際上而言，2003 年 4 月 Hitachi 與 Mitsubishi 合併半導體部門成立 Renesas，在快閃記憶體技術上結合雙方的技術 DINOR（Mitsubishi/Code FLASH）、AG-AND（Hitachi/Data FLASH），在 FLASH 記憶體市場佔有一席之地。

2003 年 7 月 AMD 和 Fujitsu 合併雙方快閃記憶體部門成立 FASL，創立自有品 牌 Spansion 並結合 Saifun 之 NROM 技術發展 MirrorBit 快閃記憶體，以期在 市場和 Intel 競爭。 在 NAND FLASH 方面，韓廠 Hynix 和 STMicro 合作、

Infineon 得到 Saifun 授權 NROM 技術、Toshiba 和 Sandisk 技術合作並合資 興建 12 吋晶圓廠。目前由於 NAND FLASH 和部份 NOR FLASH 市場持續處於缺 貨狀態，預估缺貨潮將會持續至 2004 年。不僅各大廠紛紛擴大 FLASH 生產線，

也發現透過結合台灣的廠商策略聯盟的方式，可以迅速提昇產能，提高產業 競爭力。

就國內而言，相關的策略聯盟也有許多案例，分別整理如下﹕

5.2.1 力晶

力晶於 2003 年與日商瑞薩(Renesas)半導體策略聯盟，技術轉移 NAND FLASH 的技術，預估 NAND FLASH 將於第二季量產，12 吋廠將會有約 1 萬片的 產能，將生產 1G 高容量 NAND FLASH。雙方的合作是採利潤分享制，如此策 略聯盟夥伴間將可以共享利潤，共同分擔風險。

另外，美國快閃記憶體大廠超捷（SST）也與力晶半導體於 2003 年年底宣 佈，將共同合作開發第三代超快閃（SuperFLASH）記憶體技術，將以 0.11 微 米製程開發自行對準（Self-Aligned）第三代超快閃技術生產，未來將更進 一步微製程至九○奈米至六五奈米。超捷的新一代超快閃技術主要用以生產 NOR 高容量 FLASH 記憶體，同時也適用傳統 NAND 架構的資料儲存應用領域。

第一個開發產品為 2Gb 快閃記憶體，腳位及電氣規格與業界標準的 NAND 晶片 相容，預計 2004 年內完成製程及產品開發，2005 年進入量產。雙方合作的 方式，將根據力晶品牌超快閃資料儲存產品的銷售額，由力晶支付超捷權利 金。

5.2.2 華邦

華邦電子過去 DRAM 代工佔其營收有相當大的比例。但當確定淡出 DRAM 產業，華邦也不斷尋求技術授權伙伴。其即將興建的第一座 12 吋廠，也希望 藉由與其他國際級 DRAM 或快閃記憶體大廠的策略聯盟，共同出資建造 12 吋 廠，未來 5 年內將會陸續投入約新台幣 1,000 億元資金，新設立 12 吋廠將會 大多數用於生產 FLASH 晶片。華邦利用自行研發低容量的 WIN STACK FLASH 技術，現有產品為 4M～16Mb，目前有小量生產 32Mb，且部分產品已採 0.13 微米製程生產。在技轉自夏普（SHARP）的 ACT1 FLASH 方面，預計 2004 年第 二季會推出 128Mb 產品。

5.2.3 旺宏

旺宏分別和瑞薩(Resesas)及以色列半導體廠 Saifun 合作，採 DINOR 和 N-bit FLASH 兩種技術，研發的產品都鎖定在 128Mb 以上。其中，瑞薩的高 容量 128Mb 的 DINOR FLASH，目前已開始量產，未來將利用此技術，推出其 自有產品。

另外就是技轉 Saifun 的 N-bit FLASH 技術(旺宏對外稱為 NROM)，此技術 與 Saifun 授權給 AMD 所生產的 Mirror bit 相同，目前 AMD 的 N-bit

FLASH(Mirror bit)已正式量產，而旺宏的量產時程則在 2004 年中，從高容 量 128Mb 開使量產。

台灣半導體 FLASH 廠商面對於全球激烈的競爭，也積極引進各種策略聯盟 的模式，整理如下表﹕

表 20 台灣 FLASH 廠商的策略夥伴佈局狀況

廠商 產品 容量

技術來

源 量產時間 ACT1 FLASH 128Mb SHARP 2004, Q2 華邦

WIN STACK FLASH 4Mb-16Mb,32M 自行開發 32M 小量產出 DINOR FLASH 128Mb Renesas 已量產 旺宏

N-bit FLASH 128Mb Saifun 2004 年中 AG-AND FLASH 1G Renesas 2004 年中 力晶

第三代 Super FLASH 2G SST 2005 年 資料來源﹕電子時報(2003/12)

其中可概分為兩類﹕代工模式(如力晶和瑞薩)及技轉模式(旺宏和

Saifun)。代工模式正是充分發揮台灣產業的製造競爭優勢，而技轉模式則是 為了改善台灣 FLASH 產業競爭力的最大弱點- 製程技術。台灣 FLASH 產業若 能充分發揮產業的優勢而能有效的扭轉劣勢，必能跟隨全球 FLASH 產業不斷 成長的契機，帶來無窮的商機。