產業概況

4.2.1 全球 FLASH 廠商分析

FLASH 記憶體具有類似特殊應用標準產品(Application Specific Standard Product–ASSP)特性，由於新興 IA 產品如行動電話、STB、DSC、MP3 等皆大量採 用 FLASH，讓全球 FLASH 廠商競相投入生產，在 IC 產業不景氣中仍大量增加產能。

2001 年 FLASH 市場仍以美、日廠商為主（如下表），而排名前 7 大廠商即佔有 8 成以上市場，但 2001 年韓系廠商（三星）表現特出，由第 8 名竄升到 2002 年的 第二名。而台系廠商表現與 2001 年相去不遠，主要供應者為旺宏與華邦。

表 11 全球 FLASH 市場廠商排名 單位：US＄M

2001 2002 2001 2002

Percentag e

2002 Market Rank Rank Revenue Revenue Change Share (%) 1 1 Intel 2,232 2,220 -0.54 26.2 8 2 Samsung 374 1,091 191.71 12.9 5 3 Toshiba 585 855 46.15 10.1

2 4

Advanced Micro

Devices 1,109 724 -34.72 8.6 3 5 Fujitsu 880 689 -21.70 8.1 4 6 STMicroelectronics 682 609 -10.70 7.2 6 7 Sharp 462 425 -8.01 5.0 9 8 SanDisk Corporation 340 407 19.71 4.8 7 9 Mitsubishi 451 368 -18.40 4.3 12 10 Hitachi 218 245 12.39 2.9

11 11

Silicon Storage

Technology 299 242 -19.06 2.9 9 12 Atmel 340 163 -52.06 1.9

13 13

Macronix

International 90 130 44.44 1.5 15 14 NEC 62 73 17.74 0.9 18 15 Winbond Electronics 40 65 62.50 0.8 14 16 Micron Technology 65 38 -41.54 0.4 15 16 SANYO 62 38 -38.71 0.4 19 18 M-Systems 28 32 14.29 0.4 17 18 Hynix 61 32 -47.54 0.4

22 20

Elite Semiconductor

Memory - 10 0.1 All Others 13 11 -15.38 0.1 Americas Companies 4,392 3,802 -13.43 44.9 Japanese Companies 2,726 2,696 -1.10 31.8 European Companies 710 641 -9.72 7.6 Asia Pacific

Companies 565 1,328 135.04 15.7 Total Market 8,393 8,467 0.88 100.0 資料來源：Gartner Group, 2003

4.2.2 FLASH 廠商現況

有鑒於 2000 年起大幅增加的需求，各廠商以新增設備或者移轉 DRAM 產能方 式擴產 FLASH 記憶體，全力在 FLASH 記憶體市場擴充。包括東芝(Toshiba)、富士

通(Fujitsu)、三星(Samsung)、現代(Hyundai)等日、韓著名半導體大廠，紛紛增 加相關生產設備的購置，並加速開發新產品，同時亦將 DRAM 生產線更改為快閃記 憶體生產線，藉以強化快閃記憶體事業，希冀能打破以往由英特爾(Intel)、超微 (AMD)等美國廠商獨佔的局面。由於投入擴產的計畫實施，使得韓國三星 2002 年 快閃記憶體營收竄升至 10 億美元，市場佔有率晉升至全球第二大。日本廠商方面，

東芝、日立(Hitachi)、富士通皆大幅增產 FLASH。其中富士通決定退出電腦用一 般 DRAM 事業，與美商超微 AMD 合資經營快閃記憶體事業，成立合資公司-FASL，

以大幅提高產能。此外，由於行動電話用快閃記憶體的需求持續成長，英特爾 (Intel)、富士通/超微(FASL)、愛特梅爾(Atmel)、意法半導體

(STMicroelectronics)、夏普(Sharp)、瑞薩(Renesas)等 NOR 型快閃元件供應商，

均擴增晶圓生產線並縮小元件來大量增加產能。

根據研究機構 iSuppli 對全球 FLASH 市場最新調查報告指出，全球 2003 年第 三季 FLASH 市場規模達 31 億美元，比第二季成長 27％，且拜 NAND 型 FLASH 市場 需求大幅成長之賜，三星（Samsung）及東芝（Toshiba）分別以 6.2 億美元及 5.6 億美元，擠下英特爾（Intel）成為全球第一及第二大 FLASH 供應商。由此也可看 到 NAND 型 FLASH 市場成長之快。

表 12 2003 年快閃記憶體產業重大事件列表

資料來源﹕拓墣產業研究所整理，2004/01

在國內 FLASH 廠商方面，旺宏電子是台灣第一家致力於 FLASH 產品的研發生 產的廠商。其提供完整的 NOR FLASH 產品線，主要是以非電腦主機板的電腦周邊、

通訊及消費性產品為市場。但由於消費電子產品看好，旺宏亦計劃從以生產程式 儲存快閃記憶體(Code Storage FLASH)轉而切入資料儲存快閃記憶體(Data Storage FLASH)領域，並且亦已取得 NROM 製程技術，希望以其低生產成本優勢，

能夠達到全球市場佔有率 5%以及擠進前五大的目標。

國內 DRAM 廠商包括華邦、茂矽、力晶、世界先進等，在 DRAM 陸續轉進先進 製程的同時，也積極替製程設備較為老舊的產能尋找出路，增加非 DRAM 產品，將 產品多元化亦可分散 DRAM 產品價格大起大落所帶來的營運風險。不約而同地各家 廠商皆挑上 FLASH，並且同樣以與 IDM 大廠策略聯盟的方式，除了獲得技術授權 外，同時也可爭取代工訂單。

華邦目前所生產的 FLASH 係自 Intel 技術授權，主要應用在桌上型電腦(Desk Top)、筆記型電腦(Note Book)等資訊產品中的 BIOS，這類產品稱之為 FWH FLASH

（Firm Ware Hub）。桌上型電腦主要以 2~4M FLASH 為主，筆記型電腦則是以 4~8M FLASH 為主。以全球主機板出貨量預估約 1.5 億片，FWH FLASH 約佔 4 至 5 成市佔 率來計算，全球有將近 5 億顆以上的需求，市場商機龐大。華邦目前係以 2M、４M 產品為主，並在現有的晶圓二廠 6 吋晶圓上以 0.5 微米製程生產，目前正處於穩 定出貨階段。華邦計劃在中科興建的 12 吋廠，將以 NAND FLASH 的資料儲存快閃 記憶體(Data Storage FLASH)為主。

世界先進近年來積極朝記憶體代工轉型，在 FLASH 產品方面，與 SST 技術研 發 0.18 微米製程的 FLASH，產品為應用於手機的 NOR Type FLASH。預計未來將進 一步與 SST 共同研發 0.13 微米製程的 FLASH。

茂矽與美國 Cypress 公司共同研發設計 FLASH，每年約須負擔 3000 萬美元的 研發費用。茂矽計劃以 0.18 微米製程切入 64M FLASH，並與 Cypress 準備合力投 入 0.14 微米製程的 FLASH 技術研發。

力晶的 FLASH 產品部分技術係來自力晶轉投資的力旺科技，以生產 NOR FLASH 為主。此外，力晶也成為瑞薩 Renesas Data FLASH(AG-AND)的代工夥伴。

另一類的 FLASH 廠商，就是無自有晶圓廠的設計公司，如常億科技(PMC), 宜 揚科技(EON), 聯笙電子(AMIC), 力旺電子(e-Memory)等公司。其主要產品是以應 用在顯示卡、桌上型電腦(Desk Top)、筆記型電腦(Note Book)等資訊產品中的 BIOS 為主。產品容量從 512Kb~8M，和華邦、SST 在同一領域中競爭。