過去幾年以來，地電阻法應用在地下水位與含水岩層破碎帶調查方 面，因地下水電阻率與地質材料電阻率差異甚大，時常獲得顯著結果。作 者將地電阻法輔助應用在一般地質調查，有些案例在30 公尺以上的探測，
似乎沒有顯著的效果，進而以數值模擬成果列於下述，以輔助未來實際案 例的電阻率影像判識，避免電探資料之過度解釋其解析能力。主要結論分 數述下，
(1)案例研究
1.寶山二號水庫的案例顯示在地層具有傾斜構造時，若測線為垂直岩 層走向，結果顯示因岩層厚度較薄，電阻率影像剖面位於淺層(約 5 公尺) 結果顯示岩層互層且傾斜特徵，影像剖面於更深者；測線位於平行岩層走 向測線，影像剖面的結果顯示，對於水平層狀地層在淺層變化，電阻率值 沒有明顯改變，直到深度十五公尺，電阻率值由低電阻率值漸漸升至高電 阻率，且電阻率變化為水平界面。其結果似乎受到層面厚度不足，電阻率 對比值低，測線邊界為陡坡因素影響，無法彰顯岩層特徵。
2.恆春東門溪案例，位於溪邊河床以 Wenner-Schlumberger 進行施測欲 獲得阻水層位置，影像剖面結果顯示上部高低電阻率界面與實際地下水位 相近，其地下水位面以下沉質泥土層、礫石層與泥岩的電阻率差異不大，
似乎無法得知阻水層位置，因沒有更深於35 公尺電阻率分佈資料，推測施 測的測深不足為主要因素。
3.交大博愛校區案例中，鑽探孔資料顯示兩孔之間岩盤深度從東南方 往西北方由淺至深，高差約為6 公尺，從電阻率影像剖面得知電阻率分佈 性質與岩盤變化方向相同。藉由鑽探資料得知，砂質礫石層與砂岩顯示為 高電阻率區，但可能因其電阻率差一小，無法準確判識岩盤界面位置。
4.三姓橋案例之電探結果彰顯出地層傾斜構造特性，推測原因為高低 電阻率差值大，探測深度與夾層厚度足夠顯示高電阻率特性，若以Wenner 施測，正好顯示其盲點為側向涵蓋範圍與測深不如Pole-Pole，進而無法得 知傾斜構造，然而其淺層結果提供給Pole-Pole 比對的輔助。
5.當以地電阻率進行資料影像判識時，其色階值的設定會影響肉眼上 的判識，需藉由電阻率值大小或調查目標之電阻率值判識，才能避免判識 上的錯誤。
6.當現地狀況不符合真實二維條件或有特殊邊界條件之干擾，若未能 在反算分析中合理考慮，將使得反算結果效果不佳。
7.由不同案例結果的電阻率影像剖面顯示，電阻率界面側向變化趨勢 似乎常較垂直變化顯著。
(2)空間解析度探討
適度的正算模擬與相對應之反算分析，常有助於了解空間解析特性，
正算模擬之反算結果顯示在電阻率變化界面出現電阻率漸變帶，反算電阻 率值與模型電阻率值會出現差異，本研究空間解析度探討分為五種模型:
1.在單一水平界面靈敏度分析中，當高電阻率層在低電阻率層之上 時，得知最大靈敏度值位於真實層面位置付近，當為相反情形時，最大靈 敏度值遠深於界面位置。若界面位置固定深度時，高低電阻率值差異愈大，
其靈敏度皆愈高。模擬資料之反算結果在層面位置會出現漸變帶，隨深度 下移，漸變帶增寬，在界面附近電阻率之變化率減少；高低電阻率值差異 愈大，漸變帶似乎無明顯改變，在界面附近電阻率之變化率減少，又從反 算模型高低電阻率層結果得知，低電阻率層的反算結果皆逼近模型電阻率 值，高電阻率層在下方則出現差異。
面深度位置愈深，會致使靈敏度降低之外，亦使得反算結果之漸變帶增加，
夾層內電阻率值差異增加，迅速降低垂直解析度；若為厚度增加，致使靈 敏度提高外，亦使得夾層電阻率值差異減少，增加垂直解析能力，因此當 夾層位於淺層，厚度愈大，表示愈能探測其界面位置與夾層厚度。倘若夾 層為低電阻率，反算結果相較於高電阻率夾層，得到不錯的反算低電阻率 夾層區，但低電阻率層下方之高電阻率層之反算結果將受到影響。
3.垂直界面(Vertical fault)反算結果顯示深度愈深側向漸變帶愈寬，其寬 度漸增，代表隨深度增加，側向解析能力降低；其中漸變帶出現在高電阻 率區內，反算結果亦顯示電阻率在高電阻率區有所跳動，在低電阻率區則 接近模型值，此彰顯出低電阻率區反算結果佳。
4.垂直夾層界面探討中，Wenner 的漸變帶寬不因深度愈深而有明顯增 加，Pole-Pole 則與 Wenner 相反，其漸變帶隨著深度增加而有顯著的擴大；
此外，愈深層反算電阻率值與模型電阻率值差異愈大，若夾層厚度增加或 高低電阻率差值增大，將使得反算電阻率值與模型電阻率值差異減小，但 Pole-Pole 在深層不明顯，當高電阻率夾層時，Pole-Pole 的反算電阻率值與 模型電阻率值差異甚大，表示其側向解析能力因測深愈深，迅速降低。
5.均質均向ρ1介質內含有方形介質ρ2情況下，反算結果顯示，若ρ2 為低電阻率介質，其解析能力較高電阻率介質佳；但兩側與下方高電阻率 之結果會造成誤差。隨著ρ2介質深度位置愈深，其垂直解析度與側像解析 度皆降低甚多。
6.綜合五種模型結果，若在相同條件下，Wenner 的靈敏度、界面之漸 變帶誤差、反算模型電阻率值誤差皆優於 Pole-Pole，可知 Wenner 在垂直 解析度或者是側向解析度皆比Pole-Pole 為佳。探測目標愈淺，幾何形狀愈 大，高低電阻率差值大者，具有較佳的空間解析能力，其中若欲探測目標 為低電阻率者，效果更為顯著。由此探討可知，影響二維空間解析度能力 因素簡單歸納如下：
a. 探測目標深度位置：目標愈深，影像愈失真。
b. 探測目標幾何形狀：目標幾何形狀愈大，愈能凸顯目標的電阻率值。
c. 探測目標電阻率值：若為低電阻率介質，反算效果佳。
d. 電阻率差值(反射係數)：從反算結果得知，反射係數絕對值在 0.3~0.8 範圍內，隨著反射係數絕對值增加似乎會得到不錯效果，當高電阻率層 在低電阻率層之上或低電阻率夾層時，反射係數高達-0.9 時，在高電阻 率層易出現反算錯誤結果；若反射係數絕對值為 0.1,0.2 時，反算結果 無法明顯區別其差異。