電機與電子群 專業科目（一） 共3 頁 第 1 頁
九十八學年四技二專第一次聯合模擬考試
電機與電子群 專業科目（一） 詳解
98-1-03-4 98-1-04-4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 C A B D B B C B A B C C A B D A D D A D D A A C D 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 B A C C B D A D B D C A D C A C B D D A B A B C D 第一部份：基本電學 1. 原本電中性的原子得到一個電子後，就會變為帶有 負電的離子，稱為負離子 2. t Q I= ， 1A( ) ms 1 10 25 . 6 10 25 . 6 18 15 向左 電子流 × = × = ) ( A 1 ms 1 10 25 . 6 10 25 . 6 18 15 向右 電洞流 × = × = ∵電流方向與電子流方向相反 ∴I=1+1=2A(向右) 3. Po=4HP×750W=3000W W 000 4 100 40⋅ = = = IV Pi % 75 75 . 0 4000 3000= = = = i o P P η 4. 棕綠紅金=1500±5%=1425Ω~1575Ω 紫綠棕銀=750±10%=675Ω~825Ω Ω = Ω = + =1575 825 2400 2.4k (max) T R 5. 0.005 200 1 20 180 1 20= − + = = α Ω = − + =10[1 0.005(50 20)] 11.5 R 6. H=0.24pt=msΔT ) 20 80 ( 1 6000 1000 24 . 0 ⋅ ⋅t= ⋅ ⋅ − ，t=1500s=25分鐘 7. R P I= ， 1A 10 10 1= = I ， A 2 1 20 10 2= = I 串聯需選較小電流，RT =10+20=30Ω W 15 ) 20 10 ( ) 2 1 ( 2 2 = ⋅ + = = T T I R P 8. 1.5A 16 12 4 8 20 20 100 = + + + − − = I V 32 ) 5 . 1 8 ( 20+ × = = AB V V 82 100 ) 5 . 1 12 ( × + = − = AD V V 50 ) 5 . 1 16 ( 20 ) 5 . 1 4 ( × + + × = = BD V V 44 ) 5 . 1 16 ( 20+ × = = CD V 9. ∵R1=R，R2 =2R，R3=3R R 6 R 3 R 2 R E E I = + + = 1 P：P2： ) R R 6 ( 2 3= E ⋅ P ： ) 2R R 6 ( E 2⋅ ： ) 3R R 6 ( E 2⋅ 1 = ：2：3 10. Rab=(20//20)//(50//50)+(30//30)=10//40=8Ω 11. 理想電流源內阻等於∞，理想電壓源內阻等於0 12. 2.5A ) 30 // 20 ( 12 15 75 = + − = I ， 1.5A 30 20 30 5 . 2 1= × + = I Ω = = 6 5 . 2 15 R ， 1A 30 20 20 5 . 2 2= × + = I 13. 5 A 時，IN1 =−5A；6 V 時， 3A 2 V 6 2 = Ω= N I 3 A 時，IN3 =0A A 2 3 2 1+ + =− = N N N N I I I I ，RN = 2Ω 14. RTH =2.5+(10//5//10)=5Ω ，ETH =2×2.5=5V電機與電子群 專業科目（一） 共3 頁 第 2 頁 15. 4 6 18 12 2=Vx +Vx− +Vx ， x x x V V V 2 36 3 24= + − + 60 6Vx= ，Vx=10V， 2.5A 4 = =Vx I 16. RL=RTH =(6//4)+(2//8)=4Ω V 16 16 32 4 6 4 40 8 2 8 40 = − = + × − + × = TH E W 16 4 4 16 4 2 2 (max)= = × = L TH L R E P 17. 1A 1 49 49 1 50 50 1 + + + =− + − = I ， 1A 1 49 49 1 50 50 3 + + + = + = I A 0 2= I ，I1+I2+I3=0A 18. 1A 6 6 8 20 3= − − = I ， ⎩ ⎨ ⎧ − + − = − − + − = ) ( 3 ) ( 6 6 ) ( 6 ) ( 2 20 3 2 1 2 2 1 3 1 I I I I I I I I ⎩ ⎨ ⎧ = − = − 3 9 6 22 6 8 2 1 2 1 I I I I ， ⎩ ⎨ ⎧ = − = − 1 3 2 11 3 4 2 1 2 1 I I I I 10 2I1= ，I1=5A，I2=3A 19. QT = Q1=360μC， 6μF V 60 μC 360 = = = T T T V Q C ) ( 2 3 1 C C C CT = 串 + ，C2+ C3=9μF，C3=3μF 20. 電力線方向由正指向負 21. 100μ 200 2J 2 1 2 1 2= × × 2 = = CV W 22. 15V 3 10 5 10 9 9 9 × = × = − + V V 18 1 10 2 10 9× 9− × 9 =− = − − V V 3 ) 18 ( 15+ − =− = + =V+ V− VA 23. 2 10 Wb 10 5 1 10 10 4 5 − × = × × × = = R NI φ 24. 由楞次定律得知線圈會 產生反抗，再利用安培 右手定則得知 B 點電位 高於 A 點 25. M =0.25 8×2 =1H，LT =8+2−2M=8H J 16 2 8 2 1 2 1 2 = × × 2 = = LI W 第二部份：電子學 26. 通常以禁止帶的寬度，決定物質為 導體、半導體或絕緣體 27. 2 2 15 2 15 ) 2 5 ( 102+ 2 = = = rms i 10 = av i ，∴ 2 4 3 10 2 2 15 . = = = av rms i i F F 28. 本質濃度 ni與溫度成正比 29. 10 25 15 2 ) C 25 ( ) C 15 ( − − × ° = ° − co co I I μA 0.625 μ 16 10 2 μ 10 × 4= = = − 30. (1)判斷二極體導通狀態： 假設D1off，D2on 0 5k 1 10k 1 5k 10 10k 10 < + − = V ∴假設錯誤 (2) D1、D2都on mA 1 10k 10 1= = I mA 2 5k 10) ( 0 2 = − − = I ∴I =1mA 31. 單一 N 型或 P 型半導體，障壁電位均為零 32. (1) 當IZ=IZK =20mA Z L I I I = − mA 80 mA 20 100 10 20− − = = ∴ 125Ω m 8010 = = = L Z L I V R (2) 同理，當IZ=IZM =50mA mA 50 mA 50 100 10 20− − = = − = Z L I I I ∴ 200Ω m 5010 = = = L Z L I V R 33. VZ與摻雜濃度成反比 34. Vo原為 () 5 1 t Vi 正弦波輸出，經過稽納截波後，近似 於梯形波 35. 圖仍為半波整流濾波電路 當RL開路時 V 2 100 = = m c V V 36. 因為Vo波形被「分壓」 故為考慮二極體電阻後波形 37. 電路同： 為全波二倍壓電路 38. 全波整流電容濾波： 2.4 (R：k ，C：μF) C R r L L Ω = ∴ 3kΩ 200 004 . 0 4 . 2 4 2 = × = × = C r . RL
電機與電子群 專業科目（一） 共3 頁 第 3 頁 39. Vi =5sin377t ∴Vo=5+5sin377t 40. Vi =−11V，D1on，D2off mA 0.2 k 20 k 10 11 5 =− + − = i I 41. BJT 的 E 腳摻雜濃度最高，再加上 B、E 間形同二 極體特性，故將C 腳剪掉後，B、E 間施以逆偏， 即可替代成稽納 42. 工作區 B-E 接面需接順向偏壓，C-B 接面需接逆向 偏壓 43. α α α α α α β γ − = − + − = − + = + = 1 1 1 1 1 1 1 ∴(1−α)γ =1 44. Vi =3V時，C 可視為開路 ) (sat c B I I ≥ ⋅ β 300 1k 0.2 1.8 15 5 . 0 3 40 + − − ≥ − ⋅ B R mA 10 5 . 2 40⋅ ≥ B R ，RB≤10kΩ 45. 直流分析 V 2 k 10 k 90 k 10 20 = + × = x V k 9 90k//10k= = x R ∴ 12.5μA 104k 1.3 1k 94) (1 9k 0.7 2 = = ⋅ + + − = B I ∴VB =Vx−IBRx=2−12.5μ×9k≅1.89V 46. 考慮工作點直流偏壓 交流Vi短路： 15k 0.4 0.6 10− − = B I mA 6 . 0 = mA 6 . 19 k 5 . 0 2 . 0 10 ) ( = − = sat c I ∴βIB >Ic(sat)⇒飽和區，∴Vo =10−0.2=9.8V 47. 5mA k 1 10 15− = = ≅ C E I I 99 1− = = α α β ， 0.05mA 1+ = = β B B I I V 2 . 1 0.7 m 05 . 0 k 10 0− × − =− = E V 48. (1) VZ+Vo =10.7V才會通 故兩者同時off μA 10 0.5k 99) (1 450k 0.6 5.6 = × + + − = B I mA 10 1.1k 0.5k 0.2 10.6) ( 5.6 ) ( + = − − − = sat c I ∴βIB <Ic(sat) (2) IC =βIB≅1mA ∴VEC ≅5.6−(−10.6)−(0.5k+1.1k)×1mA=14.6V (3) PQ=ICVEC =14.6mw 49. (1) 25°C 時， 0.1mA 100k 0.6 10.6− = = B I mA 20.8 0.5k 0.2 10.6 ) ( = − = sat c I ∴β(25°C)IB=112×0.1m=11.2m<Ic(sat) ∴IC =11.2mA V 5 0.5k 11.2m 10.6 C) (25° = − × = CE V (2) 75°C 時，β(75°C)IB =150×0.1m=15m<Ic(sat) ∴IC =15mA V 3.1 0.5k 15m 10.6 C) (75° = − × = CE V (3) 25°C→75°C， 100% 38% 5 5 1 . 3 %= − × =− ΔVCE 50. 當RC↓，則Ic(sat)↑，在VCC不變之下，新的工作 點靠向 D 點
