十一、研究計畫中英文摘要：請就本計畫要點作一概述，並依本計畫性質自訂關鍵詞。
亞洲大學資訊工程學系
計畫名稱：應用準分子雷射技術於改進 OCB 模式液晶轉態特性之研究 研究者：陳兆南
經費來源：行政院國家科學委員會
關鍵字：準分子雷射技術；液晶顯示器；OCB 模式液晶；成核點；預傾角 本計畫目的是使用準分子雷射技術，進行 PI(poly-imide) 配向膜表面 各種不同圖形微結構的製作，以增加 OCB (Optically Compensated Bend: 光 學補償彎曲)模式液晶轉態成核點數目及預傾角之控制，進而改進 OCB 模式 液晶之轉態問題。
OCB 模式具有廣視角及高速應答等優點，能實現滿足液晶電視所有的需 求被視為液晶顯示器加快反應時間的解決方案，但是 OCB 模式在技術上的 主要問題是液晶分子從 splay 排列到 bend 排列是不連續的，操作時需要一 段長時間暖機時間(warm-up time)，此問題可使用不同的表面結構增加成 核點的產生影響液晶排列，縮短轉態時間及控制預傾角降低轉態能障而獲 得改善。
準分子雷射製程技術因具備簡單、穩定、變化性高（圖形可隨光罩設 計任意變化）等優點，近年來被廣泛的應用在高品質液晶顯示器的相關製 程。目前 OCB 模式液晶增加成核點產生之研究主要是以 SPACER 或是摩擦配 向方式製造缺陷進而產生成核點，但是此種方法不易控制成核點產生的位 置，且為隨機出現、數量也不多。使用準分子雷射技術配合雷射光罩圖形 的設計將可精準的在 PI 表面控制成核點產生的位置及數目，藉由增多成核 點的數量大幅增快 OCB 轉態的速度而縮短轉態時間。控制預傾角之研究目 前主要以多層結構或是不同配向膜混合，來達到有各種預傾角的目的，但 是此種方法不易製作也不易穩定控制產生的預傾角，因此我們利用使用準 分子雷射技術，在 PI 配向膜表面進行微處理以製造出 PI 表面的凹凸配向，
希望可以製做出高預傾角的 OCB 樣品進而解決 OCB 轉態問題，以獲得不需 要轉態就可以操作的 OCB 模式技術。
完成雷射製程各項參數：雷射能量密度（Energy Density ）、發數（Shot Number）、不同光罩圖形設計之影響分析後，將所得到成核點產生及預傾角 控制之最佳製程參數，進一步進行製作 OCB 模式液晶 cell，進行光電特性 分析確認雷射製程所產生之成核點及預傾角之控制，對實際 OCB 模式轉態 之影響，以解決 OCB 模式轉態之缺點，進一步將此 OCB 模式液晶 cell 樣品 製程達到最優化。
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