C C C h h h a a a p p p t t t e e e r r r 4 4 4 燒結溫度對Ba(Co 1/3 Nb 2/3 )O 3 微波性質影響
4 4 4 . . . 1 1 1 樣品介紹與介電性質
1:2 有序結構的鈣鈦礦陶瓷,在微波通訊的潛力無窮,因為在微波範圍內 有著優越的低介電損失與高品質因子,對於通訊工業上的應用在注重個人通訊的 現 代 社 會 是 屬 於 很 熱 門 的 研 究 材 料
[1-3]。 Ba(Co
1/3Nb
2/3)O
3( 簡 稱 BCN) 、 Ba(Mg
1/3Ta
2/3)O
3(簡稱BMT)與Ba(Mg
1/3Nb
2/3)O
3(簡稱BMN)具有相同晶體對稱結 構,但是BCN的介電常數較大,介電損失也比較大。不過因為它的燒結溫度低,
可以節省很多的成本
[1]。在燒結材料間,如何將樣品燒結到最好的狀態,即結晶 最為完整,是一個很重要的課題。燒結溫度對於陶瓷的晶體來說是一個很重要的 生長因素
[2]。不同燒結溫度會影響材料之結晶程度,其微波特性也會不一樣。之 前的研究認為說物體的微觀結構會影響陶瓷的微波介電性質
[5-7],本章利用光學 方法來探測物體的微觀結構,並解析微觀結構如何的影響微波介電性質。所以我 們利用拉曼、延伸X光吸收精細結構(簡稱EXAFS)、X光繞射(簡稱XRD)來瞭解陶 瓷本身內部的微觀結構。
在本章中的BCN是韓國的南山(Shan Nahm)博士所提供。利用傳統的固態製 成方法(conventional solid state synthesis)
[16-17],將高於 99%的BaCO
3、CoO、ZnO、
Nb
2O
5混合,放入一尼龍瓶摻雜氧化鋯的小球,然後乾燥並以 1100-1200℃的溫 度鍛燒四個小時成粉末,然後將粉末壓結成圓盤狀以 1350-1550
oC溫度燒結
[16-17]
。以下是不同溫度燒結的BCN的微波介電性質。以及做比較的BMT與BMN。
用來做比較的BMT與BMN是利用HIP技術並以 1650℃溫度燒結。
[5,13]表格 4-1 BCN 樣品燒結溫度與介電性質
Sample Sintering temperature(
oC)
Dielectric
constant K Q×f
BCN 1350 32.5 49379
BCN 1400 32.5 69166
BCN 1420 32.9 33605
BCN 1450 33 7946
BCN 1550 32.9 6199
4 4 4 . . . 2 2 2 拉曼分析
BCN可以用拉曼散射探測出屬於BCN的聲子振動光譜,可間接對其內部微 觀結構作討論,並推測不同燒結溫度對BCN內部微觀結構的影響。在之前BMT 的研究中可以發現,1:2 的有序結構與樣品的微波介電性質有密切的關係
[6-7]; 當樣品內的 1:2 有序結構越好時,也必然擁有較高的Q×f
[8-13];換句話說當 1:
2 有序結構聲子強度越強,會擁有較高的Q×f值。這個有序結構可由拉曼方法看 出,如圖 4-1。將BMT、BMN 與BCN三個擁有相同晶格結構做比較,可以發現 它們的拉曼光譜相似,主要由屬於 1:1 結構的四個峰所構成
[4], (1) F
2g(Ba)~
105 cm
-1, (2)簡併 A
1g(O)與 E
g(O)~ 375 cm
-1(3) E
g(O)~450 cm
-1(4) 氧八面體 振動模A
1g(O)~ 800 cm
-1。除了這些明顯的主峰之外,另外在 150 cm
-1~300 cm
-1左右,還擁有三個小的峰值。這三個振動模聲子被定義為與 1:2 結構相關的振 動模(1:2 ordered mode)
[4,7]。此三個振動模的強度可以決定 1:2 有序結構的程度。
由圖 4-1 可看出BMT擁有最高的 1:2 有序振動模強度。所以也就擁有最高的Q×
f 值,BMN次之,而BCN的 1:2 振動模非常的微弱,幾乎無法分辨,所以這三 個樣品中擁有最小的Q×f值;由此可知並不是每一種A(B’1/3B”
2/3)O
3 都擁有明顯 的的有序結構振動模
[6,7,14-16]。不過幸好在之前研究BMT時,發現了除了 1:2 有 序結構振動模之外,還有由氧八面體所構成的A
1g(O)振動模也與微波介電性質相 關。
100 200 300 400 500 600 700 800 900
785cm
-1
788cm
-1
797cm
-1
A1g(Nb) 264cm
-1
Ba(Co1/3Nb2/3)O3 Ba(Mg1/3Nb2/3)O3 F2g(Ba) F2g(O)
Eg(O)
A1g(O)
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3
Intensity (arb.unit)
Raman Shift (cm-1)
1:2 Order Phonons
296cm
-1
A1g(Ta)
圖 4-1 BMT、BMN 與 BCN 的拉曼光譜
由圖 4-2 可以明顯由拉曼光譜看出,BCN 燒結溫度對晶體振動模的影響。
圖 4-2(a)是屬於鋇(Ba)原子的振動模;圖 4-2(b)是 1:2 有序結構的振動模;圖 4-2(c)
是與氧層相關的振動模;圖 4-2(d)是屬於氧原子所構成的八面體結構振動模,
90 95 100 105 110 115 120 1550oC 1450oC 1420oC 1400oC
Intensity (arb. unit)
Raman shift(cm-1)
A1g(Ba)+Eg(Ba)
1350oC
350 400 450
Eg(O)
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC
In te ns ity (a rb. u n it)
Raman shift(cm
-1) 1350oC
A1g(O)+Eg(O)
750 800 850
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC
In tensit y( arb. uni t)
Raman shift(cm
-1) 1350oC A1g(O)
150 200 250 300 350
(c)
(d) (a)
Eg(O)
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC
In ten s ity (arb. u n it)
Raman shift(cm
-1)
1350oC
A1g(Nb)
(b)
圖 4-2 不同燒結溫度 1350, 1400, 1420, 1450, and 1550℃的拉曼光譜(a)與鋇原子有關的聲子 (b) 1:2 有序結構聲子;(c)與氧有關的振動模聲子(d)氧八面體振動模
圖 4-2 說明了當燒結溫度超過 1450
oC之後,聲子強度變的很弱而且聲子寬度 變的很大。這個結果說明了當燒結溫度超過了 1450
oC,非晶性增加,因此無法 產生有序的聲子振動模,其微波的特性表現也隨之變差。圖 4-2(b)顯現了BCN的 1:2 有序結構的聲子強度很弱,幾乎無法分析,不過由之前的研究指出氧八面 體的振動模A
1g(O),與微波介電性質有關,所以我們將要分析A
1g(O)聲子特性與 微波介電性質的關係。
圖 4-3 中顯示A
1g(O)振動模的拉曼位移與其半高寬,與BCN的微波介電性質
的相關性。圖 4-3(a)是不同燒結溫度下的BCN,A
1g(O)的拉曼位移與介電常數的
關係。當燒結溫度在 1400
oC時,A
1g(O)聲子的拉曼位移最大,而介電常數為最
小值。在高於 1400
oC之後的樣品,A
1g(O)聲子的拉曼位移明顯變小,而介電常
數亦隨之變大。這種反相的趨勢也可以在圖 4-3(b)找到,在燒結溫度在 1400
oC
時,Q×f值最大而A
1g(O)的聲子寬度最小。因為A
1g(O)振動模是氧八面體的伸縮
振動模,所以此振動模的拉曼位移與氧八面體的緊密度相關,代表此聲子之生命
週期長短間接與 1:2 有序結構相關。由此實驗結果可以明顯指出緊密的氧八面
體會造成較低的介電常數與較高的Q×f值。對於較緊密的氧八面體來說,因微波
震盪而導致的鋇陽離子相對於氧八面體的陰離子可以相對移動的位移較小,這就
是導致介電常數變小的原因。燒結溫度為 1400
oC的BCN擁有較小A
1g(O)聲子寬
度,則是可以代表許多有序並緊密的氧八面體結構。在微波震盪中,電磁波傳送
的耗損時間較長,即代表較低的介電損失與較高的Q×f 值。這些結果可以顯示出 氧八面體的物理特性能夠由拉曼的A
1g(O)聲子看出,並且此特性對樣品的微波特 性有很強的影響。此特性在xBMT+(1-x)BMN 系統中也可以看到相同的趨勢
[6-7]。
1 3 5 0 1 4 0 0 1 4 5 0 1 5 0 0 1 5 5 0 7 7 7
7 8 0 7 8 3 7 8 6
S in terin g tem p eratu re(o C ) A 1g(O) Raman Shift(cm-1)
3 2 .5 3 2 .6 3 2 .7 3 2 .8 3 2 .9 3 3 .0
Dielectric constant
(a)
1350 1400 1450 1500 1550 27
30 33 36
Sintering tem perature(oC) A
1g(O) FWHM (c m -1 )
0 10 20 30 40 50 60 70
Q Xf (T Hz )
(b)
圖 4-3 溫度效應對A1g(O)振動模聲子的影響與微波介電性質的關係(a)拉曼位移與介電常數(b)聲 子寬度與Q×f 值
利用之前拉曼測量所得出的結果,我們可以測量出BMT、BMN與BCN的阻
尼性質,並推測微波在不同樣品中傳播時所具有的特性。圖 4-4 為Q ×
f 值對A1g(O)
聲子半高寬(High width Full Maximum)的倒數。通常在低阻尼震盪下,品質因子
與半高寬成反比,因為我們在微波範圍測量Q ×
f 值,並且其品質因子能夠由測量微波共振的半高寬而決定。而因為A
1g(O)聲子代表了氧八面體的特性,所以我們
認為這兩種半高寬是線性相關並將其他生長因素忽略。在圖 2-4 中發現BMT與
BMN的Q ×
f 值正比於半高寬的倒數,這現象代表了BMT與BMN的微波傳播呈現低阻尼的特性。而五個BCN樣品卻顯示了高阻尼的特性,這是因為在圖 2-4 中偏
離了線性關係而呈現了拋物線的曲線。這個結果可明顯的表示出不同 1:2 有序
結構的鈣鈦礦陶瓷包括BMT、BMN、BCN的微波傳播特性。
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 0
20 40 60 80 100 120 140 160
BCN1450 BCN1550
BCN1420 BCN1350
BCN1400 BMN
Qx f (GHzx10
3)
1/A
1g(O)width (cmx10
-3)
BMT
圖 4-4 BMT、BMN、BCN的品質因子與其A1g(O)聲子寬度的倒數之關連
4 4 4 . . . 3 3 3 X 光繞射分析
BCN之X射線繞射(X-ray diffraction)結果,如圖 4-5,所有的峰值,都指向了
1:2 有序結構的六面體結構,屬於 1:2 有序的超晶格繞射峰以星號標明,並且
由圖 4-5 可看出並沒有二次相的產生。
[16,17]表 4-2 顯示經GSAS程式所擬合的數
據結果。
30 60 90
*
*
*
*
1550
oC 1450
oC 1420
oC 1400
oC 1350
oC
In te n s ity (a rb . un it)
2 θ (degree)
*
圖 4-5 不同燒結溫度的 BCN X 射線繞射圖
表格 4-2 BCN X 射線繞射分析結果
Sintering
Temperature(
oC) chi-square a(Å) c(Å) Volume(Å
3) ρ
Coρ
NbS
1350 3.145 5.806 7.139 208.4 0.9027 0.9514 0.8542 1400 3.075 5.769 7.078 204.0 0.9123 0.9561 0.8683 1420 3.797 5.789 7.102 206.2 0.8964 0.9482 0.8446 1450 3.679 5.811 7.121 208.3 0.7007 0.8504 0.5512 1550 4.712 5.783 7.087 205.1 0.3698 0.6849 0.0547 Chi-square代表的是實驗數據與模擬的最小平方差,即模擬的好壞。a、c、
體積(volume)是晶格常數,ρ
Nb是鈮原子位於其晶格位置與全部的鈮原子的比 例。S則是 1:2 有序結構的長程有序程度,其計算公式見(2.3.1)。由表 4-2 可看 出燒結溫度為 1400
oC的BCN,體積最小且長程有序程度最高,表示在此溫度燒 結的BCN屬於最好的情況,而高於 1400
oC之後的BCN,體積開始變大且長程有 序程度變小,這估計是液相(liquid phase)的產生
[16-17]。液相的生成會使晶格變大,
並且使Q×f變小
19,C.W.Ahn的SEM可以驗證此推論。當燒結溫度為 1550
oC的BCN
晶格體積又較小,這估計是因為燒結溫度太高,內部產生了許多的氧空缺,所以
此樣品的長程有序程度也非常的低。
1350 1400 1450 1500 1550 0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
SQf
Sintering Temperture (
oC)
O rder parmet er S
0 20 40 60 80
Q × f (T Hz)
圖 4-6 不同燒結溫度 BCN 長程有序程度與 Q×f 之關連
圖 4-6 說明了樣品的長程有序程度與其微波特性表現非常的相關,隨著燒結 溫度的增加,長程有序程度減低,而 Q ×
f 且隨之減低。由此可知物體的微觀結構對於在微波範圍的介電性質是有著決定性的影響。
4 4 4 . . . 4 4 4 延伸 X 光吸收精細結構光譜分析
本節以延伸X光吸收精細結構光譜(EXAFS)技術,去測量NbO
6與CoO
6微觀結
構,並與拉曼測量的結果作對照,同時探討與其微波介電性質的關連性。
18800 19000 19200 19400 19600 19800 20000
1550
oC 1450
oC 1420
oC 1400
oC 1350
oC
Intensity (arb. unit)
Photon energy (eV)
(a)
7500 8000 8500
1550
oC 1450
oC 1420
oC 1400
oC 1350
oC
Intensi ty ( a rb. uni t)
Photon energy (eV)
(b)
圖 4-7(a)以鈮(Nb)為吸收原子的 K 層 X 光吸收光譜;(b)以鈷(Co)為吸收原子的 K 層 X 光吸收光 譜
圖 4-7 是分別以 X 光吸收光譜,鈮原子的 K 層能量為 18986.0 eV,鈷原子
的 K 層能量為 7709.0 eV,當 X 光能量在 K 層附近時,電子會吸收 X 光,產生
躍遷,可由圖 4-7 看出。
2 4 6 8 10
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC 1350oC
No rmal ized EXAFS
Wavenumber (Å-1)
BCN Nb core
(a)
0 2 4 6 8 10
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC 1350oC
Fourier Transform Magnitude (arb. unit)
Distance (Å)
BCN Nb core Nb-O
(b)
圖 4-8 以鈮原子為吸收原子的(a)R 空間延伸 X 光吸收精細結構光譜;(b) K 空間延伸 X 光吸收精 細結構光譜
6 8 10 12
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC 1350oC
No rmali zed EXAFS
Wavenumber (Å-1)
BCN Co core
(a)
0 2 4 6 8 10
1550oC 1450oC 1420oC 1400oC 1350oC
Fourier Transform Magnitude (arb. unit)
Distance (Å)
BCN Co core
(b) Co-O
圖 4-9 以鈷原子為吸收原子的(a)K 空間延伸 X 光吸收精細結構光譜;(b) R 空間延伸 X 光吸收精 細結構光譜
圖 4-8 與圖 4-9 為將圖 4-7 的背景訊號消除之後,可得因受吸收原子周圍的
原子影響而改變的吸收率,並經由傅力葉轉換(Fourier Transform),分別可得出 K
空間與 R 空間的吸收光譜,並且不同配位層原子對吸收率的貢獻在 R 空間分離
出來,即以吸收原子為中心,在徑向距離 r 上各層原子的分佈,可以獲得吸收原
子與各層吸收原子間的區域結構。
8 10 12 -0.03
0.00
4 6 8 10
-0.07 0.00 0.07
κ3 χ(κ)
BCN1550oC Co core
κ3 χ(κ)
Experimental Calculated
Wavenumber (Å-1)
Experimental Calculated
BCN1550oC Nb core
(a)
0 2 4 6 8 10
0 3 6
9 0 2 4 6 8 10
0 3 6
Co-O
BCN1550oC Co core
Experimental Calculated
κ3 χ( κ)
Experimental Calculated
κ3 χ(κ)
Distance(Å)
BCN1550oC Nb core (b) Nb-O
圖 4-10 (a)K 空間與(b)R 空間的鈮原子與鈷原子的延伸 X 光吸收精細結構擬合圖形
圖 4-10 是經由 FEFFIT 程式所擬合的光譜,我們主要要研究與吸收原子最接
近的第一層原子氧,其配位數共有 6 個,組成一八面體。我們認為這個八面體對
微波特性有很重要的影響力,所以氧八面體的物理特性也被我們所關注。圖
4-10(b)可看出鈷原子與鈮原子光譜並不相似,所以可以得知這兩種原子並非站在
同一位置上。
1350 1400 1450 1500 1550
2.030 2.035
32.6 32.8 2.10 33.0
2.12 2.14
Sintering Temperature(
oC)
Nb-O distance (Å) Dielectric constant
Co-O distance (Å)
圖 4-11 不同燒結溫度的 BCN,吸收原子到氧原子的距離與介電常數圖形