[PDF] Top 20 複晶矽薄膜電晶體之製程與可靠度之研究
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複晶矽薄膜電晶體之製程與可靠度之研究
... 再者，我要特別感謝王獻德學長與謝明山學長，學長在研究過程中都很熱心 地幫助我、指導我。尤其是在我徬徨無助、沮喪的時候，適時的拉我一把，讓我 能繼續堅持下去。另外還有實驗室的李名鎮學長、王哲麒學長、李宗霖學長、郭 柏儀學長、小強學長、建豪學長、楊紹明學長、小賢學長，感謝你們這些日子以 來的關心與指導。也要感謝志仰、家文、仁杰、柏浩、源竣、俊嘉、宗元、梓祥、 ... See full document
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低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究
... (GIDL) , 還有改善了可靠度，這是因為此種新式結構薄膜電晶體可以降低橫向電 場。 接著，我們進行有關 P 型通道之多重通道(multi-channel)複晶矽薄膜電晶體 ... See full document
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低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究
... 國誠、余俊、伯浩、宗元、梓翔、源俊、俊嘉、統億、錦石、子恆、張婷以及李 耀仁、林家彬學長，有你們的陪伴與討論，實驗過程不再枯燥乏味而是充滿著歡 樂。因為有你們的幫忙與笑聲，讓我能以快樂的心情面對實驗上與生活上的挑戰。 由衷地感激在實驗中曾給我幫助的朋友們，特別是計測實驗室的彭作煌先 生、教學實驗室的彭兆光先生，與奈米中心的徐秀鑾、林素珠、黃月美、楊月嬌、 ... See full document
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新穎製程及新穎結構的複晶矽薄膜電晶體之可靠度研究
... 此外也很感學實驗室各學長吳師道、陳經緯、楊中熹、彭辭修、王丁勇、羅文 政、陳漢譽、吳永俊、涂峻豪、蔡宗鳴、顏碩廷、陳致宏、楊富明、黃聖懿、胡佳 欣、胡心卉、陳怡誠、吳興華、張保安、張家榮、郭柏儀、楊政桓、吳元均、黃子 軒、陳稚軒、林泩宏等的帶領與指教，特別感謝吳永俊學長等在我的論文寫作與口 試報告等方面的教導，以及電腦軟體使用與量測分析的傳授；及涂俊豪學長、吳興 ... See full document
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複晶矽薄膜電晶體中漏電流及可靠度課題之研究
... 少此一漏電流的方案。這些方案包括了快速熱退火(Rapid thermal annealing, RTA)、在閘 極與汲極間插入一層氮化矽、以及改使用複晶矽鍺材料作為奈米線通道等。這數種方案 的特色被逐一比較並加以討論。 我們也提出並實作了一種新穎的測試結構，可以解析薄膜電晶體中熱載子衰退所發 ... See full document
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複晶矽薄膜電晶體製程效應與偏壓溫度不穩定性之研究
... 誌謝 首先要向我的指導教授雷添福博士致上無限的謝意。兩年的研究生涯中，不 僅從老師身上學習到做研究的精神與方法，有老師的關心與鼓勵本論文才得以順 利完成。另外也要感謝聯華電子公司提供的機會，並提供生活上的協助，還有聯 電王宗鴻先生的幫忙，讓我能夠完成這本論文。 ... See full document
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鎳金屬誘發側向結晶－低溫複晶矽薄膜電晶體之漏電流與可靠度研究
... 析度能夠進一步提升。然而利用薄膜電晶體方式驅動的液晶顯示器，其成像品質的好壞 與電晶體的特性有很大的關係，如漏電流、驅動電流、寄生電容、臨界電壓與開關速率 ... See full document
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金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體可靠度課題及元件特性之研究
... Device Characteristics and Reliability of Metal Induced Laterally Crystallized Polysilicon Thin Film Transistors.[r] ... See full document
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鎳金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體中電特性、可靠度與均勻性課題之研究
... 討論時的幫忙，更是讓我體會到何為貴族生活的寫照。也感謝實驗室的同學鄭季豪(豪 哥)，謝謝你在這段期間給予的幫助，也謝謝你在我們出國開會與旅遊時一切的照顧， 並且從你身上我了解到好男人是怎麼一回事，我想這是我ㄧ輩子也沒有辦法達到的境 界。也感謝同學黃秉緯，感謝你在夏威夷時的相互照應。還有感謝也是低調界的林博 文同學，雖然兩年後你就先到業界去發展了，但也多虧了你，我們才有取之不盡用之 ... See full document
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低溫複晶矽薄膜電晶體之負偏壓溫度不穩定研究
... 張婷，與你們相處的時光總是充滿歡樂。 最後感謝我最親愛的家人，感謝我的父母李俊忠先生和張麗華女士無怨無悔 的將我拉拔長大，還記得數十年來，父親對兒子的多少期待，母親對兒子的多少 關懷，歷歷在目，無以回報，永識於心。也很感謝蕙質蘭心的女友書君，總是在 聽了我的牢騷之後給我繼續前進的動力。 ... See full document
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複晶矽薄膜電晶體之光特性研究
... 從文獻中可以瞭解光漏電與通道底部及主動層厚度有關，因此我們對元件的通道做摻 雜處理，試圖抑制光漏電。照光後的電子電洞對會有部分被我們創造的複合中心所捕 獲，而使到達源極與汲極端的電子電洞對減少而降低光漏電流。經由不同深度的通道 ... See full document
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超高真空化學氣相沉積低溫新穎複晶矽薄膜電晶體之製作與可靠度分析---子計畫二：退火製程對超高真空化學氣相沈積法成長之複晶矽薄膜結構的影響與退火複晶矽薄膜電晶體的製作(III)
... 兩根峰值。這兩根峰值的出現可以用來區別複晶矽 與 非 晶 矽 薄 膜 。 不 同 能 量 密 度 雷 射 退 火 後 的 UHVCVD 複晶矽薄膜，其結晶結構以及粗糙度變 化情形如圖 2 ... See full document
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新穎低溫多晶矽薄膜電晶體之製程與□定度分析
... 然我還是喜歡去趣味一下） ．如果不是你陪我去面對國防部的問題，我想我還不知道在 那裡，也謝謝你二次在我半夜發高燒時，陪我去掛急診，也很懷念晚上和你在房間彼此 邀勵的時刻，最感謝就你借我電腦，讓我完成最後的論文；人星，我也不會忘了你用雞 精和煮美味的綠豆湯來鼓勵我，請我去ｓｐａ徹底放鬆一下，讓我有更大動力去完成這 論文，也謝謝在口試前，陪我去ｐｒａｙ，讓我用信心去面對口試的難關；Miller，你 ... See full document
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具有真空間隙之T型閘極低溫多晶矽薄膜電晶體之性能與可靠度之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 系統面版 (System on Panel, SOP) 應用為複晶矽薄膜電晶體技術發展的理 想目標，除高性能與高可靠度的要求外，必須兼具成本考量。傳統之汲極工程雖 ... See full document
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低溫複晶矽薄膜電晶體於背光下之電性研究
... 最後，我願將這份榮耀呈獻給我深愛的家人，父親－林水河先生、母親－林陳玉琴 女士、姐姐－林秀蓉小姐、以及弟弟－林成峯先生。感謝家人們的鼓勵，特別是父母親 多年來辛苦的教導與栽培，一直以來的支持與關懷，陪我度過了許多風雨與榮耀的時光， 讓我能無後顧之憂，全力衝刺學業，終於不負所望完成學業，在此獻上我內心最深的謝 ... See full document
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先進材料應用於複晶矽薄膜電晶體之研究
... 型通道複晶矽電晶體作一系列的 研究和探討。我們發現因為高介電薄膜具有較大的閘極電容密度，因此以其作為 閘極介電層的薄膜電晶體都展現出比使用傳統沉積氧化層的元件較佳的特性，例 ... See full document
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高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作
... 有縱向成長的晶粒及在源/汲極接面附近 之缺陷較少，因此藉由此法所製作出的複 晶矽薄膜電晶體相較於傳統結構與製程呈 現出較高的載子移動率、較低的次臨界擺 幅及漏電流。此外，既然晶粒的成長可藉 由人為控制，因此相較於傳統雷射再結晶 ... See full document
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以複晶矽薄膜電晶體製作新穎高速電荷儲存式記憶體之研究
... oxide 穿隧層中的 traps 和 HfO 2 阻擋層的低能障高度皆有助於載子的流動，容易 形成漏電路徑，因此 THNVAS 和 TANOS 無法長時間將載子保存於電荷儲存層 內。TANVAS 避開了這些問題，所以展現出良好的資料保存性。 在經過對電性的探討和分析後，我們得到一些令人滿意的結果。我們的研究 ... See full document
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複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III：MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究
... 通道效應而提昇複晶矽晶粒的側向長 度。此外，十條奈米通道的元件，具有 著較佳的開關特性。此現象可被解釋 為，十條奈米通道的元件，由於它的環 繞式閘極的結構，使其有較佳的閘極控 制能力來降低橫向電場，以抑制短通道 的效應。此圖案相依的金屬誘化側向結 ... See full document
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