【11】證書號數：I411128
【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 10 月 01 日 【51】Int. Cl.： H01L33/00 (2010.01)
發明 全 6 頁 【54】名 稱：發光二極體晶片之製造方法
METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 【21】申請案號：098135442 【22】申請日： 中華民國 98 (2009) 年 10 月 20 日 【11】公開編號：201115776 【43】公開日期： 中華民國 100 (2011) 年 05 月 01 日 【72】發 明 人： 蘇炎坤 (TW) SU, YANKUIN；陳冠群 (TW) CHEN, KUANCHUN
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG
UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 蔡坤財；李世章 【56】參考文獻： TW 550836 TW 200810149 EP 1306944A1 TW 200404375 TW 200903836 審查人員：王安邦 [57]申請專利範圍 1. 一種發光二極體晶片之製造方法，包含：提供一基板，其中該基板具有相對之一第一表 面與一第二表面；利用一雷射在該基板之該第一表面中形成複數個切割道，其中該些切 割道中包含一雷射殘餘物；清除該雷射殘餘物；形成一發光磊晶結構於該基板之該些切 割道以外之該第一表面上，其中該發光磊晶結構包含：一第一電性半導體層，位於該基 板之該第一表面上；一發光層，位於部分之該第一電性半導體層上；以及一第二電性半 導體層，位於該發光層上，其中該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之電性不 同；形成一透明導電層於該第二電性半導體層上；形成一第一電極與一第二電極分別位 於該第一電性半導體層上與該第二電性半導體層上；以及施加一外力於該基板之該第二 表面上，以沿著該些切割道分割該基板，而形成複數個發光二極體晶片。 2. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該基板之材料包含矽、碳化矽、砷 化鎵或藍寶石。 3. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該雷射之波長介於 195nm 與 1550nm 之間。 4. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中每一該些切割道之形狀為 V 字型、 U 字型、Y 字型或ㄩ字型。 5. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中相鄰之二該些切割道之間的間距介 於 25μm 與 10000μm 之間。 6. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中利用該雷射形成該些切割道時，該 雷射之焦點介於該基板之該第一表面與該第一表面下方 300μm 之間。 7. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中清除該雷射殘餘物之步驟包含將該 基板浸泡於溫度 100℃以上之一酸性溶液中。
8. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中清除該雷射殘餘物之步驟包含將該 基板浸泡於溫度 100℃以上之一鹼性溶液中。 9. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中清除該雷射殘餘物之步驟包含利用 一反應性離子蝕刻(RIE)法。 10. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中清除該雷射殘餘物之步驟包含利用 一感應耦合電漿反應性離子蝕刻(ICP-RIE)法。 11. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中清除該雷射殘餘物之步驟包含將該 基板浸泡於溫度 250℃之一酸性溶液中，該酸性溶液包含硫酸與磷酸，且硫酸與磷酸之 比例為 3：1。 12. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該發光磊晶結構之材料包含氮化鎵 系列(GaN-based)材料、磷化鋁鎵銦(AlGaInP-based)系列材料、硫化鉛(PbS-based)系列材 料、碳化矽(SiC-based)系列材料、氮化銦鎵(InGaN-based)系列材料、氮化銦(InN-based) 系列材料或氮化鋁鎵(AlGaN-based)系列材料。 13. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，於形成該發光磊晶結構之步驟與形成該 透明導電層之步驟之間，更包含形成一電流阻障層於該第二電性半導體層上。 14. 如請求項 13 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該電流阻障層之材料包含二氧化矽 或氮化鋁。 15. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該透明導電層之材料包含氧化銦錫 (ITO)、鎳/金、氧化鋅(ZnO)或氧化鋅鋁(AZO)。 16. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該透明導電層之厚度介於 10 與 6000 之間。 17. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該第一電極包含依序堆疊在該第一 電性半導體層上之一黏著層、一擴散阻擋層與一金屬層。 18. 如請求項 17 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該黏著層之材料包含鉻、鈦、鎳或 其合金。 19. 如請求項 17 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該擴散阻擋層之材料包含鉑、鎳、 鈦、鋁、鎢或其合金。 20. 如請求項 17 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該金屬層之材料包含金、銀、鋁或 其合金。 21. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該第二電極包含依序堆疊在該第二 電性半導體層上之一黏著層、一擴散阻擋層與一金屬層。 22. 如請求項 21 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該黏著層之材料包含鉻、鈦、鎳或 其合金。 23. 如請求項 21 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該擴散阻擋層之材料包含鉑、鎳、 鈦、鋁、鎢或其合金。 24. 如請求項 21 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該金屬層之材料包含金、銀、鋁或 其合金。 25. 如請求項 1 所述之發光二極體晶片之製造方法，於形成該第一電極與該第二電極之步驟 與施加該外力之步驟之間，更包含形成一透明保護層覆蓋該發光磊晶結構、該透明導電 層與該些切割道。 26. 如請求項 25 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中該透明保護層之材料包含二氧化矽 或氮化鋁。 7395
-27. 如請求項 25 所述之發光二極體晶片之製造方法，於形成該透明保護層之步驟與施加該外 力之步驟之間，更包含從該基板之該第二表面上移除部分之該基板，以縮減該基板之一 厚度。 28. 如請求項 27 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中移除該基板之該部分之步驟係利用 一研磨法。 29. 如請求項 27 所述之發光二極體晶片之製造方法，其中經縮減後，該基板之該厚度介於 50μm~250μm。 圖式簡單說明 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如 下： 第 1A 圖係繪示依照本發明一實施方式的一種基板的上視圖。 第 1B 圖至第 10 圖係繪示依照本發明一實施方式的一種發光二極體晶片之製程剖面圖
