【11】證書號數：I477893
【45】公告日： 中華民國 104 (2015) 年 03 月 21 日 【51】Int. Cl.： G03F1/80 (2012.01)
發明 全 8 頁 【54】名 稱：光罩之製造方法
MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK
【21】申請案號：100123951 【22】申請日： 中華民國 100 (2011) 年 07 月 06 日 【11】公開編號：201303487 【43】公開日期： 中華民國 102 (2013) 年 01 月 16 日 【72】發 明 人： 李永春 (TW) LEE, YUNG CHUN；張元震 (TW) CHANG, YUAN JEN；陳俊
宏 (TW) CHEN, CHUN HUNG；謝易達 (TW) HSIEH, YI TA；高國倫 (TW) KAO, KUO LUN；顏誌男 (TW) YAN, JHIH NAN
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG
UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 劉正格 【56】參考文獻： TW 498424 TW 201107901A JP 1990-83525A US 6656845B2 US 2008/0105875A1 TW 201106114A TW 201111905A JP 2009-116268A US 2005/0221203A1 審查人員：吳照中 [57]申請專利範圍 1. 一種光罩之製造方法，包含：提供一基板，該基板之一側具有複數凸狀物，各該等凸狀 物之一頂部為漸縮結構；形成一遮光層於該基板之該側且覆蓋該等凸狀物；形成一蝕刻 保護層於該遮光層上；蝕刻位於該等凸狀物之頂部之該蝕刻保護層的部分；以及以剩餘 之蝕刻保護層作為遮罩對該遮光層進行蝕刻。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該基板之材質包含金屬材料、石 英、玻璃材料、陶瓷材料、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材 料、無機材料、或上述材料中任二者以上所合成之材料。 3. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該基板之材質包含可撓性材料。 4. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該等凸狀物係呈陣列設置。 5. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中各該等凸狀物係呈長條形或錐狀。 6. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該遮光層之材質包含金屬材料、石 英、玻璃材料、陶瓷材料、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材 料、無機材料、或上述材料中任二者以上所合成之材料。 7. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該蝕刻保護層之材質包含光阻、高 分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、玻璃材料、陶瓷材料、石英、金屬材料、 半導體材料、無機材料、或上述材料中任二者以上所合成之材料。 8. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該蝕刻保護層之蝕刻藉由乾式蝕刻 或溼式蝕刻進行。 4870
-9. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，其中該遮光層之蝕刻係藉由乾式蝕刻或 溼式蝕刻進行。 10. 如申請專利範圍第 1 項所述之光罩之製造方法，更包含：在該遮光層進行蝕刻後，移除 剩餘之蝕刻保護層。 11. 如申請專利範圍第 10 項所述之光罩之製造方法，其中該剩餘之蝕刻保護層之移除係藉由 乾式蝕刻或溼式蝕刻進行。 圖式簡單說明 圖 1 為本發明較佳實施例之一種光罩之製造方法的步驟示意圖； 圖 2A 至圖 2E 為圖 1 之製造方法的流程示意圖； 圖 3 與圖 4 為本發明較佳實施例之光罩之製造方法中，基板與凸狀物具有不同態樣的示 意圖； 圖 5 為利用本發明較佳實施例之光罩之製造方法所得到之光罩進行曝光的示意圖； 圖 6A 與圖 6B 為利用圖 5 之光罩進行曝光所得到之光阻結構的示意圖； 圖 7 至圖 9 為本發明較佳實施例之一種光罩具有不同態樣之凸狀部的示意圖； 圖 10 為本發明較佳實施例之可撓式光罩與一彎曲基板進行曝光的示意圖；以及 圖 11 為本發明較佳實施例之另一態樣之光罩的示意圖。 (2) 4871
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