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具提升散熱效果之發光二極體裝置及其製備方法

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Academic year: 2022

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(1)

【19】中華民國      【12】專利公報  (B)

【11】證書號數:I497781

【45】公告日: 中華民國 104 (2015) 年 08 月 21 日

【51】Int. Cl.: H01L33/64 (2010.01)

發明     全 4 頁 

【54】名  稱:具提升散熱效果之發光二極體裝置及其製備方法

LIGHT EMITTING DIODE DEVICE WITH ENHANCEMENT OF HEAT DISSIPATION, AND THE METHOD OF PREPARING THE SAME

【21】申請案號:101126046 【22】申請日: 中華民國 101 (2012) 年 07 月 19 日

【11】公開編號:201405893 【43】公開日期: 中華民國 103 (2014) 年 02 月 01 日

【72】發 明 人: 陳引幹 (TW) CHEN, IN GANN;粘永堂 (TW) NIEN, YUNG TANG;馬家 偉 (TW) MA, CHIA WEI

【71】申 請 人: 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

臺南市東區大學路 1 號

【74】代 理 人: 吳冠賜;蘇建太

【56】參考文獻:

TW 201226797A US 2012/0164439A1

US 2010/0038665A1 審查人員:彭大慶

[57]申請專利範圍

1. 一種具提升散熱效果之發光二極體裝置,包括:一發光二極體晶片,係具有一發光表 面;一螢光層,設於該發光二極體晶片之該發光表面上,其中該螢光層係具有複數散熱 孔,且該等散熱孔係貫穿該螢光層;以及一導熱材料,係填充於該等散熱孔中,且該導 熱材料與該螢光層之熱膨脹係數差值係小於 20ppm/K,其中,該導熱材料之導熱係數係 為 5-400W/m.K。

2. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體裝置,其中該螢光層更設有複數散熱溝槽,係 設於該螢光層之一出光面或受光面,該等散熱溝槽係延伸自該些散熱孔,且該等散熱溝 槽係填充有該導熱材料。

3. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體裝置,其中該螢光層係為一螢光膠體、一螢光 塑膠片、或一螢光陶瓷板。

4. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體裝置,其中該螢光層之材料係為一氧化物、一 氮化物、一氮氧化物、一矽酸鹽、一鋁酸鹽、一磷酸鹽、一硫化物、一硫氧化物、或其 混合物。

5. 如申請專利範圍第 4 項所述之發光二極體裝置,其中該螢光層之材料係為釔鋁石榴石、

氧化釔、鈦酸鈣、鈣釔矽氧、鈣鋁系氮、矽鋁氧氮、矽酸鋅、鋁酸鍶鋇、硫化鋅、硫氧 化釔。

6. 如申請專利範圍第 4 項所述之發光二極體裝置,其中該螢光層之材料係為釔鋁石榴石。

7. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體裝置,其中該導熱材料係為矽、砷化鎵、氮化 鎵、氧化鋁、氮化鋁、鋁、銅、銀、碳化矽、氮化硼、或其混合物。

8. 如申請專利範圍第 5 項所述之發光二極體裝置,其中該導熱材料係為銅。

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9. 一種具提升散熱效果之發光二極體裝置之製作方法,包括:提供一發光二極體晶片,係 具有一發光表面;形成一螢光層於該發光二極體晶片之該發光表面上;於該螢光層中形 成複數散熱孔,且該等散熱孔係貫穿該螢光層;以及填充一導熱材料於該等散熱孔中,

其中該導熱材料與該螢光層之熱膨脹係數差值係小於 20ppm/K,其中,該導熱材料之導 熱係數係為 5-400W/m.K。

10. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中於該螢光層中形成複數散熱孔時,更於該 螢光層之一受光面或一出光面上形成複數散熱溝槽,其中該等散熱溝槽係延伸自該些散 熱孔且該等散熱溝槽係填充有該導熱材料。

11. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中該等散熱孔係以雷射、機械、或蝕刻方式 形成。

12. 如申請專利範圍第 10 項所述之製作方法,其中該等散熱溝槽係以雷射、機械、或蝕刻方 式形成。

13. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中該螢光層係為一螢光膠體、一螢光塑膠 片、或一螢光陶瓷板。

14. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中該螢光層之材料係為一氧化物、一氮化 物、一氮氧化物、一矽酸鹽、一鋁酸鹽、一磷酸鹽、一硫化物、一硫氧化物、或其混合 物。

15. 如申請專利範圍第 14 項所述之製作方法,其中該螢光層係為一釔鋁石榴石、氧化釔、鈦 酸鈣、鈣釔矽氧、鈣鋁矽氮、矽鋁氧氮、矽酸鋅、鋁酸鍶鋇、硫化鋅、硫氧化釔。

16. 如申請專利範圍第 14 項所述之製作方法,其中該螢光層之材料係為釔鋁石榴石。

17. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中該導熱材料係為矽、砷化鎵、氮化鎵、氧 化鋁、氮化鋁、鋁、銅、銀、碳化矽、氮化硼、或其混合物。

18. 如申請專利範圍第 9 項所述之製作方法,其中該導熱材料係為銅。

圖式簡單說明

圖 1 係本發明之具提升散熱效果之發光二極體裝置之一較佳實施例之剖視圖。

圖 2 係本發明之具提升散熱效果之發光二極體裝置之一較佳實施例之上視圖。

圖 3 係本發明之一具提升散熱效果之發光二極體裝置之一較佳實施態樣之剖視圖。

圖 4 係本發明之一具提升散熱效果之發光二極體裝置之一較佳實施態樣之剖視圖。

圖 5 係本發明之一具提升散熱效果之發光二極體裝置之一較佳實施態樣之剖視圖。

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參考文獻

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