中 華 大 學
碩 士 論 文
題 目 : 熱滾壓式微/奈米轉印最佳化製程之分析 Analyzing the optimization of manufacturing process of
m i c r o / n a n o h o t - r o l l i n g imprinted t e c h n o l o g y
系 所 別：機械與航太工程研究所
學號姓名：M09508011 林進宏
指導教授：蔡博章 博士
摘要
奈米轉印這門技術定義為「將具有微/奈米結構的模仁，透過各 種方式(如熱壓、UV光曝照等)將模仁上的圖案轉印至特定材料上，使 其達到轉印速度快與量產化的目標」。Roll-to- roll技術的生產方式大 致可分成三個程序，分別為：沉積(Deposition)、圖案化(Pattering)、
以及構裝(Package)。本研究致力於奈米/微結構成品探討，在固定的 力量下轉印將詳細探討不同參數(溫度、轉速)，其後使用，能對其轉 印過程中模穴內高分子材料情況藉由表面粗度儀器檢驗轉印的實驗 結果，並期望能進一步掌握模穴內其填充量變化情況，以改善在轉印 時尺寸上的誤差與脫模等問題。
關鍵詞：奈米轉印、熱壓成形、熱滾壓轉印。
Abstract
The nallo-imprinted is an intricate process by which a micro/nano structure pattern can be imprinted on particular material try using variety of methods( such as hot embossing, UV-curing), the purpose is to maintain high-quality product and to reduce cost due to mass-production.
The Roll-to-roll technology roughly can be divided into three procedures:
Deposition, Patterning, and Packaging. This research is devoted to the discussion of the micro/naon structure that imprinted under fixed strength;
then investigated into the effects by the different parameters (temperature, rotational speed). By virtue of the surface analyzer examination on a mold hole which was formed on polymer material using imprinted process, we attempt to control its packing quantitative variation. The improvement of size accuracy and pattern removal in the mold hole can be reached.
Keyword：Nanoimprint、hot-press forming、hot-rolling imprint.
誌謝
時間過的真快，兩年一下就過了，想當初才踏入中華的校門，轉 眼間已經要畢業了，心中時在不捨在實驗室中的點點滴滴，還有和學 長、同學、學弟們相處的種種回憶。
能夠完成論文，首先要感謝的是恩師蔡博章老師，老師常在學生 發生問題時給予明確的方向，ㄧ而再、再而三地指導。在研究的期間 要感謝工研院機械研究所提供的熱滾壓奈米轉印機與工程師徐達偉 先生實驗上一直費心的協助與指導；在這兩年裡學到的真的太多太 多。感謝口試委員黃仁智博士、蔡永培博士、粘金重博士與郭啟榮博 士細心評閱，點出論文中的總總缺失，使得論文更加完備。
學長劉光倫、傅裕鈞、張謝瑞更常常照顧我，同學李建和、吳思 諺、施人豪與張偉麒我們更是闖過好多難關的夥伴，我會珍惜我們點 點滴滴的。還有學弟伍邦維、陳鵬宇，對我全力支持與幫助，亦讓我 深深感動，最後要感謝我最親愛的家人還有女友，沒有你們默默支 持，就沒有今天的我，僅以此文獻給你們。
目 錄
摘要···i
Abstract···ii
誌謝··· iii
目錄···iv
圖標題···vii
表標題···x
第一章 緒論 ···1
1-1 研究動機 ···1
1-2 文獻回顧 ···2
1-3 研究目的 ···4
1-4 研究方法 ···4
第二章 轉印成形簡介···6
2-1 本研究之緣由 ···6
2-2 奈米轉印成形方法 ···7
2-3 奈米轉印微影技術發展的歷史 ···12
第三章 實驗內容與程序···14
3-1 微米結構模具之製程 ···14
3-2 熱滾壓式設備與步驟 ···16
3-2.1 熱滾壓式機台 ···16
3-2.2 熱滾壓印步驟 ···19
3-3 實驗量測設備 ···25
3-3.1 數位溫度計 ···25
3-3.2 掃描式電子顯微鏡 ···27
3-3.3 晶圓檢測光學顯微鏡 ···28
3-3.4 表面粗糙度分析儀 ···30
第四章 實驗設計及資料分析···31
4-1 初步預備實驗構想 ···31
4-2 實驗方法 ···31
4-3 成形關鍵 ···33
4-3.1 模仁製作與壽命 ···33
4-3.2 平行度與均壓性 ···34
4-3.3 溫度控制 ···35
4-3.4 脫模機制 ···36
第五章 實驗結果與討論···37
5-1 實驗結果 ···37
5-1.1 幾何外形 ···37
5-1.2 田口法表格 ···39
5-2 實驗討論 ···50
5-3 壓印的實驗結果與討論 ···53
第六章 結論與未來研究建議···68
6.1 成果與結論 ···68
6.2 未來研究建議 ···69
參考文獻···70
圖目錄
Fig 2-1 奈米轉印微影技術概念ㄧ...6
Fig 2-2 奈米轉印微影技術概念二...6
Fig 2-3 熱壓成形奈米轉印流程圖...7
Fig 2-4 紫外光硬化成形奈米轉印流程圖...8
Fig 2-5 軟微影技術流程圖...9
Fig 2-6 雷射輔助直接轉印技術流程圖...10
Fig 3-1 微米結構模具...15
Fig 3-2 Roll-to-roll 機台示意圖 ...16
Fig 3-3 鏈條驅動圖...17
Fig 3-4 熱滾壓式機台實體圖...18
Fig 3-5 機台組裝完成圖...19
Fig 3-6 烘箱圖...20
Fig 3-7 模仁加熱控制器...20
Fig 3-8 總電源圖...21
Fig 3-9 機台電源圖...22
Fig 3-10 速度控制器...22
Fig 3-11 熱滾壓機台輸入圖...23
Fig 3-12 成品圖...24
Fig 3-13 數位溫度計...25
Fig 3-14 掃描式電子顯微...27
Fig 3-15 鏡晶圓檢測光學顯微鏡...28
Fig 3-16 表面粗度儀...30
Fig 4-1 實驗流程圖...32
Fig 5-1 模仁表面粗度儀圖...37
Fig 5-2 微結構幾何外型...38
Fig 5-3 熱滾壓印次佳的樣品(正面圖)...51
Fig 5-4 熱滾壓印次佳的樣品(側面圖)...51
Fig 5-5 熱滾壓印較佳的樣品(正面圖)...52
Fig 5-6 熱滾壓印較佳的樣品(側面圖)...52
Fig 5-7 量測取點圖...53
Fig 5-8 填充量趨勢圖...54
Fig 5-9 實驗後模仁表面粗度儀圖...55
Fig 5-10 135℃30Hz 實驗試片表面粗度圖...56
Fig 5-11 135℃35Hz 實驗試片表面粗度圖 ...57
Fig 5-12 140℃30Hz 實驗試片表面粗度圖...58
Fig 5-13 140℃35Hz 實驗試片表面粗度圖...59
Fig 5-15 145℃35Hz 實驗試片表面粗度圖...61
Fig 5-16 熱滾壓印較佳的樣品 SEM 圖(1)...62
Fig 5-17 熱滾壓印較佳的樣品 SEM 圖(2)...63
Fig 5-18 熱滾壓印較佳的樣品 SEM 圖(3)...63
Fig 5-19 熱滾壓印較佳的樣品 SEM 圖(4)...64
Fig 5-20 熱滾壓印次佳的樣品 SEM 圖(1)...64
Fig 5-21 熱滾壓印次佳的樣品 SEM 圖(2)...65
Fig 5-22 熱滾壓印次佳的樣品 SEM 圖(3)...65
Fig 5-23 熱滾壓印次佳的樣品 SEM 圖(4)...66
Fig 5-24 熱滾壓印較佳的樣品 OM 圖...66
Fig 5-25 熱滾壓印次佳的樣品 OM 圖...67
表目錄
表2-1 奈米轉印技術特徵之比較表 ...11
表3-1 機台對照表 ...18
表3-2 轉速換算表 ...23
表3-3 量測溫度精度表 ...26
表3-4 SEM 與 OM 比較表 ...29
表5-1 在 160℃的環境下，不同的速度做出來的表格...39
表5-2 在 155℃的環境下，不同的速度做出來的表格...40
表5-3 在 150℃的環境下，不同的速度做出來的表格...41
表5-4 在 145℃的環境下，不同的速度做出來的表格...42
表5-5 在 140℃的環境下，不同的速度做出來的表格...44
表5-6 在 135℃的環境下，不同的速度做出來的表格...45
表5-7 在 130℃的環境下，不同的速度做出來的表格...47
表5-8 在 125℃的環境下，不同的速度做出來的表格...48
表5-9 在 120℃的環境下，不同的速度做出來的表格...49
表5-10 實驗前後模仁尺寸比較表 ...55
表5-11 135℃30Hz 轉印前後微結構尺寸實驗結果比對 ...56
表5-12 135℃35Hz 轉印前後微結構尺寸實驗結果比對 ...57
表5-14 140℃35Hz 轉印前後微結構尺寸實驗結果比對 ...59 表5-15 145℃30Hz 轉印前後微結構尺寸實驗結果比對 ...60 表5-16 145℃35Hz 轉印前後微結構尺寸實驗結果比對 ...61
第一章 緒論
1-1 研究動機
Roll-to -roll源自奈米壓印連續化的改良，而奈米壓印微影技術 (Nanoimprint technology)溯自1995年與1996年，由目前任職於美國普 林斯頓大學的S. Y. Chou教授所屬研究團隊所發表兩篇研究論文，揭 開奈米壓印微影技術研究之序幕。
奈米壓印要能順利的進行，需要有三樣基本元素：
(1)具有奈米尺度圖樣的印模。這樣的印模通常是以光學微影或電子 束微影，再加上乾蝕刻製程製作而成；
(2)用於壓印的聚合物(Polymer)材料與固態基板。通常這聚合物具有 適當玻璃轉換溫度(Glass transition temperature; Tg)與分子量，且聚 合物事先旋塗於固態基板上；
(3)具有可適當控制溫度、壓力及控制印模與基板間平行度的壓印設 備。
目前平面熱壓成型奈米轉印技術可以製造出高品質和高精密度 的微結構成品，但由於成型周期過長，導致成本過高，所以在此以熱 壓成形為概念延伸出許多的轉印方式如:步進式、滾輪式等。我們在 這裡研究的是熱滾壓式奈米轉印，因為熱滾壓式有轉寫快速、並可達
1-2 文獻回顧
奈米轉印技術的進展，具有低成本、高產出率潛在優勢，使得能 夠在不同材料上以奈米與尺寸之準確度製成各種奈米結構的需求日 益殷切；奈米轉印微影術[1]的研究肇始於普林斯頓大學(Princeton University)奈米結構實驗室(Nano Structures Laboratory, NSL)的 S. Y.
Chou 教授於 1995、1996 年[2、3]發表的兩篇論文而各式各樣的奈米 製作技術與研究也因此相繼的被積極探討與開發。S Zankovych, T Hoffmann, J Seekamp, et al. [4]在 2001 年提出討論奈米轉印蝕刻的 顯著方面，並且考慮它在面對成為規格製造技術的挑戰，例如費用和 生產量，並研究物質的問題，例如黏彈體和被壓印物質的機能性。
H.-C. Scheer , H. Schulz[5]在同年 4 月提出使用不同壓印系統與加工 條件，關於施以精確熱壓印轉移圖案的聚合物那些影響黏彈性質。
2003 年 C.M. Sotomayor Torresa,J. Ahopelto, S. Zankovycha, et al.[6]提出一份奈米刻印蝕刻情況報告，就供選擇的奈米製造方法狀 況，說明奈米轉印(Nanoimprint)成功與否取決於壓印，在聚合物上壓 印是新近特別的發展，在其報告中模穴的關鍵尺寸也被詳細討論。粘 金重、賀陳弘、蔡欣昀[12]等人在 2004 年中國機械工程學會第二十 一屆全國學術研討會中提出，藉由ANSYS 軟體進行電容值的有限元 素值計算，以瞭解模擬應用於壓印模具變形偵測之電容感測器可量測
解析之程度。模擬結果不僅顯示在奈米壓印終了時，在各種不同壓印 材料厚度的範圍下，相對應之電容變化量以目前電容量測儀器可解析 分辨，也預見電場分佈影響範圍大於模具上之電極，以及模穴充填比 率對電容值具有顯著之影響；同一研討會中徐澤志、吳重謙、吳志偉 [13]等人利用有限元素法將高分子受壓後斷面變形的形狀，利用橡膠 彈性體模型來模擬，最後，討論壓印後高分子進入模穴的充填率與薄 膜的剩餘厚度，其實驗是採用數種不同的壓印力量、矽模仁模穴的形 狀及高分子薄膜厚度，以了解高分子薄膜的熱壓變形情況，最後比較 模擬結果與實驗值相當吻合，所以本方法可以做為調整製程參數很好 的依據。
在2005 年時 Wen-Bin Young[10]提出在壓印期間，以一個模型來 模擬黏性流體預測有關聚合物的流動特性的發展；對一個恆定的壓印 比率來說，一開始的壓力沒有很大改變，隨著模仁接觸到聚合物，上 升到更高的值，而被高壓影響導致聚合物沿著整個面積流動，波狀的 聚合物流向也跟預測從模擬時的壓印圖案移動相同。同年 Harry D Rowland1 Amy C Sun P Randy Schunk,et al.[11]模擬記錄是以物理原 理構成的基礎下，聚合物從毫米流動到奈米的尺寸比例與幾何驗證和 影響凹洞填充量的熱物理原理過程。
1-3 研究目的
本論文致力於微/奈米結構探討，以上述文獻回顧可佐證此項技 術具有製程簡單、成本低及產量高的優勢，希望能對於滾壓轉印過程 中，模穴內熱塑性高分子材料(聚碳酸酯 Polycarbonate)的情況藉由實 驗方法進行的田口式表格去觀察最佳化參數，希望能進一步觀察並掌 握模穴內其填充量與實驗參數比對成品好壞的情況，以期改善在轉印 成品中尺寸上的誤差與脫模等問題。
熱滾壓式奈米轉印研究主要目的：是聚碳酸酯 (Polycarbonate；
PC)其材料特性在模穴中會因為下列因素:壓力、溫度、時間及進料厚 度、速度等參數沒有掌控好，而有填充不完全的問題，進而在後續轉 印時，尺寸上的誤差與脫模困難等不良問題。如果上述問題解決，可 縮小模仁面積，降低模仁成本，並且可加快生產速度，更符合奈米轉 印量產的目標。
1-4 研究方法
研究方法是針對熱壓成形的製程，先以垂直式熱壓成形方法為概 念基礎，但由於成形時間太長，所以我們以垂直式熱壓成形方法為概 念延伸出滾輪式熱壓成形法，因為熱滾壓式有轉寫快速、並可大面積 的複製、也可以達到連續性。
本研究使用以馬達為動力，在進入模仁製成的滾筒前先行預熱壓 克力，在進入滾筒後，將兩個滾輪加熱至玻璃轉換溫度(Glass transition temperature; Tg)以上(本實驗加熱至 120℃~ 160℃)，進行熱滾筒壓印 式奈米轉印實驗，並且以實際的機台來實驗。
第二章 滾輪式轉印成形簡介
2-1 本研究之緣由
自1998 年美國普林斯頓大學 S. Y. Chou 教授，提出可以製作滾 輪式奈米轉印微影技術的兩種概念，概念ㄧ為將表面塗佈熱塑性高分 子材料(如 PMMA) 貼附在精密模仁上，再以滾壓方式將模仁上的微 結構轉印至熱塑性高分子材料(如 PMMA)上，如此材料便會隨模仁成 形（如 Fig 2-1 所示）；概念二是將表面具有微結構的模仁包覆在有平 滑表面的滾輪，並將其加熱至熱塑性高分子材料(如 PMMA)的玻璃轉 換溫度(Tg)以上後，再使其轉印表面塗佈熱塑性高分子材料之基本上
（如Fig 2-2 所示）。
Fig 2-1 奈米轉印微影技術概念ㄧ
Fig 2-2 奈米轉印微影技術概念二
2-2 奈米轉印成形方法
奈米轉印各類技術中，可歸納為四大主流技術：
一、熱壓成形奈米轉印
（Hot embossing nano-imprint lithography, HE-NIL）：
利用高溫高壓，將模仁上的奈米結構轉印成形，讓成形材料充入 模仁之微小結構內，再降溫、脫模，即完成奈米轉印成形的動作。最 後再將殘留成形材料蝕刻去除，便完成整個奈米壓印微影程序，如Fig 2-3所示。
二、紫外光硬化成形奈米轉印
（UV-curing nano-imprint lithography, UV-NIL）：
係於常溫狀態下，對模仁施以輕微的壓力（＜1 bar），配合 UV 光源照射使奈米結構成形，進行曝光動作，使光阻聚合固化，進行最 後脫模，這種技術的優點是使壓印過程可以在低溫和低壓下進行，如 Fig 2-4 所示。
Fig 2-4 紫外光硬化成形奈米轉印流程圖
三、軟微影技術
（Soft lithography）：
仿照沾墨蓋章的原理，以可撓性模仁進行奈米結構轉印成形，軟 微影技術最大的優點是製程簡單(室溫、低壓)、便宜，且有可撓性可 在非平面的基板上形成轉印圖案，如Fig 2-5所示。
Fig 2-5 軟微影技術流程圖
四、雷射輔助直接轉印技術
（Laser-assisted direct imprint, LADI）:
利用透明的石英當作模仁，將具有奈米圖案之模仁，直接與矽基 材接觸，當以雷射光照射下，雷射光的能量瞬間使得矽基材的表面加 熱融化，再以較大之壓力施予模仁向下壓印矽基材，而將模仁上的圖 案轉印至基材上，所需要的成形時間週期非常短，大約數百個奈秒即 可完成，如Fig 2-6所示。
Fig 2-6 雷射輔助直接轉印技術流程圖
種類 項目
熱壓成形奈米 轉印
（HE-NIL）
紫外光硬化成 形奈米轉印
（UV-NIL）
軟微影技術
（μ-CP）
雷射輔助直接 轉印技術
（LADI）
模版材料 硬性 硬性、透明 軟性 硬性、透明
模版成本 高 高 彽 高
光阻 熱塑性高分子 低黏度高分子 低黏度液體 無
成形機制 高溫、高壓 室溫、紫外光
硬化 分子自行組裝 瞬間高溫、熱
壓
壓印力需求 高 中 低 高
單次壓印面積 大 中 大 小
對位精度要求 中 高 低 高
產出率 高 中 低 低
表2-1 奈米轉印技術特徵之比較表
2-3 奈米轉印微影技術發展的歷史
(1) S. Y. Chou 等人於1995 年，首先利用奈米轉印微影技術於奈米製 造上。
(2) S. Y. Chou 等人於1997 年，成功地以PMMA轉印光阻轉印出6 奈米 的微結構。
(3) S. Y. Chou 等人於1998 年，開發出滾輪式轉印(Roller imprint lithography)技術。
(4) S. Brittain 等人於1998 年，開發出軟性奈米轉印微影技術(Soft nanoimprint)技術。
(5) M. Colburn 等人於1999 年，開發出步進式快閃轉印(Step an d Flash imprintlithography)技術。
(6) Microresist 公司於1999 年，開發出熱壓型之奈米轉印系列光阻，
8000 型的熱塑性多分子聚合物及9000 型的熱固性多分子聚合 物。
(7) B. Heidari 等人於2000 年，將轉印的面積推至6吋晶圓。
(8) T. Haatainen 等人於2000 年利用商用之晶圓覆晶機更改為步進熱 壓奈米轉印機。
(9) L. J. Heyderman 等人於2000 年，以實驗觀察描述熱轉印時，高分 子聚合物之流動行為。
(10) M. Beck 等人於2001 年，將模仁以表面抗沾黏處理，提升轉印 10 奈米圖案之解析度。
(11) Y. Hiral 等人於2001 年，以橡膠彈性理論(Rubber elastic)模擬奈 米轉印時光阻的變形。
(12) M. Otto 等人於2001 年，開發出紫外光固化奈米轉印微影技術 (UV cured nanoimprinting Lithography)。
(13) Y. Igaku 等人於2002 年，以旋轉塗佈玻璃(Spin on glass，SOG) 高分子聚合物為轉印光阻，降低熱轉印時的溫度，而以室溫完成 奈米轉印。
(14) C. Gourgon 等人於2002 年，以電子束微影光阻NEB 22 作為轉 印光阻，可以降低熱轉印時的溫度。
(15) L. J. Guo 等人於2002 年，發展逆向奈米轉印(Reverse nanoimprinting)技術，很容易達到多層堆疊的圖案。
(16) S. Y. Chou 等人於2002 年發展出雷射輔助直接轉印(Laser
assisted directimprint)技術，可以在極短的時間內將奈米圖案成型 於矽晶圓上。
(17) L. J. Guo 等人於2004 年，將奈米轉印技術與光學微影技術結 合，有效地解決大線寬與小線寬共同存在時的壓印問題。
第三章 實驗內容與程序
3-1 微米結構模仁之製程
「所謂超精密加工，建立在質與形之精度兩方面」。現在，一般 尺寸零件的超微細加工的精度在尺寸、形狀精度方面為 0.1μm 以 下，在表面粗糙精度方面則為 0.01μm 下，而且最終理想目標為形狀 精度與質地精度皆為相同數字，首先我們可以將質與形之精度，給予 超精密定義為「追求穩定精密加工，成就可能加工精度上限的加工 法」，也就是說「超精密加工為追求滿足於特別條件才能實現之高精 度加工法」。
以超精密加工技術開發其奈米產品機械加工的重要性近來在各 個領域中極受重視。機械加工須處理各式各樣的材料，從超迷你尺寸 訂單，至奈米等級產品，其包含的範圍相當廣泛，其中，在超精密、
鏡面加工領域中，光、電子、資訊情報與材料等等領域，特別是光源 技術零件中的導光波路及小型．輕薄化高性能非球面鏡片是不可或缺 的，這些生產更加高精度化、高精細化的加工技術，可以預料在今後 急速成長。
而在加工物一再地縮小化的今天，超精密、微細加工可以說是今 後製造業最重要的領域之一。
目前所使用模仁有兩個；一個以鋁合金所做成的，表面上有微米 結構，另一個模仁是以不銹鋼做成的，是光滑表面無結構，兩個表面 上都做了抗沾黏的處理，在金屬筒上鍍一層鎳金屬薄膜預防聚碳酸酯 PC(Polycarbonate)黏附於表面，再以超精密加工的方式，直接加工出 所需之微結構圖案。(模仁如 Fig 3-1 所示)
Fig 3-1 微米結構模具
3-2 熱滾壓式(Rolling Imprint)設備與步驟 3-2.1 熱滾壓式機台
為達到我們研究的目的，本團隊使用工研院所開發之熱滾壓式 奈米轉印機台，來進行熱滾壓式微奈米成型的相關研究，Roll-to-Roll 機台示意圖，如Fig 3-2 所示。
Fig 3-2 Roll-to-roll 機台示意圖
熱滾壓式主體的機構，其有別於一般壓印的作動方式是，一般大 部分的滾輪壓印機與熱壓成型機皆是由垂直施加壓力於基板上，而在 此是利用驅動馬達使齒輪帶動鏈條後驅動滾筒上齒輪(Fig 3-3)，使兩 個滾筒開始作動，表一為機台操作對照表；材料轉印的厚度由兩個滾 輪之間的間隙決定，熱滾壓式機台實體，如Fig 3-4 所示。
Fig 3-3 鏈條驅動圖
Fig 3-4 熱滾壓式機台實體圖
本研究選用的板材為聚碳酸酯PC(Polycarbonate)，此材料有隔音 透光度、高度耐衝擊性、透光率近似玻璃、耐撞強過250 倍，比壓克 力板強 50 倍軔性強、無色透明、光學性、絕緣性、加工性及耐候性 佳等特性。
項目 性能
馬達(rpm) 減速比(1:9) 滾壓線速度
操作上限 1550(rpm) 172(rpm) 20.347(rpm)
操作下限 25.8(rpm) 2.87(rpm) 0.339(rpm)
3-2.2 熱滾壓印步驟
熱滾壓程序主要有以下四步驟：
（3） 機台組裝：起初先使用丙酮來擦拭機台和模仁，預防毛削沾附 在表面上影響到成品好壞，擦拭完後，會使用清水去清洗模仁 表面，因為用丙酮擦拭表面會有水痕產生，所以利用清水洗去，
再使用空壓機把表面的水噴乾，就可以進行機台的組裝，在調 整出滾筒壓印的間距後，完成轉印前準備。(如 Fig 3-5 所示)
Fig 3-5 機台組裝完成圖
（2）預熱：先將準備好的 PC 板材放進烘箱(如 Fig 3-6 所示)裡預熱，
利用加溫控制器(Fig 3-7)將兩個模仁加溫至玻璃轉移溫度上，完 成預熱程序。
Fig 3-6 烘箱圖
總電源
機台電源
Heater控制器
Fig 3-7 模仁加熱控制器
（3）進行滾壓：等模仁表面達到玻璃轉移溫度時，先將控制箱裡總 電源開啟(Fig 3-8)，再開啟控制箱外的電源開啟(Fig 3-9)，在滾 筒壓印(Rolling imprint)機台上，令伺服馬達轉動(馬達 ON)後帶 動鏈條，使有結構面的微/奈米結構模仁開始轉動，依據減速比 換算出 1Hz=1.35rpm 的基準開始調整滾輪轉速換算(Fig 3-10)，
如表 3-2 所示。
總電源
Fig 3-8 總電源圖
總電源
機台電源
Fig 3-9 機台電源圖
轉速控制器
Fig 3-10 轉速控制器
變頻器頻率 滾筒轉速 變頻器頻率 滾筒轉速
1Hz 1.35rpm 35Hz 47.25rpm 5Hz 6.75rpm 40Hz 54rpm 10Hz 13.5rpm 45Hz 60.75rpm 15Hz 20.25rpm 50Hz 67.5rpm
20Hz 27rpm 55Hz 77.25rpm
25Hz 33.75rpm 60Hz 81rpm 30HZ 40.5rpm 鏈輪減速比 2.12
表3-2 轉速換算表
就可以進行熱滾壓的實驗，將材料從上放入模仁進行轉印(Fig 3-11)。
轉速控制器 PC板材輸入處
（4）冷卻：在機台正下方取出成品(Fig 3-12)，放在一旁讓成品冷卻 至常溫，將完成轉印後之 PC 板材以表面粗超度糙儀器與晶圓 檢測光學顯微鏡、SEM 進行表面成型高度觀測及微結構特徵圖 形尺寸量測。
Fig 3-12 成品圖
每一個階段都必須考慮到材料性質、模仁結構及加工條件，眾多 的參數若是沒有適當的調整就會有不良的射出成形品產生。
3-3 實驗量測設備
3-3.1 數位溫度計(Thermometer)
由於滾筒的溫度是由電熱棒產生熱量後傳到至滾筒表面，所以需 要以數位溫度計來量測精確的表面溫度，我們在此使用的數位溫度計 其操作溫度0℃~ 50℃所測量範圍為-200℃~1370℃，(如 Fig 3-13 所 示)。
Fig 3-13 數位溫度計
量測溫度變化範圍 (Range) 準確性 (Accuracy) -200℃~200℃ ±(0.3％reading±1°C)
200℃~400℃ ±(0.5％reading±1°C) 400℃~1370℃ ±(0.3％reading±1°C) -328°F ~-200°F ±(0.5％reading±2°C) -200°F~200°F ±(0.3％reading±2°C) 200°F~400°F ±(0.5％reading±2°C) 400°F~2498°F ±(0.3％reading±2°C)
表3-3 量測溫度精度表
3-3.2 掃描式電子顯微鏡(SEM)
掃描式電子顯微鏡(Scanning electronic microscope，SEM)是利用 電子束衝擊物體表面所釋放的電子，作為成像依據。當電子束衝擊待 測的物體時，產生的二次或背向散射電子，接收後經放大、分析，即 可顯現影像。由於有相當高的景深，所以對物體表面三度空間之結構 的細微觀察，提供真實而方便的判讀。(如 Fig 3-14 所示)
Fig 3-14 掃描式電子顯微鏡
3-3.3 晶圓檢測光學顯微鏡(OM)
光學顯微鏡的儀器裝置簡便，其成像原理是利用可見光照射在試 片表面造成局部散射或反射來形成不同的對比，然而因為可見光的波 長高達4000-7000 埃 1A 10o 10m
⎛ = − ⎞
⎜ ⎟
⎝ ⎠，在解析度 (或謂鑑別率、解像能，
係指兩點能被分辨的最近距離) 的考量上自然是最差的。在一般的操 作下，由於肉眼的鑑別率僅有0.2 mm，當光學顯微鏡的最佳解析度，
只有0.2 um 時，理論上的最高放大倍率只有 1000 X，放大倍率有限，
但視野卻反而是各種成像系統中最大的，這說明了光學顯微鏡的觀 察，事實上仍能提供許多初步的結構資料(如 Fig 3-15 所示)。
Fig 3-15 晶圓檢測光學顯微鏡
儀器 項目
SEM OM
1.照射光束
電子光束波 長:0.006nm~
∞
一般光束波 長:200~750nm
2.介質 真空 大氣
3.透鏡
電磁透鏡(電子質作 用)
光學透鏡(影像放大 作用)
4.解析度
二次電子: 5nm、背 反電子: 10nm
可見光區:200nm、紫 外線區:100nm
5.景深 30um(1000X) ~0.1um
6.放大倍率 10X~180000X 10X~2000X
7.影像 SEI 、 BEI 穿透 、 反射
表3-4 SEM 與 OM 比較表
3-3.4 表面粗糙度分析儀(Surface analyzer)
利用鋼針在物體表面移動,鋼針後面接著壓電晶體當鋼針在物體 表面移動時，壓電晶體就會產生與振動壓力成正比的訊號電壓再利用 放大器將接收的振動量加以放大，表面粗糙度儀如Fig 3-16 所示,可 概分為四部分:1. 探測器、2. 驅動器、3. 放大器、4. 記錄器。
Fig 3-16 表面粗度儀
第四章 實驗設計及資料分析
4-1 初步預備實驗構想
先行預熱聚碳酸酯PC(Polycarbonate)材料，再使用以馬達為動力 調整轉速，進入模仁製程的滾筒前將兩個滾輪加熱至玻璃轉換溫度 (Tg)以上(本實驗加熱至 120℃~160℃)，進行熱滾壓式微奈米轉印實 驗。
4-2 實驗方法
使用實作配合田口式表格來觀察在熱滾壓式轉印的過程中，熱塑 性高分子材料轉印時的溫度與速度對於材料成形的影響進行研究分 析，首先針對以固定溫度改變不同轉速去觀察填充量，分別調整壓 力、滾輪速度、進料厚度、速度以及最主要參數溫度之預熱、加熱溫 度與冷卻方式對模穴填充成形的影響與探討，實驗流程圖如 Fig 4-1 所示。
Fig 4-1 實驗流程圖 轉印機台測試 改善
成型觀察與 缺陷探討 微結構模具
量測
成品拍照 與量測
製程改良
結果分析 進行轉印 設定轉印條件及
測試 模仁製作與包覆
轉印條件評估
是 否
4-3 影響成形關鍵因素 4-3.1 模仁製作與壽命
奈米級模仁的製作，目前大多採用電子束微影技術（E-Beam Lithography；EBL），電子束微影技術主要的優點是無需使用光罩即 可直接產生所需的圖形，而且加工解析度高，最高可達10nm 以下，
但唯一缺點是成本高且加工速度相當慢，並不是適用量產成形技術，
電 子 束 微 影 系 統 雖 然 陸 續 發 展 到 現 在 ， 可 變 形 束 圓 點 （Shaped Beam），甚至到限角度散射投影式電子束微影術（SCALPEL），已 逐漸提昇加工速度的腳步，但面對未來大面積（4吋、6吋或6吋以上）
轉印的加工成本及產能需求仍不敷所需；此外，模仁製作成本如此龐 大，但是否能釋出其相對價值的產量，仍是目前大家積極努力的目 標；以熱壓式奈米轉印來看，模仁在製程中需歷經高溫、高壓及急速 冷卻週期性的惡劣環境，其所造成的模具內應力正是潛藏著影響模仁 壽命的危機；另一個影響模仁壽命的原因是抗沾黏塗層的使用壽命，
事實上模仁與抗沾黏塗層有著密不可分的關係，除非使用特殊的模仁 或高分子材料，若一般矽基（Si-Based；Silica-Based）或金屬模具本 身幾乎皆會與高分子材料產生沾黏情形；抗沾黏塗層在製程中同樣歷 經前述的劣質環境，事實上，抗沾黏塗層會漸漸剝落甚至到最後無抗
4-3.2 平行度與均壓性
於奈米轉印製程中，升溫-轉印-降溫-脫模步驟中，轉印步驟之 動作係將模具上之微結構均勻轉印至塗佈於基板上之成形材料層 上，在此均勻之要求一為整體壓印深度均勻，亦即模具與基板間之平 行度(Parallelism)要佳；以及整體轉印力平均，亦即模仁一側與基板 側之支撐力分佈需均勻(Uniform)。平行度之要求係為避免產生當轉印 面積增大、平行度不良狀況，將導致轉印深度不一以及微結構與基板 不平行；轉印深度不一，於後段製程蝕刻會造成部分光阻層未能被清 除，導致最終成品功能失效；微結構與基板不平行將使得投影於基板 上之微結構形狀與設計不同，易導致成品功能失效，甚至於轉印面積 持續增加，平行度若不能提升，可導致部分區域模板與轉印材料層未 能接觸，無法完成轉印動作，情形更嚴重者，將導致模具與基板產生 碰觸而造成模具或基板的損壞。除模仁與基板間之平行度要求外，轉 印過程之壓印力是否平均分佈於需轉印材料的結構上亦是影響轉印 結果之重要關鍵因素，當轉印力不均勻時，將造成轉印後之特徵結構 與設計需求不同，無法達到設計需求，昔日之熱滾壓成形針對此課題 之解決方案，係將用於承載模具與基板之支撐承板厚度增加，以增加 整體之剛性，減少因轉印所產生之變形量，從而達到均勻施壓目的；
然而，當微結構尺寸到達奈米等級之轉印，其可容許之變形量亦隨之
下降，未達此要求，若以加厚支撐承板之方式增加剛性，亦非長遠解 決之道，同時也會將增加設備控制性及反應性之困難度；如何不過度 減低系統可控制性，甚至能增加系統可控制性之情形下，達到壓印力 均勻要求，是奈米轉印設備另一核心關鍵技術。
4-3.3 溫度控制
對於熱壓型奈米轉印技術（HE-NIL），高分子材料是否能夠完 整充填模仁微結構，除了前述的壓力因素外，溫度是另一個影響高分 子流動性的關鍵因素；高分子材料主要特性之一，在於對溫度之敏感 性相當高，不同溫度下之物理特性如流動性、黏彈性、收縮率等均不 相同；有鑑於此，在進行大面積的轉印時，若溫控系統無法控制高分 子材料的整體均溫性，會造成轉印範圍內的高分子材料有多處表現出 不同的物理特性，此時即使再提供一均勻壓力進行轉印，高分子材料 會因不同的流動性、黏彈性及收縮率而形成轉印結構複製重現性完整 度不一。一般奈米轉印製程中，高分子材料需加熱至玻璃轉移溫度
（Tg）以上始能進行轉印，但到底需加熱到幾度才是適當的製程溫度 呢？高分子材料的成形溫度愈高其流動性相對愈好，此時僅需的較低 的壓力即可將微結構圖案轉印，反之高分子材料的成形溫度愈低則需
因此並不是將高分子材料的成形溫度昇至愈高愈好，必須了解高分子 材料本身的特性選擇適當溫度，但最重要的是需搭配轉印壓力及轉印 時間（持壓時間），於三者之間找出一適當特定高分子材料的製程。
4-3.4 脫模機制
當壓印動作完成時，良好的脫模是確保壓印成品完整的最後一道 關卡，若脫模方法不慎，將造成已完成壓印之微結構遭變形破壞，或 高分子材料黏附於模仁上，而要確保微結構可以完整的脫模，需先追 根究底找出模仁與高分子材料相互之間影響脫模的主要因素；一般造 成模仁與高分子材料之間不易脫模的原因有（1）物理模式：模仁與 高分子材料之間，由於成形收縮或模仁與基板平行度差異過大，造成 微結構之間的機械互鎖（Interlock）行為，以及模仁微結構與高分子 材料之間形成的真空效應；（2）化學模式：模仁與高分子材料之間 化學鍵結造成的高分子沾黏行為，目前已有相當多文獻研究模仁與高 分子材料之間界面量能行為，並以真空電漿鍍膜（Plasma deposition）
或分子自組（Self-assembly）方式，在模仁表面覆蓋一層厚度僅為數 個奈米的抗沾黏（Anti-sticking）單分子層，最後經實驗後的成果也 相當顯著，倒是關於模仁與基板之間的脫模方式（包括模仁與基板的 挾持、脫模力及脫模機構等）則鮮有人提出相關的研究，但這些脫膜
機制，卻正是堅守壓印成品是否完整的最後一道關卡。
第五章 實驗結果與討論
5-1 實驗結果 5-1.1 幾何外形
模仁 V 溝(V-Cut)尺寸 25μm 深、50μm 寬且間距為 50μm，模仁 表面粗度儀圖如 Fig 5-1 所示，然後選用 0.5 ㎜厚之聚碳酸酯 PC(Polycarbonate)板材為微奈米滾壓成型之材料，針對不同成型條件 對微結構包括寬度與深度之轉寫正確性。
微結構以V 溝(V-Cut)槽型式為主，相關幾何參數有節距(pitch，
P)、深度(depth，D)、角度(agle，θ)及間隔(space，S)(Fig 5-2)。
Fig 5-2 微結構幾何外型
Depth
Pitch
Angle Space
Pitch×5
5-1.2 田口法表格
實驗以田口式表格紀錄
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、B
模 (V-cut)
PC
40Hz×
1.35＝
54rpm
160℃ 0.5 ㎜ 110℃ 無異狀 5μm
2.
A 模 (無結 構)、B
模 (V-cut)
PC
35Hz×
1.35＝
47.25r pm
160℃ 0.5 ㎜ 110℃ 無異狀 6μm
3.
A 模 (無結 構)、B
模 (V-cut)
PC
30Hz×
1.35＝
40.75r pm
160℃ 0.5 ㎜ 110℃ 無異狀 9μm
4.
A 模 (無結 構)、B
模 (V-cut)
PC
25Hz×
1.35＝
33.75r pm
160℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
5.
A 模 (無結 構)、B
模 (V-cut)
PC
20Hz×
1.35＝
27rpm
160℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-1 在 160℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm 155℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
155℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
12μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
155℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
13μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
155℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm 155℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-2 在 155℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
50HZ×
1.35=
67.5rp m
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
45HZ×
1.35=
60.75r pm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10μm
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
13μm
6.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
7.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
8.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
15HZ×
1.35=
20.25r pm
150℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-3 在 150℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
50HZ×
1.35=
67.5rp m
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
45HZ×
1.35=
60.75r pm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10.5μ m
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
13.5μ m
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
16μm
6.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
7.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
8.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
15HZ×
1.35=
20.25r pm
145℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-4 在 145℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
50HZ×
1.35=
67.5rp m
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
12μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
45HZ×
1.35=
60.75r pm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
13μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
13μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
16μm
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
16μm
6.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
7.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
8.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
15HZ×
1.35=
20.25r pm
140℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-5 在 140℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
50HZ×
1.35=
67.5rp m
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
45HZ×
1.35=
60.75r pm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8.5μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
12μm
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
17.5μ m
6.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
7.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
8.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
15HZ×
1.35=
20.25r pm
135℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-6 在 135℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
50HZ×
1.35=
67.5rp m
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
7μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
45HZ×
1.35=
60.75r pm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
7.9μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8.5μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9.8μm
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10μm
6.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
無沾黏 但冷卻 後微彎
成形錯 誤，沒 量測
7.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
8.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
15HZ×
1.35=
20.25r pm
130℃ 0.5 ㎜ 110℃
失敗 (沾黏 於模仁
上)
成形錯 誤，沒 量測
表5-7 在 130℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
125℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
7μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
125℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
125℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
4.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
25HZ×
1.35=
33.75r pm
125℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
9μm
5.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
20HZ×
1.35=
27rpm
125℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
10μm
表5-8 在 125℃的環境下，不同的速度做出來的表格
因子 次數
模仁 材料 速度 模仁表 面溫度
材料厚 度
預熱溫
度 結果 填充量
1.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
40HZ×
1.35=
54rpm
120℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
2.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
35HZ×
1.35=
47.25r pm
120℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
3.
A 模 (無結 構)、
B 模 (V-cut)
PC
30HZ×
1.35=
40.5rp m
120℃ 0.5 ㎜ 110℃
無 異 狀
8μm
