[PDF] Top 20 利用晶圓接合與電鍍技術製作高功率氮化鎵族發光二極體
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利用晶圓接合與電鍍技術製作高功率氮化鎵族發光二極體
... GaN 與 Cu/Si 基板的接合實驗，無 ITO 層是為了不使其接合而 觀察 Cu/Si 基板在 500℃/30min 的加壓退火後接觸面的情形。由圖 4-24 觀 察到，電鍍銅有部份凹陷的情況且伴隨著矽走道上的裂痕而延伸，推測為 基板釋放應力的一種方式，即表示雖然在之前「基板製作」部份已解決熱 ... See full document
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利用奈米圖型化基板製作高效率氮化鎵發光二極體
... 在此論文當中，我們提出於氮化鎵與藍寶石基板接面製作二氧化矽 奈米柱陣列，以提高氮化鎵發光二極體發光效率。藉由穿透式電子顯微 ... See full document
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利用晶圓接合增加氮化鎵族發光二極體亮度—金錫薄膜與金錫合金為接合介質的比較
... 要 氮化鎵族發光二極體(InGaN/GaN light-emitting diode)利用矽作為基板 除了具有良好的散熱效果外，並可讓元件做成垂直型的結構、增加發光面 積、使電性和發光效率都有明顯的助益。由於傳統藍寶石基板與矽之間的 ... See full document
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發光二極體中游後製程代工模式利基之研究-以氮化鎵藍寶石晶圓為例
... 由以上兩個才剛發生的案例，我們可清楚得知，LED 這塊市場的變化與挑戰是 非常劇烈與殘酷;於是在 2005 年 02 月國內的第一樁 LED 合併案發生了，元砷光電宣 佈吸收合併聯銓光電，根據雙方董事會決議，將 93 年度盈餘分配案納入考量後，換 股比例為聯銓 1 股換發元砷 1.360 股，合併基準日暫訂為 8 ... See full document
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利用量子效率與時間解析電激螢光研究鎵極性、氮極性與半極性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之載子傳輸行為
... 建議和指導，在待人處事上更教導我們要有積極的態度，讓我在面對事情的時候， 往往能有事半功倍的感覺；再者要感謝國立中山大學物理系杜立偉老師，這次的 論文能夠完成，杜老師的實驗室提供了不少實驗資源與意見。最後，要感謝實驗 室的學長－宗憲，以及研究所同學豐益、奕霖、育蓁、一正、在研究所生活中互 ... See full document
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利用濕蝕刻基板提高氮化鎵發光二極體外部量子效應
... 利用圖樣化的藍寶石基板，我們製作了兩種不同結構的發光二極體，其一利用兩次 基板轉移以及雷射剝離技術，將基板作為一個底部的反射鏡，在這一部份之中，模擬和 量測的結果皆顯示，元件最高可以提高約40％的發光效率，兩者互相吻合。 ... See full document
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氮化銦鎵覆晶發光二極體之製作
... ITO和Ni/Au發光二極體的L-I-V特性曲線也同樣在此做比較討論。從I-V曲線中可以 發現覆晶式ITO、非覆晶式ITO和非覆晶式Ni/Au發光二極體在操作電流為20 mA時 ... See full document
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光電化學製程在氮化鎵發光二極體製作上之應用 范文轅、蕭宏彬
... 本論文中，我們證明利用偏壓輔助光電化學技術能夠提升氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體之光取出效率。偏壓輔助光電化學 ... See full document
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400奈米氮化銦鎵-氮化鎵與氮化銦鎵-氮化鋁鎵多重量子井發光二極體
... 面之2英吋藍寶石基板上。三甲基銦、三甲基鎵、三甲基鋁以及氨氣 作為有機金屬源。圖1(a)為本研究中所使用的氮化銦鎵-氮化鎵多重量子井結構。換句話說，InGaN-AlGaN多 重量子井發光二極體的主動區域是由5對3奈米厚的In ...mA ... See full document
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半極化面{10-11}氮化銦鎵/氮化鎵奈米金字塔發光二極體之製作及特性研究
... 美食團也都仰仗你，謝謝你開心的接受你的外號；感謝攝影大師幼齒，每次出去 都背著很重的傢伙，有的沒的都可以亂說，謝謝你聽了我那麼多抱怨；感謝小朋 友的家齊，總是很準時抵達大家約定的地點，下次會好好保護你的，謝謝你幫我 分擔了很多 PL 的實驗；感謝愛妻小杜，大量買東西都要靠你的車，謝謝你在製 程上幫了我很多的忙；感謝大神阿 po，就算沒搞清楚狀況還是會跟團，不論如 ... See full document
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氮化鎵發光二極體光取出效率提升的研究
... 在這說長不長，說短不短，兩年多的研究所進修生活即將過去， 因為有許多人的幫助與支持鼓勵讓我能順利畢業。首先，最感謝我的 恩師，張翼教授對我的指導與多方面的啟發，讓我的知識增長，視野 更加寬大，於求學期間在課業與生活上諄諄指導、鼓勵及關懷，使學 生受益良多，在此獻上我最誠摯的謝意。這篇論文的完成，也要感謝 口試委員謝宗雍教授和張立教授，在百忙之中抽空當我的口試評審委 ... See full document
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將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(I)
... 生長的地方往側向成長(ELOG)。由於差排無法往側向延伸，所以 ELOG GaN 的品質相當良好。其中，ELO GaN 的差排密度與 SAG GaN 的差排密度可以 差達 10 3 ∼10 4 cm -2 。如此一來我們可以將差排侷限在 SAG GaN 成長範圍，而 獲得品質良好的 ELOG GaN。之後並可以在 ELOG GaN 上成長製作我們想要 ... See full document
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成長與製作高效率氮化鎵系列發光元件
... 並且插入原子層沉積磊晶層之氮化鎵系列發光二極體與一般發光二 極體在操作電流為20mA 相比較下可提升 27% 之外部輸出功率。 我們同時也研究利用缺陷填補法來降低磊晶層缺陷密度。此缺陷 ... See full document
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氮化鎵惠斯頓電橋交流電發光二極體最佳化設計
... Jolin 與大寶、有原則的肉圓、人超 好嘴炮跟製程一樣強的小杒、像小學生的正妹羿蓁、像鄰家小妹的美眉瑋婷、羽 球強暴了的 Just、實驗室管理員 SGG、咖啡王子幼齒和發了 APL 各項能力都很 變態的阿國，有你們才讓我的研究生涯充滿了歡樂，在研究上、修課上，我們一 起打拼、互相討論，失落時彼此鼓勵，開心時共同分享，這些生活中的點點滴滴 ... See full document
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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體
... VTF-LED 製程步驟， 將 p 型氮化鎵利用 Cr，Ag，Ni 等金屬在 350 度左右和矽基板接合，此即為晶圓 接合技術(wafer bonding technique)，接著用雷射剝離技術(laser lift-off technique)將藍寶石基板去除，再用 ICP dry ... See full document
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高功率氮化鎵異質結構場效電晶體之設計與製作
... doping就並非必要。因為 極化效應就可感應出足夠的載子量，同時亦可降低impurity scattering對二維電子 氣電子遷移率的影響。此外，modulation doping會在閘級下方產生電場，導致元 件截止時，閘極穿隧漏電流(gate tunnel leakage ... See full document
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氮化鎵發光二極體之氧化製程研究
... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document
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氮化鎵藍色發光二極體材料與元件技術開發---子計畫一：氮化鎵藍色發光二極體材料與元件技術研發(III)
... Figure 2 represents the temperature dependence of the intensity for the A-excition (free-exciton) and exciton bound to neutral acceptor (Ex-A).. In the case of diffusing.[r] ... See full document
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平坦化製程技術應用於氮化鎵發光二極體之製作 葉建良、蕭宏彬
... LED初期被使用於產生熱能較低的指示燈，如今隨著技術也日漸成熟，逐漸發展出高亮度白光LED與各種不同單色光LED ，普遍應用一般照明。因此LED發光所產生熱能逐漸受到重視，另外購買LED照明設備價格過高是面臨的一大挑戰。因此 如何降低生產成本，使LED更具有競爭力，是我們預期達到的目標。 ... See full document
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