[PDF] Top 20 微共振腔量子光學

... 良好的實驗地點，豐富且精良的實驗儀器。感激老師對於實驗結果的嚴格態度，使我們學到足 夠嚴謹的實驗方法。對老師的感謝，並非三言兩語可以道盡。此外也感激謝文峰老師替我們成 長了如此高品質的氧化鋅，以及李正中老師替我們鍍上了高反射率的上ＤＢＲ。 感激俊榮學長給予的幫助，從我大三做專題開始，就發揮相當大的耐心再教導我。從半導體 ... See full document

... 43 圖 4-17 所示，TE 21,2 的衰減速度較 TE 25,1 的衰減速度小。意即 TE 21,2 的電磁 波在微碟外部能傳遞較遠的距離。造成衰減係數不同的原因主要為微碟外 部的等效位能高度。圖 4-18 為 TE 25,1 與 TE 21,2 的模態能量及等效位能隨徑向 距離的比較圖。兩模態的共振能量差異不大， 故圖中可看到 TE 25,1 的等效 ... See full document

... 射。然而以量子井當發光主動層，會有嚴重的表面複合現象，影響發出雷 射光的臨界強度。此外，以量子井為主動層通常只能觀察到極少數的模態， 主要是因量子井的頻譜增益寬度小於模態的能量間距所導致。近年來，許 多研究開始以量子點作為發光主動層，其優勢在於量子點具有較低的吸收 率，因此對於共振腔的 Q 值影響不大。由於量子點的大小分佈不均勻，可 ... See full document

... 7 質、發光顏色與導電特性等，但有機材料的缺點在於本身的導電性較差， 一般只有極少量的電流可以在一定的電場內被注入，電激發光是靠注入的 電子與電洞再結合發光所致，如果有機材料本身導電性質不佳，在固定電 壓驅動下只會有少量的電流注入，電子與電洞的再結合數目減少，其材料 又有偏向於電子或電洞的注入較容易的不對稱特性時，更易造成載子注入 不平衡而使再結合效率降低 [9] 。而 PLED ... See full document

... 還要感謝當初在我剛進實驗室，就開始帶領我學習儀器和有關研究方面的基本觀 念的小朱學長，雖然我升碩二時，學長就畢業了，但其還會時常關心我的進度，甚 至有問題時，學長還會說明給我聽；也要感謝明華學長帶領我架設量測系統並教導 我如何從零到完整的系統出來，一個多月以來，每天架到凌晨三點的辛勞，令人難 ... See full document

... 首先，透過在量子井上成長氮化鋁，做為混合式布拉格反射鏡氮化鎵微共振 腔結構的電流阻擋層，取代過去只有成長氮化矽在在 p 型氮化鎵上做絕緣層的 方法，以期達到更加的電流侷限效果以及側向的光學侷限。更設計了環型的透明 導電層取代原先的圓型透明導電層，希望能減少共振腔內部的損耗。接著，由於 ... See full document

... 4.2 微共腔效應 微共腔效應（Mircocavity Effect）就是元件內部的光學干涉現象，在 有機發光二極體中無論是上發光或者下發光元件都有共振腔效應的現 象。微共腔效應主要是指不同型態的光子密度因為被重新分配，使得只 ... See full document

... 感謝陽光男孩柏源，希望你的陽光與樂觀能永遠存在；操不怕、不怕操的伯駿， 這麼好的身材不去當兵太可惜了；超極平易進人的卓木，沒想到轉了一圈還是回 到新竹了；專走頹廢風的小麥，很抱歉是學長害了你。懷念當年一起看電影、吃 包子的日子。感謝賢慧的乃方，你的決定我會支持的、有個性的阿伯，真幸運就 看到女主角、超嘴炮的治凱，澎湖名言永難忘懷、有理想的玫君，希望你能順利 ... See full document

... 模擬方面更是一把罩，每次與他的討論總是能獲得建設性的意見。這兩位學長對 我的碩士生研究，真的是不可或缺的貴人啊! 最後還要感謝一起奮鬥的實驗室同仁們，跟我一樣是 GB 系列的阿伯、憨 厚網球一哥信助、吃飯不找不行的板弟，擁有陽光般笑容的 Joseph、超麻吉但腦 子有洞的傻子，超有趣開心果奇葩獸皇，很對 tone 的 Roommate 菲哥、不知長 ... See full document

... 擊等影響面，內容以 300 字為限)： 本計畫研究氮化鎵材料及元件的奈米製程，在學術上已發表相關 75 篇重要國際 SCI 論文， 74 篇國內外會議論文，其中主持人及共同主持人近五年國內外之成就與榮譽如下： 1. (1)國際微光學會獎(MOC Award 2003) (2)傑出人才基金會講座(1998~2003) (3) IEEE Life member (2006) ... See full document

... 會議的第三天，我們便繼續聆聽相關的論文報告，並在下午參觀會場 中心所舉辦的材料分析與成長等相關儀器設備商的展覽。其中像是 AIXTRON 與 VEECO 等 MOCVD 的兩大廠商都有參與展覽。此外例如材 料分析所需的相關儀器，如 AFM，XRD 與 SEM 等，都有許多相關的 展示，亦讓我們得知材料分析儀器的最新發展。再參觀完儀器展示後 第四天的會議，便是我要上台口頭報告的時間，我的演講時間是早上 9:30 ... See full document

... 第二章 光子晶體微共振腔與邊射型雷射的基本原理 2-1 光子晶體概述 光子晶體的概念最早是由美國麻省理工學院Yablonovitch 教授在 1987 年所提出的 [1][2] ，此一概念簡單的來說就是折射率在空間上具有週期性變化 的物質。電磁波在此物質中看到週期性變化的折射率，有如電子在晶體中位 能，亦會形成光能帶結構，無需改變物質的內在化學性質，就可以得到我們 ... See full document

... 3.氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件製作及元件特性量測技術之建立。 4.氮化鎵量子點在光學微共振腔結構中之光電特性分析並比較得到最佳之元件結構。 在相關研究人員包括所有計畫共同主持人、博士後研究員、博碩士生在這一年的努 Fig. 5 (a) The emission images of GaN-based ... See full document

... 讓我在碩士班的這段期間學到了很多東西，讓原本不懂半導體的我對半導體雷射 有了一定的了解，並親自將元件製作出來。 在研究過程中，我特別感謝旭傑學長與柏存學長，兩位學長常在我研究碰到 瓶頸時給了我最適當的意見，有了學長的建議我才能順利完成這篇論文。我也要 感謝教了我各式各樣機台的師叔、小豪和 KB 等人，讓我學習到很多製程方面的 ... See full document

... 反應式離子蝕刻亦屬於乾式蝕刻，是一種同時包含物理性與化學性蝕 刻優點的方法。對低壓狀態下的容器內氣體施以電壓，將氣體分子激 發或解離成電漿，接著電漿將與蝕刻氣體碰撞放電，進而得到具有大 量腐蝕性的活性自由基離子及帶正電荷離子。離子轟擊最大的好處是 能打斷表面化學鍵，使得被蝕刻物表面分子更容易與自由基離子進行 化學腐蝕反應。又因晶圓置於帶負電的陰極上，因此帶正電荷的離子 ... See full document

... 折射、光波導、吸收、再發射等的各種光學效應會產生， 進而影響到元件裡耦合出來到大氣的光強度以及頻譜，這 些效果一般稱之為微共振腔效應 (micro-cavity effect) [7, 8] 。上發光元件與下發光和全透式元件最大的不同處是上 ... See full document

... 並且改變 Bragg mirrors 的距離，以便觀察(1).在此微型共振腔中， Purcell effect 究竟如何影響電流，研究是否能用測量電性的方法去檢驗 Purcell effect。(2).利用 測量電性的方法去檢驗超輻射現象。(3).利用測量電性的方法去檢驗量子糾纏態 的建立及隨著空腔尺寸的變化情形。近年來由於長晶技術的發展，製造低維度的 ... See full document

... 份購置的 Hitachi 掃描電子顯微鏡系統，目前系統已相當完備，間距與線寬可控 制於 75nm±10nm ，對於初學者能以簡單型的 filament-type SEM 完成如此微小與 精準元件設計，真是如釋重負。 本子計畫乃研究奈米結構的抽運傳輸機制，因此在高 mobility 的二維電子系統 製作微結構的量子元件為首要任務；我們延伸 Marcus 小組的設計，也想藉由量 ... See full document