[PDF] Top 20 氮化鎵光致氧化膜MOS元件之研究

... 研究方法：以深紫外光技術，增益氮化鎵之光電化學氧化還原反應，於室溫 下氧化出 Ga 2 O 3 /GaN 結構。利用高溫氣氛還原，降低晶格缺陷並形成穩定態之 β-Ga 2 O 3 。以表面分析(SEM、EDX、XRD、XPS、Auger)技術，研究製程條件對 ... See full document

... 用折射率不同的兩種半導體化合物，以磊晶形成，也就是，然而磊晶 時最重要是材料的晶格常數必須相近才有可能成長，晶格常數差異大 便會使得磊晶時產生裂痕(Crack)導致失敗，再者為兩種高、低折射 率的差異值越大越好，才能以較少的層數達到高反射率的結果。藍光 的垂直共振腔面射型雷射，到目前為止卻還沒有一個研究團隊有發表 ... See full document

... 摘 要 本論文旨在於探討氮化鎵族奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四 個部分，第一部份為研究氮化鎵銦表面奈米粗化發光二極體之光輸出特性，其包含了元件的製作、 ... See full document

... 摘要 在我的論文裡，將我的研究分成兩個部份:第一個部份是利用熱退火處理來改善a平 面的氮化鎵之材料品質，而第二部份是藉由插入a平面的氮化鎵來成長非極性的氧化 鋅。改善成長於r平面藍寶石基板上的a平面氮化鎵是在氮氣的環境上利用熱退火於已長 ... See full document

... 本論文主要在於開發製作氮化鎵奈米結構並應用奈米結構於氮化鎵發光二極體元 件上，同時研究奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四個部 分，第一部份為開發一個新穎性的奈米結構製作技術，用以製作氮化鎵奈米柱結構。利 ... See full document

... 為氮化鎵盤狀物的樣品A透過高倍率光學顯微鏡所成 之影像，從圖發現樣品表面散佈著一顆顆圓形的盤狀物。為了更確定 樣品表面形貌，我們利用本實驗室之原子力顯微鏡（AFM）進行表面 形貌的掃描。圖 4-1-2 是AFM大範圍掃描（55μm X 55μm）的二維影 像，圖中不論何處皆充斥一顆顆白色的小圓點，相較於學長論文 [14-15] ... See full document

... 中文摘要 本論文為研究氮化鎵表面超拋光之製成與其表面粗糙度之變化，其目 標在於製作一個可供再成長用之氮化鎵基板。再使用雷射剝離系統製作獨 立式氮化鎵基板後，利用機械研磨使其表面平坦化，讓表面粗糙度將至2nm ... See full document

... 為 4.7μm 的氮化鎵微型圓盤紫外波段光雷射。經過光性量測系統的量測，得到具低 截止功率密度為 0.03kW/cm 2 的雷射。藉由有限差分時域分析模擬我們去研究迴音壁 模態的共振模態。關於在四方晶格的光子晶體雷射，我們觀察到一強雷射訊號從氮 化鎵光子晶體結構而且此訊號是落在布拉格反射鏡結構的高反射波段區內。藉由三 ... See full document

... 這些年來跟著實驗室一起成長，感謝實驗室學長姐和學弟妹的幫忙與討論，也感謝 郭浩中老師的指導，提升了我的研究的廣度;盧廷昌學長在成果發表的幫助，不厭其煩 的幫我修改論文，特此感謝。研究過程中，要感謝佳鋒學長的提攜與機台的教導，讓我 能夠順利進入氮化鎵長晶的研究領域;哲偉能夠在微共振腔元件草創時期勇敢扛下製成 ... See full document

... 1 第一章 緒論 1-1：氮化鎵材料特性簡介 半導體發光材料已有三十多年歷史，紅光、黃光等發光二極體 (Light Emitting Diode: LED)均有高亮度商業產品。而在近十年來各研究團體積極發展 高亮度藍光及綠光發光二極體[1][2][3]，而在眾多的半導體材料中，三族氮化 ... See full document

... 佈 光 阻 /基板上製作各種圖 案化結構，再於其上蒸鍍金屬，製作圖案化反射結構。將氮化鎵發光二極體晶粒 與之結合，進行發光二極體光電特性量測。圖案化背光結構改可改變發光二極體 晶粒之光場強度分佈，並提高輸出光強度與最大光功率操作電流。本論文同時探 ... See full document

... 國立交通大學光電工程研究所 摘要 過去幾十年來，由於氮化鎵材料具有直接能隙與强鍵結力等優點，因此吸引許 多學界與業界的目光並且廣泛的製作成各種光電元件，如發光二極體、雷射二極體 與光偵測器等，並且應用於日常生活中的照明、光儲存、平面顯示及生物科技中。 ... See full document

... 一、 中文摘要 本計畫為整合型總計畫氮化鎵族光電 材料與元件之研發之子計畫一：氮化物藍 光波段元件結構磊晶研究。本計畫於本年 度執行之主要目的在於 GaN 族光電元件結 構之研究與磊晶成長。在此計畫中我們成 功的利用化學氣相磊晶法完成 p ... See full document

... Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國九十四年六月 研 究 生：薛道鴻 指導教授：王興宗 博士 郭浩中 博士 Mr. Tao-Hung Hsueh Dr[r] ... See full document

... 首先，透過在量子井上成長氮化鋁，做為混合式布拉格反射鏡氮化鎵微共振 腔結構的電流阻擋層，取代過去只有成長氮化矽在在 p 型氮化鎵上做絕緣層的 方法，以期達到更加的電流侷限效果以及側向的光學侷限。更設計了環型的透明 導電層取代原先的圓型透明導電層，希望能減少共振腔內部的損耗。接著，由於 ... See full document

... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document

... 0.32m 光譜儀作 為顯微光譜量測(μ-PL)之用。同時上方有一個高解析度的數位攝影 機，可以取得樣品發出的顯微光激螢光影像。為了避免樣品散射的雷 射光經由光纖進入光電倍增管，因此在光纖之前置放一氦鎘雷射濾 片。由共焦顯微鏡影像及顯微光譜量測我們可以得到樣品發出光激螢 ... See full document

... 3.4 晶圓接合技術 目前晶圓接合（Wafer Bonding）的技術發展主要應用於垂直型發光 二極體。其中金屬接合是指透過在兩晶圓表面附上較低熔點的金屬材 料，藉由外加的溫度使接合介面的金屬熔融，黏著形成一體，並外加 壓力以達到所需之接合強度， 【圖 3-11】為晶片壓合的示意圖。目前國 內外已有許多研究報告指出晶圓接合對於 LED 亮度提升及散熱改善會 ... See full document

... 感謝伩哲、林萱、阿賢、大雄等博班學長姐不管是在碩班生活中的照 顧、指導跟建議。特別感謝伩哲學長實驗及學業上陪伴，在即使也在拼畢 業之際還播出大量時間指導及修改我的論文，這段時間真是辛苦你了。 感謝和我一同畢業有著革命情感的峰菖、健家、國榮，感謝我們總是 可以相互幫助、鼓勵、打屁，一起度過的每個緊張不安的星期四夜晚及最 後這段拼畢業的日子。感謝詵涵、韋辰、若榕、翊瑩、柏維等學弟妹在日 ... See full document

... 至會造成剝離失敗，所以在進行雷射剝離前先用有機溶液做清潔是必要 的。整個清潔過程為，將氮化鎵厚膜(含基板)先後置入丙酮(Acetone)、 異丙醇(IPA)、去離子水(DI Water)中，並用超音波震盪器各震盪五分鐘 進行前置清潔動作，最後用氮氣槍吹乾。接著將清潔乾淨的晶片以背面朝 上的方向放入鐵製的 substrate holder，如圖 3.11 所示，並將 holder 置 ... See full document