[PDF] Top 20 銀含量對錫球推力實驗之研究

... 第二章 實驗工作 2-1 實驗構想 錫鉛金屬凸塊（Solder Bumping）製程為覆晶封裝（Flip Chip）製程前的 重要步驟，而在世界環保意識的高漲下，使得過去常使用於電子工業的錫鉛銲錫 合金必須以無鉛系合金取代，而在眾多的無鉛系合金中又以 Sn-Ag-Cu 系列合金 ... See full document

... 國 立 交 通 大 學 工學院半導體材料與製程設備學程 碩 士 論 文 錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究 Effect of UBM structure on Electromigration and thermomigration behavior in flip chip SnAg solder ... See full document

... 29 第四章、實驗結果與討論 一般在銲錫接點通電可靠度測試中，所觀察到主要微結構改變通常出現在電子 流方向向下的銲錫凸塊破壞最先，最主要發生在電子流向下的銲錫凸塊，破壞會 出現在電子流聚集處，即鋁導線與銲錫凸塊接觸的界面，破壞模式為界面上產生 孔洞，孔洞隨著通電成長至整個界面使得迴路失效，或是銲錫凸塊上方金屬墊層 ... See full document

... 2、研究目的 本計畫所欲探討的系統為銀-錫-銅-金無鉛銲 料與錫-銅/金與銀-錫-銅/金等系統間界面反應與 相平衡的研究。因為銅的成本遠較其他無鉛銲料 添加物低廉且錫流中尚不易發生氧化，浮渣也不 多[4]，所以錫-銅無鉛銲料經常應用於高溫製程之 中。金有良好的抗蝕性、不易氧化、低電阻、高 ... See full document

... 機制之 之 之 之發展 發展 發展 發展 傳統推球試驗推球速度均在1 釐米/秒以下，導致應變率過低，而使破裂模式 絕大部分為錫球接點本身延性（ductile）斷裂，因此無法重現銲墊界面處，IMC脆 性破裂之破裂模式，以反映動態可靠度測試的實際情況。就直觀而言，因為推球 ... See full document

... 文與參加國際會議時給予的指導與協助，在此致上十二萬分的謝意。 實驗室裡我要感謝佩君與周經理在 FIB 的協助，沒有你們的幫助論文不會如 此順利。感謝蔡小姐這幾年來讓我蹂躪 AFM，感謝邵棟樑同學提供的試片與幫 忙，還有感謝子瑜在我訪美期間的協助與 fraternity house 的震撼教育讓我成 ... See full document

... 種型態其一為 Pancake-void ; 另一種型態為銅金屬墊層消耗溶解。然 而形成這兩種破壞型態的主因,過去的文獻並沒有明確的定義這個部 份。 在本文研究中，將利用凱文結構作為覆晶銲錫凸塊電性的量測， ... See full document

... 第4章 結果與討論 4-1 試片微結構與溫度量測 圖4-1為試片製作完成之SEM圖，在錫銀銅銲錫薄膜的四個角落可以發現在迴 銲過程中銲錫與銅箔無法完全的潤濕(wetting)，且銲錫薄膜在拋光完後在薄膜 邊緣的厚度會較薄，所以我們在利用FIB來製作不同長度的短的銲錫條時不會從 ... See full document

... 小時的剪力強度卻式呈現略微增加的趨勢，目前筆者並未在其他文獻中找 到與此現象有相關的解釋；另外觀察圖3-2到圖3-3為經過固態時效200到 1000小時的試片剖面圖，可發現三種試片在經過1000小時的固態時效後， UBM鎳層還是非常完整的存在，所以推論銅要穿過鎳層固溶入銲錫內部的 強化機製造成強力強度上升的機率很低；目前本文只能合理假設是極少量 ... See full document

... 24 3-2 凱文結構方式佈局 本實驗之試片迴路設計為使用凱文結構方式佈局，其結構之俯視圖及橫截面示 意圖，如圖 3-2 所示；3D 剖面圖如圖 3-3 所示。本研究中將利用此結構精確地量 測銲錫受電遷移影響之電阻變化。結構中主要涵蓋四顆銲錫凸塊，此四顆銲錫凸 塊之晶片端係由一條長 3150μm ... See full document

... 些電子和電洞再結合前，會對元件中的電容造成電荷累積現象使元件產生“Soft Error”而失效。 近年來無鉛銲錫的研發已經成為電子工業相當重要的一環，無鉛銲料的要求對 各項產業帶來非常大的衝擊，因此發展國家非常重視無鉛銲料的研究，紛紛訂定 各自的發展計畫，期望可以找到適當的無鉛銲料，把衝擊減到最低。因此選用之 ... See full document

... 因此電子工業發達國家均非常重視無鉛銲料的研究，紛紛訂定各自的 發展計畫，期望可以找到適當的無鉛銲料，把衝擊減到最低。選用之 無鉛銲錫須具備含鉛銲錫的優點而又不具毒性；故近年來無鉛銲錫開 發已成為微電子工業相當重要的一項研發工作，台灣身為全世界主要 之半導體元件製造及封裝重鎮，更必須積極因應以維持優勢。在製程 ... See full document

... 也常常與我討論和分享對時事以及人生的看法，並且引導我對未來出路的想法， 真的很謝謝你的耐心與教導。同時也感謝筱芸學姊跟宗寬學長在實驗上提供許多 的建議跟參考資料，讓我得以完成我的碩士論文;以撒跟韋嵐，你們的加入不只 帶來許多新的想法跟技術，也讓實驗室充滿了歡樂的氣氛;還有時常拉我一起看 ... See full document

... v 順利的進行。 接下來更不能忘掉這一路下來一起打拼的好夥伴們：感謝高人一等的 翔耀學長，領我進門，總是不厭其煩的聽我問各種的鳥問題，賽恩斯的你 真的很帥，在新加坡也要幸福喔；特別要感謝的是阿丸，請容許我叫你一 聲丸神，打從我第一次聽你報 paper 我就開始全身起雞皮疙瘩，你思考的邏 輯、嘴砲的口條、有效率的做事方式都是我努力的目標，感謝您拼命的熬 夜幫我趕出模擬的 data，並教會我嘴砲的真諦，我永遠都會記得，一踏進 ... See full document

... （ 即催收、逾期、或呆账） 的可能性较高。 【关键词】 审计报告 授信失败 信息内涵 一、引言 自从安然 （ Enron） 与世界通讯 （ WorldCom） 的丑闻爆发以来，注册会计师界受到相当大的质疑与挑战。注册会计师 的功能如何提升与如何得到肯定是个广受重视的议题。审计报告是注册会计师执行审计程序后的最终产品，目的在于表达 注册会计师对财务报告是否公允表达的专业意见，因此审计报告对财务报告使用人 （ 如投资人或债权人等） ... See full document

... 謝謝諸位口試委員抽空遠從各地前來參與學生的口試，並提供學生寶貴的建議與 指正，使本論文能更臻於完善。 接著必須感謝實驗室的各位夥伴，認識你們讓我的兩年研究生活添色了不少。 感謝欣蓉學姊帶領當時剛進實驗室的我熟悉環境與各種機台；感謝昱廷學長傳授 ... See full document

... 45分鐘、2小時。然後觀察橫截面的形貌，利用軟體ImageJ分別量測試片接 點的銲錫平均厚度。經過觀察結果，決定選擇在260 o C分別回銲 0分鐘、30 分鐘、45分鐘、2小時的試片作為通電測試試片。 本研究採用 Semi in-situ 的觀測方式，主要是為了確定試片初始結構和 預期一致，以利觀測並比較通電測試後微結構變化。Semi in-situ 的優點在 ... See full document

... 本研究之目的為探討銀杏葉萃取物標準製劑(EGb761:含 22-27%銀杏黃酮配醣體 與 5-7%類苫烯)，對肝癌細胞之影響。體外實驗部份，添加不同劑量(0-1000 mg/mL)之 EGb761 於人類肝癌細胞株(HepG2 與 Hep3B2.1-7)培養液中，培養 24~48 小時後分析 HepG2 與 ... See full document

... V 誌謝 首先，我要感謝陳智老師，對我論文的完成付出相當大的心力指 導。而不只在課業上，陳智老師在生活上跟人生觀念對我的影響也相 當的大，在我心情低落，或對未來感到徬徨時，陳智老師總能給我一 個很好的建議，讓我可以繼續往前，持續努力取得碩士學位。我也相 當感謝另一位指導老師許鉦宗老師，在他的指導下讓我對半導體的製 ... See full document

... 就學期間從老師身上學到嚴謹的研究態度與對真理的追求的精神。更要感謝杜經寧院士 對於研究方向的啟發與研究方法的指導及建議。讓我對電遷移研究有更深入的瞭解與體 認。並感謝饒達仁老師在溫度量測實驗的指導與協助。使得實驗數據更為完整並對實驗 ... See full document