一、產業簡介
（ㄧ）產業現況簡介
根據美國市場調查公司International Data Corp.所進行的 1998 年全球 DRAM 市場趨勢調查，韓國三大半導體製造財閥－三星、現代以及LG－已經佔有世界 DRAM 的 41%的市場。根據這項調查，排名第一的三星佔有 20.1%的市場佔有率，
全年的銷售額達到2.81 十億美金，而排名第二的現代則佔有 12.4%的全球市場，
全年的銷售額達到1.74 十億美金，世界排名第五的 LG 的全球市場佔有率亦達 到8.4%，雖然面臨組織的重整，全年的銷售額亦達到 1.18 十億美金。在短短的 不到四十年的時間，韓國的半導體產業從最簡單的代工組裝，進步到成為世界 的領導者（Business Korea, April, 1999）。
值得注意的是，韓國在發展半導體產業的時候，集中力量在於記憶體的部 份，而且是集中在製造的部份，大多數的原料與設備都是進口的。如此集中的發 展，勢必要依賴韓國以外的市場，才能夠得到規模經濟的發展與製造的量。
韓國半導體發展的歷程，是一個「做中學」（learning-by-doing）的過程，其 中以現代最為明顯。當現代在1985 年幾乎完成了建廠工作的時候，公司並沒有 擁有必要的研發設備，更沒有足夠的合格的工程師，在初期的嘗試錯誤（trial and error）之後，現代轉向代工生產，希望以代工的方式累積相關的經驗。在經 營的初期，現代代工生產佔了其生產量的80%，而到了 1988 年就下降到了 50%。透過這樣的「做中學」加上從海外公司取得的相關技術能力，韓國財閥得以 累積記憶體生產的相關知識。
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（二）產業的發展過程
8韓國在半導體產業的發展是一種線性的過程，從基本的以低工資為基礎的 組裝生產逐漸的朝向更細緻的技術發展這個發展過程大致上可以區分成三個做 法各異的階段
1. 以純粹的出口作為產業的開端，這個階段從1966 到 1975 年。
2. 過渡期，從1975 年到 1980 年。
3. 1980 年之後，產業起飛。
第一個階段是以以海外直投（FDI）以及政府的介入，達到以純粹的出口作 為產業的開端，在這個階段有幾個特點：
1. 以低工資替海外廠商代工組裝。
2. 幾乎所有產品都外銷
3. 允許海外廠商擁有百分之百的股權。（與法令衝突，但給予半導體產業 例外，因為政府無力量進行協商，而民間部門也沒有相關技術的能 力）
4. 政府主導產業的初始發展（MCI，Ministry of Commerce and Industry 說 服Fairchild 到韓國投資）
在1966 年，韓國開始發展半導體產業，當時 Ministry of Commerce and Industry 認為美國的 Fairchild 擁有相關的技術，因此說服 Fairchild 到韓國投資，
由於Fairchild 要求擁有在韓國公司的百分之百股權，並且擁有在當地銷售的權 利，這個要求與韓國的法令是相衝突的，因為「海外資本輸入法」（Law of Foreign Capital）不允許海外工資擁有百分之百的股權，但若是以現實的考量，
允許Fairchild 例外是比較容易的做法。
在這個階段，半導體的生產作業僅僅是完全的組裝生產，所有的零組件以 及機器設備都是從海外的母公司進口，在韓國組裝之後再輸出。這種的組裝生產
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僅要對無經驗員工加以六個月的訓練，因此對於韓國的設計與工程的能力的移 轉非常的少。
雖然說最初韓國政府主導了半導體業的發展，但是主要原因是在於1970 年 代推動的HCI 計畫，這個計畫將電子產業列為發展的重點，而電子產業對於半 導體的技術的需求又非常強烈，因此，在半導體產業的發展的初期，政府所扮 演的角色，並非是直接支持產業的發展，而是透過電子產業來發展半導體產業。
但是在當時因為難以取得技術，以及較短的產品生命週期伴隨著的龐大風險，
使得實際的投資遠較計畫來的低。
韓國半導體產業發展的第二個階段，從1975 年到 1980 年，在這個階段韓 國半導體產業進入一個策略轉變的過渡期，從純粹代工組裝生產轉而向擁有自 有的能力發展。在此階段的初期，韓國廠商依然尚未擁有技術的能力，而且在這 段時間之中，韓國半導體業成功的進行技術進步的廠商只有一些電子產品的製 造商，主要都是消費性電子產品的製造商。雖然在1970 年代中期之前，這些電 子產品還是國外公司所支配的，但在這段期間，韓國的消費電子產品公司穩固 的建立了其能力。這些廠商逐漸的將技術升級，提高產品中自行製造的比例，並 且往更先進產品移動，而透過了一些授權與合資的方式，韓國廠商逐漸達到其 目標，同時也漸漸進入了收音機、電視機以及電子計算機的國際市場。
由於在1970 年代，韓國許多產品的關鍵零組件主要來自日本，而這些日本 的半導體製造商都整合了製造電子產品的公司，這些公司主要以生產消費性電 子產品為主。當韓國公司專注於較低層次的產品，以低工資作為競爭的武器的時 候，關鍵零組件從日本半導體廠商購得並不是問題，但是當韓國廠商開始往更 高技術層次的產品移動的時候，日本廠商就成為其潛在的競爭對手。
這樣的問題同時受到政府與民間部門的關切，對於韓國政府來說，半導體 產業是其計畫發展的重要產業，因為電子產業是HCI 計畫的重點產業，而半導 體的相關技術就會直接影響電子產業，因此韓國政府就宣佈了一連串的產業促
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進政策。以發展半導體產業。
對於私部門而言，以電子廠商的角度來看，進入半導體產業是長期的策略，
因此在1970 年代中期之後，這些廠商開始從原先單純的組裝作業，轉向晶圓的 製造。
在1980 年代中期，韓國幾個主要的財閥，積極的投資發展半導體業務，使 得韓國半導體業得以起飛，因此在這個階段的技術進步都是財閥所主導的，主 要的原因是幾個生產消費性電子產品的財閥，所賴以生存的低工資的競爭優勢 已經日益降低，這些財閥於是積極的發展半導體，同時在1970 年代的 HCI 計畫 之下，這些財閥持續的擴張，為了多角化經營以持續財閥的成長，因此即使有 的財閥並未經營消費性電子產品，依然跨入了半導體的領域經營。這些財閥都認 為如果缺乏半導體的技術，想要進入通訊、航太、電腦這些產業或是想要在汽車、
機械產業進一步發展是非常困難的。
這些財閥專注在DRAM 的生產，就如同十年前成功的日本一樣。從 1984 年 與1985 年間，幾個主要的財閥開始進行 64K DRAM 的生產，此時韓國的技術 仍落後世界其他競爭者許多，但在持續的努力之下，這個差距漸漸的縮小了。
但是在韓國企業得以順利生產256K DRAM 之後，日本企業即降低其售價 到韓國企業的成本，使得韓國所生產的256K DRAM 銷售受阻。但是當美國設下 日本半導體輸入限額之後，日本企業紛紛轉向銷售1M DRAM，這使得韓國企 業生產的64K DRAM 以及 256K DRAM 得以進入美國的市場，並且因為供需的 不協調，導致售價高漲，這個現象維持了許多年，也使得韓國半導體業者的地 位益加穩固。
在1991 年，三星成為世界第一大的 1M DRAM 製造商，到了 1992 年，更 成為世界所有記憶體的最大製造商，且追平了與世界上其他競爭對手的差距，
到1993 年，更超越競爭對手成為記憶體的領導廠商。
韓國半導體產業與競爭對手的差距如下表：
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表4-2-1 韓國半導體產業與競爭對手技術差距表
64K 256K 1M 4M 16M 64M 256M 完成發展
(Development)
世界 1979 1982 1985 1987 末 1990 初 1992 末 1995 中 韓國 1983 1984 1986 1988 初 1990 中 1992 末 1994 初 差距 4 年 2 年 1 年 6 個月 3 個月 0 — 大量生產
(Mass Production)
世界 1980 初 1984 末 1986 末 1989 末 1991 末
韓國 1984 初 1986 初 1987 末 1989 末 1991 末 1994 末 1999 初 差距 3 年 1 年半 1 年 0 0 － －
差距「0」代表無差距，而「－」代表超前競爭對手 資料來源：本研究整理
二、廠商簡介
9本小節選取三星、LG 與現代公司作為企業之個案，其原因是三星、LG 與現 代公司是全球記憶體第一、第二與第五大廠商，因此選取這三個財閥作為企業個 案。
（ㄧ）三星
64K DRAM
在1974 年由 Ki-Dong Kang 博士在韓國成立了「韓國半導體公司」（Korea Semiconductor Co.），是韓國從事半導體設計與生產的第一家公司，之後在一 次財務危機中被三星購併，三星就從該公司取得相關的內隱知識。Kang 博士將 高度的內隱知識轉移給三星的工程師，使得三星的工程師可以得到相當的初始 的設計與生產的經驗，讓他們得以積極進入在往後製造家電產品所需的各式電 晶體以及積體電路。
三星在尋求64K DRAM 授權的時候，被美日的領導大廠拒絕，基於過去八 年的生產電晶體與積體電路的經驗，三星在1982 年組成了一個任務團隊以研擬 進入超大型積體電路的策略，因為製造64K DRAM 所需要的技術和三星所擁有
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的技術層級有很大的差距，三星必須從5 微米製程提升到 2.5 微米製程，從 3 寸 晶圓提升到5 寸晶圓，從 1K/16K LSI 進步到 64K VLSI。這個團隊花費了六個月 的時間收集資訊，進行市場以及技術的分析，建立了相當的知識存量。接著他們 用了一個月的時間，在美國與半導體產業界裡的科學家與工程師集會討論，進 行市場的分析並找出潛在的技術提供者。三星並且找到了外國的陷入危機的公司，
從這些公司取得了跟超大型積體電路（VLSI）有關的知識，並將這些知識移轉 回到韓國的母公司，同時三星把其工程師派到這些技術來源公司加以訓練，以 此作為取得知識的方式之一。此時，三星從美國的Micron Technology 取得了 64K DRAM 設計的授權，不但縮短了學習的時間，同時對於有關於 VLSI 的外 顯與內隱知識的累積有很大的幫助。雖然三星可以從國外取得相關知識，但是擁
從這些公司取得了跟超大型積體電路（VLSI）有關的知識，並將這些知識移轉 回到韓國的母公司，同時三星把其工程師派到這些技術來源公司加以訓練，以 此作為取得知識的方式之一。此時，三星從美國的Micron Technology 取得了 64K DRAM 設計的授權，不但縮短了學習的時間，同時對於有關於 VLSI 的外 顯與內隱知識的累積有很大的幫助。雖然三星可以從國外取得相關知識，但是擁