台灣電力公司 108 年度新進僱用人員甄試試題

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電子學 第 1 頁,共 6 頁

台灣電力公司 108 年度新進僱用人員甄試試題

科 目:專業科目 A( 電 子 學 ) 考試時間:第 2 節,60 分鐘

注 意 事 項

1.本試題共 6 頁(A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。

2.本科目禁止使用電子計算器。

3. 本試題為單選題共 50 題,每題 2 分,共 100 分,須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,於本 試題或其他紙張作答者不予計分。

4. 請就各題選項中選出最適當者為答案,各題答對得該題所配分數,答錯或畫記多於一 個選項者倒扣該題所配分數3 分之 1,倒扣至本科之實得分數為零為止,未作答者不給 分亦不扣分。

5.本試題採雙面印刷,請注意正、背面試題。

6.考試結束前離場者,試題須隨答案卡繳回,俟本節考試結束後,始得至原試場或適當 處所索取。

[C] 1. 若有一訊號其i t 4 2sin10t ,其平均值、有效值分別為何?

(A) 0、√2 (B) 4、√2 (C) 4、√18 (D) 4、√20 [B] 2. 帶電量1.6 10-19庫倫的電子,通過1伏特的電位差,所需的能量為何?

(A) 1.6 10-19電子伏特(eV) (B) 1.6 10-19焦耳

(C) 1焦耳 (D) 1瓦特

[A] 3. 若盤面中的保險絲燒毀,下列何種處置最為正確?

(A)查明並排除燒毀原因 (B)不立即復歸,過10分鐘後再通電 (C)更換較大電流之保險絲 (D)更換耐大電流電線

[C] 4. 現場作業時,欲確認盤面(電路板)上某一點是否帶電,可使用三用電錶進行確認,請問此時 三用電錶最合適選用的檔位為何?

(A)電流檔 (B)歐姆檔 (C)電壓檔 (D)二極體檔 [D] 5. 矽、鍺半導體材料的導電性,隨溫度上升將產生何種變化?

(A)成為絕緣體 (B)減少 (C)不變 (D)增加

[A] 6. 在矽半導體材料中,摻入三價的雜質,請問將形成P型或N型半導體?半導體內部的多數載子 為何?此塊半導體的電性為何?

(A) P型半導體、電洞、電中性 (B) P型半導體、電洞、正電 (C) N型半導體、電子、電中性 (D) N型半導體、電子、負電 [D] 7. 一般發光二極體,最主要的發光機制為何?

(A)雪崩崩潰所誘發的發光現象 (B)基板效應所產生的發光現象

(C)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象 (D)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象

[A] 8. 在未加壓情況下,PN接面的空乏區內,主要含有下列何者?

(A)正離子與負離子 (B)電子與電洞 (C)電子 (D)電洞

[A] 9. 若PN接面的空乏區兩側,P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同,濃度較高者,該 側空乏區寬度將如何變化?

(A)較窄 (B)相同於另一側 (C)較寬 (D)無法比較

[D] 10. 一般雙極接面電晶體(BJT)其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何?

(A) B > C > E (B) B > E > C (C) E > C > B (D) E > B > C

【請翻頁繼續作答】

(2)

電子學 第 2 頁,共 6 頁 [B] 11. 如右圖所示之電路,理想稽納二極體VZ= 15 V,

若 Vi= 20 V,則V0為何?

(A) 10 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 20 V

[C] 12. 如右圖所示之電路,Vi= 110sin(377t),輕載且正常 工作時,則下列敘述何者正確?

(A) Vo漣波大小和L值無關

(B) L值越小及C2值越小,Vo漣波越小 (C) L值越大及C2值越大,Vo漣波越小 (D) Vo漣波大小和C2值無關

[D] 13. 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率,下列敘述何者正確?

(A)工作頻率完全相等 (B)無法比較

(C) PNP BJT工作頻率高於NPN BJT (D) NPN BJT工作頻率高於PNP BJT

[B] 14. 利用BJT作小信號的線性放大器,為避免輸出信號失真情形,必須施加適當的偏壓使工作點 (Operating Point)落在何區域內?

(A)作用區(Active Region)與飽和區(Saturation Region)交界 (B)作用區(Active Region)內

(C)截止區(Cut-off Region)內 (D)飽和區(Saturation Region)內

[A] 15. 對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗,卻不要求高電流增益的電路而言(如電流緩衝器),

最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路?

(A)共基極放大電路 (B)共集極放大電路

(C)無射極電阻之共射極放大電路 (D)有射極電阻之共射極放大電路 [C] 16. 如右圖所示之電路,若BJT之β=1000,VBE=0.7 V,則VCE

約為何?

(A) 2.5 V (B) 3.2 V (C) 4.3 V (D) 6.4 V

[B] 17. 承第16題,假設不考慮VA (Early Effect)效應,其電壓增益 約為何?

(A) 0.1 (B) 1.5 (C) 10 (D) 50

[D] 18. 某N通道接面型場效電晶體(JFET)之夾止電壓(Pinch-Off Voltage) Vp= -4 V且源極電壓Vs= 0 V

,則下列何者情況下,電晶體可工作於飽和區?

(A) VG= -5 V,VD=1 V (B) VG= -2 V,VD=1 V (C) VG= 0 V,VD=0 V (D) VG= 0 V,VD=5 V

V i V z 20kΩ

30kΩ V o

全波整

流電路

C

1

C

2

R

L

Vo

Vi

L

30kΩ

15V

Vi

Vo

6kΩ

15kΩ 4kΩ

VCE VBE

(3)

電子學 第 3 頁,共 6 頁 [B] 19. 下列放大電路中,何者電流增益略小於1?

(A)共集極放大電路 (B)共基極放大電路 (C)共射極放大電路 (D)共源極放大電路

[C] 20. 如【圖1】所示,若BJT之β= 50,切入電壓VBE = 0.7 V,則集射極電壓VCE約為何?

(A) 4.8 V (B) 5.3 V (C) 6.8 V (D) 9.3 V [D] 21. 如【圖2】所示,若BJT之β= 100,VCE = 5 V,VBE = 0.7 V,則RB值約為何?

(A) 23 kΩ (B) 41 kΩ (C) 65 kΩ (D) 87 kΩ

[C] 22. 如【圖3】所示,兩BJT之β= 80, VBE皆為0.7 V,若不需考慮VA (Early Effect),且rπ很小可 忽略的情況下,則輸入阻抗Z1為何?

(A) 4 kΩ (B) 81 kΩ (C) 162 kΩ (D) 324 kΩ [A] 23. 承第22題,輸入阻抗Z2之值約為何?

(A) 1.73 MΩ (B) 3 MΩ (C) 6.4 MΩ (D) 12.8 MΩ [A] 24. 串級放大電路作直流分析時,耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者?

(A)開路、開路 (B)短路、短路 (C)短路、開路 (D)開路、短路 [D] 25. 下列何者為運算放大器輸出電壓之最大變化率?

(A)輸出電壓擺幅 (B)共模拒斥比(CMRR)

(C)輸入抵補電壓 (D)轉動率(Slew Rate, SR) [B] 26. 如右圖所示之理想運算放大器電路,其電壓增益 之值

為何?

(A) 10 (B) 220 (C) 440 (D) 620

[B] 27. 有關差動放大器的特性,AC (共模增益)及Ad (差模增益),下列敘述何者有誤?

(A) AC 越小越好 (B) Ad 越小越好

(C)共模拒斥比(CMRR)定義為 (D)共模拒斥比(CMRR),越大越能抑制雜訊 [B] 28. 有一串級放大器,其第一級電壓增益為25,第二級電壓增益為4。請問在此狀況下,其總電

壓增益為何?

(A) 30 dB (B) 40 dB (C) 80 dB (D) 100 dB

[C] 29. 有一N通道接面型場效電晶體(JFET),若VGS = -2 V,且VGS(off) = -4 V,則當VDS = 1 V與 VDS = 5 V時,此場效電晶體分別工作於何種區域?

(A)截止區、歐姆區 (B)截止區、飽和區 (C)歐姆區、飽和區 (D)飽和區、歐姆區

RB

1kΩ

V0

Vi VCE

VBE

IC

IB

10V

C1 C2

【請翻頁繼續作答】

【圖1】 【圖2】 【圖3】

Vi

0.5kΩ

vo

1kΩ 9kΩ 10kΩ

1kΩ

Vi Vo

10V 10V

4kΩ 9.3kΩ

VBE 1kΩ VCE

6MΩ Vi

Z2

4kΩ 3MΩ 4kΩ

12V

Vo Z1

VBE

(4)

電子學 第 4 頁,共 6 頁 [B] 30. 如右圖所示放大電路,Vio為考慮運算放大器輸入抵補

電壓後之等效電壓值。若Vi(t) = 0 V時,測得 Vo(t) = 20 mV,則Vio為何?

(A) 2.5 mV (B) 5 mV (C) 10 mV (D) 20 mV

[D] 31. 如右圖所示之電路,在截止頻率時其電壓增益值約為何?

(A) 2 dB (B) -2 dB (C) 3 dB (D) -3 dB

[A] 32. 關於濾波器的敘述,下列何者正確?

(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 (B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器 (C) RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比 (D) RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比

[A] 33. 如【圖4】所示,假設Q1、Q2電晶體之參數完全相同,且電晶體之基極電流可忽略不計,

VT= 25 mV,試求電路之小訊號電壓增益 約為何?

(A) -132 (B) 101 (C) -68 (D) 56

[A] 34. 如【圖5】所示,假設經由小訊號分析得知Z1 = 2 MΩ,則其電流增益 約為何?

(A) 1,000 (B) 1,200 (C) 3,200 (D) 4,800 [D] 35. 有關場效電晶體FET之敘述,下列何者正確?

(A)不適合雙向開關使用 (B)抵補電壓(Offset Voltage)極高 (C)不適合作超大型積體電路 (D)輸入阻抗極高

[B] 36. 下列敘述何者有誤?

(A) MOSFET電晶體為單極性(Unipolar)電晶體 (B) MOSFET電晶體為一種電流控制元件

(C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體的閘極輸入阻抗小 (D) BJT電晶體為雙極性(Bipolar)電晶體

V

i

R

C V

O

【請另頁繼續作答】

1kΩ

4kΩ

4kΩ

V

i

Q

2

Q

1

4kΩ 1kΩ

V

o

V

cc = +12V

2kΩ C

2

+V

CC

R

E

2kΩ R

L

V

out

i

o

β=59 β=99

2MΩ R

B1

C

1

i

i

V

in

2MΩ R

B2

Z

1

【圖4】 【圖5】

150kΩ 50kΩ

V

io

V

o

(t)

V

i

(t)

(5)

電子學 第 5 頁,共 6 頁

[C] 37. 如【圖6】所示,VD = 15 V,VGS = -3 V,則Rs為何?

(A) 1.5 kΩ (B) 2 kΩ (C) 3 kΩ (D) 4.5 kΩ

[C] 38. 如【圖7】所示,若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2 V,閘源極間電壓VGS = 4 V時

,其汲極電流ID(on) = 20 mA,則此電路之汲源極間電壓VDS及汲極電流ID分別約為何?

(A) 3.4 V、18.4 mA (B) 4.3 V、18.4 mA (C) 5.4 V、15.3 mA (D) 4.5 V、15.3 mA [D] 39. 如【圖8】所示,若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應,fL 與 fH 分別為低頻與高頻

截止頻率,則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成?

(A)雜散電容 (B)極間電容 (C)分佈電阻 (D)耦合電容

[C] 40. 如【圖9】所示,RG= 10 kΩ,RD= 5 kΩ,若JFET之rds= 20 kΩ,gm= 1.5(mA/V),電壓增益 為何?

(A) -2 (B) -4 (C) -6 (D) -8

[D] 41. 如【圖10】所示JFET共源極放大電路,若JFET之轉移電導gm = 2 (mA/V),輸出電阻 rd = 40 kΩ,則放大電路的電流增益 為何?

(A) -200 (B) -250 (C) -400 (D) -500

[B] 42. 如【圖11】所示,若JFET的轉移電導gm = 4 (mA/V),不考慮汲極輸出電阻時,則輸出電阻Zo

為何?

(A) 100 Ω (B) 200 Ω (C) 250 Ω (D) 1000 Ω

+V

DD

V

o

i

i

V

i

500kΩ 1kΩ

G D

S

40kΩ

20kΩ

i

o

【請翻頁繼續作答】

【圖6】 【圖7】 【圖8】

【圖9】 【圖10】 【圖11】

+18V

+15V

20kΩ

1kΩ

R

s

G D

40kΩ

S

3MΩ V

i

5MΩ

0.3kΩ

V

o

10V

G D

S

(dB)

頻率(Hz)

f

L

f

H

增 益

VDD

RD

Vs

VGG

RG

Vo

G D

S

+V

DD

V

o

V

i

1MΩ 1kΩ Z

o

C

o

C

i

G D

S

(6)

電子學 第 6 頁,共 6 頁 [A] 43. 有關JFET共汲極放大電路之敘述,下列何者正確?

(A)又稱為源極隨耦器 (B)電壓增益甚高

(C)輸出訊號與輸入訊號相位相反 (D)電流增益低於1

[B] 44. 某N通道增強型MOSFET放大電路,MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)Vt = 2 V,參數 K=0.3 (mA/V2),若MOSFET工作於夾止區(飽和區),且閘源極間電壓VGS = 4 V,則轉移電導 gm為何?

(A) 0.6 mA/V (B) 1.2 mA/V (C) 1.8 mA/V (D) 2.4 mA/V [C] 45. 有關場效電晶體放大器之敘述,下列何者有誤?

(A)共源極(CS)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號 (B)共閘極(CG)放大器輸入阻抗小,適合輸入電流訊號

(C)共汲極(CD)放大器輸出與輸入電壓訊號同相,適合作電壓放大器 (D)共汲極(CD)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號

[C] 46. 如右圖所示電路,假設使用理想運算放大器,R1 = R4 = 10 kΩ,

R2= 20 kΩ,C1=0.2μF,C2=0.1μF,試求在巴克豪森(Barkhausen) 準則下,此電路產生振盪的R3值為何?

(A) 10 kΩ (B) 20 kΩ (C) 40 kΩ (D) 60 kΩ

[A] 47. 使用非反相放大器之韋恩電橋(Wien-Bridge)振盪電路,若要產生振盪,則回授網路相移角度 為何?

(A) 0゜ (B) 90゜ (C) 180゜ (D) 270゜

[B] 48. 如【圖12】所示運算放大器之RC相移電路,其振盪頻率與振盪條件下列何者正確?

(A) ωo=1/√6RC且R2/R≧8 (B) ωo=1/√6RC且R2/R≧29 (C) ωo=1/√3RC且R2/R≧8 (D) ωo=1/√3RC且R2/R≧29

[A] 49. 如【圖13】所示,為類似韋恩電橋的振盪電路,若L=100μH,R=314 Ω,R3=3 kΩ,

R4 = 1 kΩ,試問此電路的振盪頻率約為何?

(A) 500 kHZ (B) 250 kHZ (C) 100 kHZ (D) 50 kHZ

[B] 50. 如【圖14】所示為常見振盪電路,若運算放大器之飽和電壓+Vsat與-Vsat分別為12 V與-12 V,

則輸出信號Vo為何?

(A)峰值為6 V之三角波 (B)峰值為12 V之方波 (C)峰值為6 V之方波 (D)峰值為12 V之三角波

V

out

R L R4

R

R3

L +VCC

VCC

10kΩ

10kΩ vo

0.01μF

10kΩ

【圖12】 【圖13】 【圖14】

R4

R3

R2 C2

C1

R1

V

o

C R

2

R

C C

R

R

R

數據

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參考文獻

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