[PDF] Top 20 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用

... A Thesis Submitted to Department of Material Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Do[r] ... See full document

... 基板以高導熱的矽基板取代，並維持與原先相同結構中的正極朝上與上下布拉格反射鏡 之化合物半導體材料，所製作出元件的電特性與原先結構相近，而元件光特性上具有較 高的光功率輸出、元件對環境溫度與高電流注入影響較低、較低的接面溫度，此外元件 於資料傳輸的測試中可達到 ... See full document

... 主 持 人: 林浩雄 執行單位: 國 立 台 灣 大 學 電 機 工 程 學 系 一 、 中 文 摘 要 本計畫的研究包括低含氮砷化銦量子井與 砷化銦鎵量子點兩項成長技術。在低含氮 材料的部分，我們使用射頻電漿氮氣源輔 助之氣態源分子束磊晶法，成功地於磷化 銦基板上成長氮砷化銦/磷砷化銦鎵多層 量子井。X 光繞射顯示加入少量的氮可減 小量子井的應變量，使樣品獲得較平坦的 ... See full document

... 的頻率離散(frequency dispersion)、微縮的遲滯現象及較低的接面缺陷密度及漏電 流成果。且進一步將硫化氨的溶劑(solvent)從水換成丁醇(C 4 H 9 OH)將可看到更大 幅度的電特性改善，不僅明顯壓抑表面砷原子及氧化砷(AsO x )的量，也形成更多 穩定硫鍵結在砷化鎵基板上。另一方面，後續熱退火氣體環境的採用，氧氣及氮 ... See full document

... 在碩士班的日子裡，所結識的夥伴都是幫助我成長的重要人物， 感謝書楷學長讓我學會了很多研究上和生活上的智慧及克銘學長帶 領我作研究紮實的基本功和品嚐收穫的喜悅，也感謝禹淮學長不時的 給予適當的建議。當然，在這過程中也少不了同窗們的互相體諒與幫 忙，我的同學建智、語宸、智豪、力瑋、以理與書瑜在課業與研究上 ... See full document

... III-V 族化合物半導體絕大部分屬於直 接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導 體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底 部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此 ... See full document

... 相較之下，圖 5.3.2.4(b)半年後再量測同一根捲管，此捲管試片僅放置於大 氣中。與 GaAs 基板的峰值相比，於未應變鬆弛區域的量子井訊號已大幅漸弱， 不過捲管上的量子井訊號仍然很強大。因此，我們下一個小結論，樣品雖置於氮 氣櫃中，卻仍敵不過自然氧化的命運，一旦暴露於選擇性蝕刻溶液，氧化層立即 被移除，破壞了量子井原本的結構，導致量測到極差的光性。不過，當樣品製作 ... See full document

... 含有內建應力的雙層薄膜結構成長於晶格不匹配的基板上，我們可以利用選擇性蝕刻使 應變雙層薄膜從基板上釋放而形成微米等級的捲管，並且發展出可以精確控制微米捲管 直徑以及形狀、尺寸、位置等條件的製程技術。在本實驗中，我們成功的製作出內嵌有 砷化銦量子點的砷化鎵/砷化銦鎵微米捲管。利用特別設計的光激發量測系統，我們可 激發微米捲管上的特定位置來量測其發光特性。捲曲的管狀自然形成一環型共振腔，其 ... See full document

... InGaAs/GaAs 量子點結構，突破了在 GaAs 基板上成長 InGaAs/GaAs 量子井的 限制，將發光波長延伸至 1.3 µm，因此可 望在光纖通訊上有重要應用。我們將用 MBE 成長 InAs/GaAs 量子點，繼而延伸至 發光波長在 1.3 µm 的 InGaAs/GaAs 系統。 ... See full document

... 本計畫延續上年度研究成果，主要研究下世代（3G、4G 或更高）無線通訊基地台 關鍵零組件－氮化鎵高功率高電子遷移率功率電晶體（Power HEMT） ，以供未來數位無 線通訊系統基地台使用。由於氮化鋁及氮化鎵極佳之基本材料特性如寬能隙（分別為 6.2 eV 及 3.4 eV）、且氮化鎵具有高飽和漂移速率（3×10 7 ... See full document

... 有了上述之緩衝庫存目標決定後(若遇產能瓶頸，可利用 TOC 法決定產品組 合)，各個產品以此做為 TOC Demand-Pull 生產依據並適當時機做調整。基本上 TOC Demend-Pull 緩衝庫存生產為一動態監控機制，是隨時隨著市場脈動，貼近市場之一 種生產方式，而其緩衝庫存管制圖示法亦是一個生產與市場銷售人員溝通之共通平 ... See full document

... 關於量子點之選擇性成長，本論文使用兩種不同之格式化基板方法。首 先，我們使用電子束微影和溼式蝕刻形成不同之圖案，並利用原子在不同晶面上 所展現之特性，來製作出具有完整晶格結構和長程規則排列之一維量子點陣列。 尤有甚者，我們更發展出一種利用應變累積方式，來達成單一量子點之成長。利 ... See full document

... 壹、 邀請美國加州州立大學 Santa Babara 材料系與電機系合聘教授 P.M.Petroff 演 講，演講題目是 molecular beam epitaxy: then, now and tomorrow。 ... See full document

... 的藍光發光二極體，壽命長達數萬小時。此消息發表後，立刻引起全世界 的注意，目前全球各地已有很多體在研究此類材料製造、性質及應用。 2.2.2 雷射剝離技術（Laser Lift-Off） 在剝離藍寶石基板的研究中，可以用幾種不同的方法來完成，例如用化 ... See full document

... 該雷射成長在磷化銦基板之上，在 260K 時的振盪波長達 2.38µm [2]。 如前所述，由於 InGaAsN 材料具有很 大的光電潛力，故本年度研究工作中，除 持續過去對 InAsN 材料的研究外，我們的 研究興趣也延伸到於 GaAs 基板成長發光 波長 1.3µm 之 InGaAsN/GaAs 量子井結構 其及雷射之製備。主動層中的 InGaAsN ... See full document

... 摘 要 氮化鎵族發光二極體(InGaN/GaN light-emitting diode)利用矽作為基板 除了具有良好的散熱效果外，並可讓元件做成垂直型的結構、增加發光面 積、使電性和發光效率都有明顯的助益。由於傳統藍寶石基板與矽之間的 熱膨脹係數差異過大，為了降低接合過程產生的熱應力，如何能夠在低溫 ... See full document

... 以修補介面缺陷。但是，由於離子佈植對 晶圓表面造成破壞，反而會增加反向偏壓 時的漏電流。在本次實驗中，我們也利用 傳統 hydrogen ion implantation 嘗試 smart-cut 製程的建立。隨著 smart-cut 的溫度上升表面的粗糙度會增加。但是在 forming gas 的熱退火處理之後，表面粗 糙度將會獲得改善。利用 smart-cut ... See full document

... 其次要感謝NDML實驗室的大家，明瑞學長、志彥學長、兆欽學長、家豪學長、宜憲 學長、宇彥學長，還有竣承、効諭、欣哲、敬倫、弘森、猛飛、登緯、宣凱…等各位實 驗室學長，感謝各位學長不辭辛勞地在學業或是實驗上都給我很大的指導以及協助。謝 謝你們教導我如何使用實驗上的各種儀器設備，以及在專業知識領域上給予我適時指點 迷津，使我的研究能夠順利進展；還有，政庭、宗佑、柏錡、文朋同學和宏基、國永、 ... See full document

... 育德、意蓉、佳萍、僑宴、琇圓、正斌、乾森，以及海德威電子謝文昇副總、 Joe、 James、Lynn、Ricky，謝謝你們三年來的陪伴。在學校生活中，特別感謝黃根生 博士以及余長治、賴芳儀、張亞銜、薛道鴻學長姐們在學業、學術研究上的幫助 以及工作經驗上的分享，有他們的引導讓我更清楚明白未來道路的規劃。感謝博 ... See full document

... 然而在半導體廠製造技術水準與機台能力或產品特性等限制下，常導致晶圓圖上某些區域 容易產生故障品，此種原因所形成的異常晶圓圖形並非是特殊的製程異常所引起，而是基於半 導體廠製造技術水準與機台能力或產品特性的根本限制。此種「異常」和真正有歸屬原因的「異 常」 ... See full document