[PDF] Top 20 半導體量子光電元件之研究(III)
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半導體量子光電元件之研究(III)
... This threshold is associated with the critical thickness for self-assembled quantum dot nucleation, where the formation of three-dimensional islands and the conseque[r] ... See full document
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半導體量子結構與量子元件前瞻性研究(II)---子計畫I:半導體量子結構的成長，物理與元件應用
... 顏順通 國立交通大學電子工程系 中文摘要 此報告為總結本實驗室在本年度於「半導體量子結構的成長，物理與元件應 用」專題計畫的研究成果。利用分子束磊晶系統（Molecular Beam Epitaxy System; ... See full document
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半導體量子點偏振精細光譜的研究
... 計畫中文摘要 半導體量子點偏振精細光譜的研究 關鍵字: 量子點 激子 精細結構 量子糾纏 量子糾纏態(quantum entanglement)自 Einstein, Podolsky 和 Rosen 提出後一直是物理界廣泛討論的議 ... See full document
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半導體量子結構與量子元件前瞻性研究(II)---總計畫
... 環與量子點分子結構。在化合物半導體量子奈米元件之製作與高頻及磁傳輸特性 研究中，利用設計的脈衝式射頻及微波訊號的高解析度第二類鎖相迴圈偵測系 統，測試了二維電子系統樣品，測量頻率由幾百 MHz 到超過 7GHz，觀測到傳輸 訊號振幅與相位的振盪，也成功的利用電子微影術製作出中心頻率超過 3GHz 的 ... See full document
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半導體量子結構與量子元件前瞻性研究---總計畫(III)
... 總主持人：李建平 國立交通大學電子工程系 中文摘要 此報告為總結本實驗室在本年度 於「半導體量子結構與量子元件前瞻 性研究」專題計畫的研究成果。利用 分 子 束 磊 晶 系 統 （ Molecular Beam Epitaxy System; MBE） ，我們設計一系 ... See full document
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半導體量子點雷射之主動層結構研究
... 2.2 量子點成長: 在學術研究上，有許多人提出製作半導體量子點的方法，如磊晶的自組成法、化學 溶膠製作復層量子點、電子束微影蝕刻、利用閘電壓在二維量子井平面上產生二維的侷 限等，而在量子點雷射應用上，以分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)或金屬 有 機 ... See full document
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奈米結構光電元件之研究─子計畫三:三五族半導體量子點之成長與元件應用
... InGaAs/GaAs 量子點結構，突破了在 GaAs 基板上成長 InGaAs/GaAs 量子井的 限制，將發光波長延伸至 1.3 µm，因此可 望在光纖通訊上有重要應用。我們將用 MBE 成長 InAs/GaAs 量子點，繼而延伸至 發光波長在 1.3 µm 的 InGaAs/GaAs 系統。 ... See full document
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奈米結構光電元件之研究-子計畫一:含銻化合物半導體光電元件技術之研究
... 所成長的銻砷化鎵/砷化鎵多層量子井 雷 射 結 構 在 室 溫 光 激 螢 光 譜 波 長 為 1.27µm，半寬為66.6meV。並且成功製 作出在室溫下起振的銻砷化鎵/砷化鎵 量子井雷射，放光波長在1.28µm，其起 振電流密度為210A/cm 2 。 ... See full document
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半導體量子線雷射之研究
... o 之變化原因是載子溢流、歐傑效 應、次價帶間之吸收所造成，而在溫度介於 140K與 180K之間，由於雷射處於開 始要由基態發光轉換成激發態發光之過度期，使得原有電流除了要提供載子給即 使填滿但仍無法克服損失而產生雷射之基態外，還需要更多電流以提供多餘載子 ... See full document
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半導體量子點雷射之研究
... 感謝王興燁學長長試片給我，並且與我討論雷射方面的問題，帶我一起解決 多項難題。學長對研究的衝勁與幹勁諸多受到學弟的景仰。 感謝李秉奇與林志昌學長時常與我們討論研究上所遇到的問題，並且對學弟 們的生活與感情也上多有關心和照顧，也祝福你們早日覓得良緣；感謝林國瑞學 長給予學弟多方面的指導與幫助，並且幫助我克服許多研究上的瓶頸；感謝 MBE ... See full document
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以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(I)
... Belarus, 之 U.E. Kisel 等報告了 Yb 3+ ：YVO 4 晶體中利用飽合吸收體達到 120fs 之被動鎖模雷射， 其功率可達 300mw。白俄在 Yb 3+ ：YVO 4 等相關晶體之成長極為先進，此 晶體即是由 Belarus 之 Solix Ltd ... See full document
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半導體量子點光源增益頻譜之研究
... 享，最重要的是使我在獲得這個學位後，能具備的正確態度。大學專題指 導教授，林聖迪老師，引領我進入這個實驗室的關鍵人物，對我來說，您 開朗的態度、實事求是的研究精神，總是對身為學生的我們，有著深遠的 啟發，我會記得某個實驗室只有我的早晨，您進來和我話家常，勉勵我堅 持下去，要將尾巴收的漂亮。研究上的夥伴，戴文長學長，與你的合作很 ... See full document
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規則化量子點晶格及半導體量子環之研究
... 林國瑞博士、以及林聖迪博士，在諸多困境中，你們適時的給予支援，使我能順 利突破困境。還要感謝所有的實驗室成員：林志昌、李建騏、王興燁、廖志豪、 黃世傑、羅明城、張至揚、黃博聲、呂佳穎，和碩一學弟楊仁盛、王勝雄、凌鴻 緒、陳力輔，每當我研究碰到低潮時，各位學弟妹的支持與鼓勵，是我繼續勇往 直前的力量泉源。 ... See full document
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III-V族化合物半導體－在光電元件中的應用
... 國立彰化師範大學 光電科技研究所 III-V 族化合物半導體絕大部分屬於直 接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導 體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底 部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此 ... See full document
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半導體兆赫波發射元件之研究(III)
... 最後提出一點有趣的現象。由圖一和圖三 我們發現對於Ｇ系列譜線和Ｃ系列譜線中某 些分量，即使其為電偶極允許的躍遷，在某些 特定的應力下這個躍遷會變成是禁止的。且須 要外加的應力小於 0.3kBar。這暗示我們或許 可以利用三價鍺中這些特定能階間的躍遷來 做成應力調變的光電元件。以上理論分析成果 將會發表於年底 IEDMS 會議上。 ... See full document
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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)
... 面 光 電 壓 光 譜 主 要 是 量 測 半 導 體 對 不 同 波 長 入 射 光 的 光 伏 打 效 應 （ photovoltaic response）。在 50 年代已被證實為具非接觸式的量測技術，相繼的在 70 及 80 年代有 Shapira 及 Luth ... See full document
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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(I)
... 行政院國家科學委員會專題研究計畫期中（第一年）報告 半導體量子環和其在自旋電子元件之應用 (1/3) Semiconductor quantum rings and its application on spintronics 計畫編號：NSC 93-2215-E-009-034 執行期限：93 年 8 月 1 日至 94 年 ... See full document
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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(II)
... （2） 研究方法: In this project, we have investigated the evolution of InAs quantum ring formation. By controlling the extent of outward migration of In material, we were able to obtain nanostructures at different ... See full document
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二六族半導體奈米材料之製備與其在有機光電元件之應用
... 是故以此自我期許也！ 人生就像是馬拉松，當你選定了什麼樣的目標，就要努力的去付出與享受整個過 程.一路走來, 苦樂酸甜 ~ 回首五年，承蒙諸多人的幫助。也因為王崇人教授，嚴謹 周密的研究態度，啟發了我對學術研究的興趣。 ... See full document
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半導體奈米結構電性傳輸與奈米元件接點電阻之研究
... 摘要 過去數十年間，藉由物理與化學的方法各式各樣半導體奈米線被成功的製 造。透過由上而下或由下而上的組裝方法，這些半導體奈米線已被廣泛地應用 於研究單電子電晶體、場效電晶體或光電元件等領域中。但在大多數的研究中 ... See full document
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