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[PDF] Top 20 量子點光源之二次相關性

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量子點光源之二次相關性

量子點光源之二次相關性

... 78 第六章 總結 本論文從了解函數的基本原理開始,了解 HBT 的實驗理論模型,建立 能夠量測函數的 HBT 實驗儀器架構,進而用 HBT 實驗量測量子樣品和微 ... See full document

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半導體量子點光源增益頻譜之研究

半導體量子點光源增益頻譜之研究

... 發輻射。在量子井元件中,由於有很高的光模增益,所以非導向自發 輻射造成的誤差可以被忽略 ,然而在光模增益對不高的量子元件 (10cm -1 ~ 20cm -1 ),這個誤差會對於增益及吸收頻譜的計算造成明顯的影響 [1]。也因此,若要以分段式接法來計算量子的增益頻譜,勢必需要一 ... See full document

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半導體量子點寬頻光源

半導體量子點寬頻光源

... 整體而言,工作時間短而密集,休息時間長而悠閒,這似乎與歐洲的生活步調有, 工作務實而重視休閒,但對於舉辦會議來說,然有效率,但卻不一定合時宜,又或許只 是我們習慣亞洲地區的步調,因而感到許多不便。 雖然是第一出國,但德國人的英文能力普遍而言都算不錯,因而在語言溝通上不 致有太大的問題,慕尼黑的交通也非常方便,雖然住宿在火車站附近,離研討會地 有 10 ... See full document

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特殊堆疊多層量子點之新穎光源研究

特殊堆疊多層量子點之新穎光源研究

... 以量子為主動區的寬頻半導體雷射目 前僅有非常少量的文獻發表 [7],國內外也尚 未有系統的研究,也因此還未能最佳化雷射元 件的結構設計及磊晶和製程等參數,本計劃將 以新提啁啾式堆疊多層量子雷射為研究 起,透過完整的量測與分析來釐清多層量子 內載子的分佈特性及材料增益,為元件最佳 化提供具體可改善的方向,並從中累積研發能 ... See full document

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量子點光源中精細結構匹裂與光學特性之研究

量子點光源中精細結構匹裂與光學特性之研究

... Analytical and numerical results indicate the essential role of optically active light-hole components of an exciton state in the fine structures and optical polar[r] ... See full document

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波長可調及掃頻式半導體量子點光源

波長可調及掃頻式半導體量子點光源

... 本年度計畫延續 NSC96 的啁啾式推疊量 子雷射結構(該結構已於本年度獲得兩件美 國專利及一件台灣專利) ,以及 NSC97 的大光 學共振腔(Large Optical Cavity)設計,NSC98 中在主動區插入一層低折射率的磊晶層,試圖 將量子雷射的垂直發散角降低至 25 0 ,結構 設計及雷射近場模擬結果如圖一。依此設計 雷射磊晶片經脊狀波導雷射製程後,L-I-V 量 ... See full document

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硒化鉛量子點陣列的穿隧能譜對尺寸之相關性

硒化鉛量子點陣列的穿隧能譜對尺寸之相關性

... 致 謝 在交大兩年的研究所求學過程,說長不長,說短不短,但我相信日後絕對是 令人值得回味的一段時光。這段時間裡遇到了許許多多的人事物,有歡樂,有沮 喪,都是驅使我不斷向前的動力,不僅擴展了視野,也增進了我的學識,真的很 慶幸可以到交大來求學,並且順利取得了學位,這過程中要感謝人事物實在太多 了,不勝枚舉,且讓我一一試列。首先我必須要感謝簡紋濱老師,他提供了充裕 ... See full document

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介觀量子通道與開放量子點之電性傳輸

介觀量子通道與開放量子點之電性傳輸

... 零偏壓異常的重要性。量測著重在不同通道長度與電子密度的量子線、電導值小於 2e 2 /h 的源 汲極偏壓能譜圖(source drain bias spectroscopy)與隨溫度變化的線電導。電子-電子交互作用 對傳輸的影響預期因為量子線通道長度變長或密度降低而增大,而實驗結果顯示 ZBA 的高度 ... See full document

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InAsSb/GaAs自聚式量子點之電性研究

InAsSb/GaAs自聚式量子點之電性研究

... (2.8ML) 2.1 998 3.7*10 -10 0.7 由上表中可以發現, 2ML 及 2.2ML 的 ideal factor 很接近理想值 1,而串聯 電阻也都很小,表示此兩片樣品的 Schottky 特性皆不錯,但 2.8ML 的特性 卻與 2ML 及 2.2ML 差異極大,其 ideal factor 等於 2.1,顯示電流傳導機制 有可能來自於缺陷的產生-再結合電流(generation-recombination ... See full document

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砷化銦量子點載子動力學之溫度相依性

砷化銦量子點載子動力學之溫度相依性

... 誌 謝 在交大的六年,日子不算短暫,如今即將要在我碩士班畢業畫下一個句。 首先我非常感謝我的指導老師林聖迪老師的指導,在他的帶領下,不管是在學術 抑或是做事的方法上,兩年的碩士生涯讓我學到了很多;此外我所待的研究團隊 裡,三個指導老師、豐富的資源,還有實力堅強的學長姐,讓我所得到的訓練非 常紮實,也很珍惜待在這裡的每一刻。我要特別感謝幾位學長,建宏、大鈞、 ... See full document

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砷化銦自聚式量子點內點缺陷與電子量子能階之交互作用

砷化銦自聚式量子點內點缺陷與電子量子能階之交互作用

... 、計畫緣由與目的 利用 1300 nm 發光源做光纖通訊 用途是當普遍,近年來研究發現將 N 加入 InAs QDs 中可以將發光波長拉 長。 N 在加入 QDs 中時因 bowing 效應 造成能帶彎曲使得 QDs 的能隙變小, ... See full document

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硒化鉛量子點在石墨基板上之二維成長行為和溫度之相關性

硒化鉛量子點在石墨基板上之二維成長行為和溫度之相關性

... 成,溶液中的維粒子系統因為溫度和覆蓋度的不同而呈現不同的樣貌,此即為 維 Lennard-Jones 圖中各個不同的區域。在溶液中所呈現的因為溶劑的 揮發而固著在基板上。因此我們以 AFM 所觀察到的島嶼形貌即是硒化鉛顆粒在 溶液中的分布狀況。而由圖中的各區域和實驗結果的對照,我們可以說以 維 ... See full document

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半導體量子點陣列中電性傳輸與電子結構對尺寸之相關性

半導體量子點陣列中電性傳輸與電子結構對尺寸之相關性

... 回歸陣列是由一顆顆量子所組成,使用 MW 模型來分析電荷在顆粒間的 集體傳輸行為。利用係式 I ∝ ( V V − th ) ζ 對不同尺寸陣列的 I-V 曲線進行擬合, 發現臨界電壓 V th 隨著顆粒數增加而下降,而 ζ 值會隨著顆粒數增加而上升。利 用平行板電容模型近似顆粒間的電容,其值明顯大於顆粒與基板間的電容,則屏 蔽長度λ值大表示顆粒間耦合能力強。可合理地解釋當顆粒數變多時,顆粒間極 ... See full document

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InAsSb量子點表面活化及相分離現象以及熱退火影響InAsSb量子點光性電性

InAsSb量子點表面活化及相分離現象以及熱退火影響InAsSb量子點光性電性

... 的碩士生活添增了幾分美感。還有碩遇到的室友群,小恬恬常常在半夜十 幫我買小籠包還有豆漿,讓我夜晚生活因為小籠包而整個亮了起來;夏夏陪我 夜晚跑步,雖然我不知道一個瘦子好端端得減肥幹麼用啊?好像在瘦子界沒有人 會認為自己是瘦子;可是在胖子界大家都很大方地承認自己是胖子,我想我永遠 也搞不懂瘦子的想法!最後還有小詹,他是個細心的室友,感謝他把好用的 endnote ... See full document

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自聚性二六族半導體量子點之成熟機制與特性研究

自聚性二六族半導體量子點之成熟機制與特性研究

... 其次,我要感謝楊祝壽學長,在我人生最低潮的時候,還好有您拉我一把, 在我孤立無援的時候,是您替我找到容身處。雖然我總是很不受教,一再讓您 失望,但是一直到最後您都沒有放棄我,我真的好感動。因為有你的體諒及幫忙, 我才有辦法走到這一步,謝謝您。另外,我也要感謝王智祥老師,願意讓我去中 原做實驗,又放心把學弟讓我帶,不時和我討論新的想法,總讓我在遇到瓶頸的 時候能夠迎刃而解。 ... See full document

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前瞻奈米壓印技術運用於 InGaN 量子點的選擇性生長與光電元件之相關應用

前瞻奈米壓印技術運用於 InGaN 量子點的選擇性生長與光電元件之相關應用

... 行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 前瞻奈米壓印技術運用於 InGaN 量子的選擇生長與光電元件應用 I. Growth and characterization of gallium nitride nanowires by catalyst-assisted chemical vapor deposition ... See full document

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摻雜對量子點發光二極體之影響

摻雜對量子點發光二極體之影響

... PVK 間,摻雜後能使電洞注入時必須克服 的能障降低,就像在階梯中間多了一層輔助梯,使載子更容易注入,因此從數據 上電流密度的部分來看是隨著摻雜規律提升的,但是幅度不大,從大方向量子效 率的部分來看,在 PVK 中摻雜 TAPC 是有讓效率值往上提升的。知道了各自摻 雜都帶來正向的效果後,我們將電洞注入層以及電洞傳輸層都做摻雜來分析元 ... See full document

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相關性隱藏節點與學習演算法

相關性隱藏節點與學習演算法

... 會議名稱 Joint Conference on Information Sciences 發表論文題目 A Constructive Learning Procedure 一、參加會議經過 我於 7/19 晚上到達 Salt Lake City。我於 7/20 主持 section CIEF-III 並於其間發表 論文。附件一是議程。 ... See full document

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(二)同儕關係與攻擊性的相關

(二)同儕關係與攻擊性的相關

... & Skinner, 2002),所以女生較男生會採取尋求社會支持的策略。 至於女生在「發洩情緒」因應策略平均數顯著高於男生,研究者 推論此結果或許是因為女生較傾向將自己置於壓力之中,故當遇到同儕 排斥的問題時,將注意力一直放在此負面同儕互動經驗的結果導致情緒 壓力持續的增加,而當個體再也忍受不了此情緒壓力時,就會以大聲吼 叫、責罵他人、拿東西出氣等發洩情緒的方式來舒解壓力。研究者並推 ... See full document

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錳參雜硒化鉛量子點陣列之電性研究

錳參雜硒化鉛量子點陣列之電性研究

... 2-2-2. 介電泳法連接奈米陣列的好處 介電泳法連接奈米陣列的好處 介電泳法連接奈米陣列的好處 介電泳法連接奈米陣列的好處 利用電子束微影製程所製作的元件,因為奈米陣列在製程的過程中歷經了許多 到步驟,一些溶液會接觸到奈米陣列本身,例如:丙酮,乙醇和 PMMA……等,或 許會間接傷害到樣品本身並將原始的原貌和狀態改變,以及熱蒸鍍這步驟的鈦(Ti) 與奈米陣列本身也會有接觸問題,也是造成奈米元件可否量測的重要問題ㄧ。現 ... See full document

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