個案研究-聯華電子與大陸和艦 - 政大學術集成

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(1)國立政治大學商學院財務管理研究所碩士論文. 個案研究-聯華電子與大陸和艦. 治. 政 UMC 大＆ HeJian Case Study-. 立. ‧. ‧ 國. 學 sit. y. Nat. n. er. io. 指導教授：周行一博士 a l研究生：黃珈瑜i v撰 n Ch engchi U. 中華民國一百年七月.

(2) 謝辭碩士論文能研究個案，對我而言是件令人興奮的事，但同時間也遭遇了許多困難。首先要感謝周行一教授，在兩年間指導我的論文，提供研究方向、修正我的邏輯思考，鼓勵我挑戰自己，以及建立積極的人生態度，感謝教授。同時間也感謝張順教教授，教導我關於半導體產業的相關知識；感謝呂東英教授，教導我公司治理以及法規上的知識；也感謝口詴委員：李志宏教授、徐政義教授、陳虹伶教授給我的寶貴意見，讓我的論文能更加完備。正是因為教授的知識傳遞，讓這本論文能夠順利完成。. 政治大謝謝大家在彼此論文撰寫的忙碌之餘，還能互相扶持、提供同儕意見、並安排口立. 同為周行一老師旗下的學生，伍建興、徐子晴、林鋒斌、施力瑋、郭品緒，. ‧ 國. 學. 詴前置作業，處理相關事務，非常開心有你們這一群可靠、又健談的夥伴，讓我在研究途中充滿許多的歡笑，有安心的感覺。祝大家事業、當兵順利！感謝研究. ‧. 所同學：洪培雅、錢珮瑩、李馥如、楊之寧、林芸霈等，在我低落徬徨時陪著我、. sit. y. Nat. 鼓勵我、並提供意見，或是聽我大吐苦水，抑或是打鬧尋開心，以及在找工作上. n. al. er. io. 的互相扶持，有你們真好，謝謝你們。. i Un. v. 還有感謝重要的家人，謝謝爸媽支持我繼續讀研究所，給我可靠的避風港以. Ch. engchi. 及能盡情撒嬌的臂膀，謝謝姊姊聽我發牢騷，還有令人又愛又恨的狗兒 Q 比，陪我玩耍。謝謝姨丈、阿姨、表妹、表弟讓我在台北也有了一個家，提供經濟的支撐以及溫暖的關照，讓我能開心、無憂地度過研究所生涯。感謝所有出現在我身邊的人，大家一起持續成長吧！祝大家都能活在當下！. 黃珈瑜. 謹致. 于國立政治大學財務管理研究所民國一百年七月.

(3) 摘要 2001 年聯華電子公司協助大陸和艦科技公司成立，此案揭露台灣法規與企業追求成長的衝突，於 2005 年爆發，歷經五年才無罪定讞，最後導致聯電榮譽董事長曹興誠入籍新加坡。本論文主要探討國際投資決策與公司治理兩大議題。本論文從總體經濟、產業分析、聯電公司基本面分析，進行同業比較：在 2001 年全球 IC 產能與人員閒置，因此各國廠商前往最具發展潛力的中國大陸，產生許多競爭對手。台灣 IC 產業為維持研發技術領先，需尋找廣大市場來支持. 政治大. 研究發展支出。台灣晶圓第二的聯電之研發技術未能領先於晶圓龍頭—台積電，. 立. 因此相較於台積電，更需積極評估聯電前往大陸佈局的利與弊。因中國大陸強大. ‧ 國. 學. 內需市場、牽制大陸 IC 廠商、站穩全球 IC 供給鏈一環、比較利益、多元化經營的利益，使得聯電決定以間接方式協助大陸和艦，降低法律風險。. ‧. sit. y. Nat. 然而因無法公開協助和艦，使得公司治理問題浮現：股權結構、董事會職能、. io. er. 股東權益的保障、資訊透明度等，本文利用臨床測詴法（Clinical Test），實證資料顯示，在市場傳出聯電投資和艦的消息後，產生負的累積異常報酬。. n. al. Ch. engchi. i Un. v. 關鍵字：聯電、和艦、國際投資、公司治理. I.

(4) Abstract The case, UMC assisted HeJian in 2001, revealed the conflict between regulation and investment decision of company. It was sued in 2005, and finally became innocent in 2010. This essay focuses on two issues, international investment and corporate governance. International investment started from the top-down analysis: from microeconomic analysis to industry to company fundamental analysis, then also the competitor analysis. Although the global IC industry had suffered recession in 2001, IC demand. 政治大. from China had increased. Therefore, many foreign investors transferred their know-. 立. ledge and facilities to assist China’s IC market, and then many potential competitors. ‧ 國. 學. showed up. Meanwhile, IC enterprises in Taiwan needed large market to support R&D. ‧. expense to maintain competitive advantage. As one of IC manufacturers in Taiwan, UMC didn’t have the leading technology as TSMC did, therefore, with the benefit of. y. Nat. io. sit. the high demand IC market in China, remaining competitive advantage, comparative. er. advantage, and so on. UMC decided to assist HeJian in privately.. al. n. iv n C U of private assistance. It The problem of corporate governance h e n gemerged c h i because. was doubted that the ownership structure, function of board, the interest of shareholders and transparency could work well. Therefore, when investors knew the information of UMC assisted HeJian, there was negative cumulative abnormal return by event study.. Key word：UMC, HeJian, International Investment, Corporate Governance. II.

(5) 目錄第一章. 導論.................................................................................................... 1. 第一節. 研究動機與目的............................................................................ 1. 第二節. 研究架構........................................................................................ 2. 第二章. IC 產業 .............................................................................................. 7. 第一節. 全球 IC 市場................................................................................ 10. 第二節. 台灣的 IC 產業............................................................................ 13. 第三節. 中國大陸的 IC 市場.................................................................... 17. 政治大歷史發展...................................................................................... 22 立. 第三章. 聯華電子之分析.............................................................................. 22. 第一節. 公司產品...................................................................................... 23. 第三節. 競爭對手分析.............................................................................. 24. ‧ 國. ‧. 第四章. 學. 第二節. 投資利益...................................................................................... 32. 第三節. 國際投資決策.............................................................................. 41. sit. y. 第二節. Nat. 第一節. 國際投資決策面.............................................................................. 32. 第五章. n. al. er. io. 投資風險...................................................................................... 40. Ch. engchi. i Un. v. 公司治理問題.................................................................................. 44. 第一節. 和艦公司成立及資金來源.......................................................... 44. 第二節. 聯電給予和艦的協助.................................................................. 45. 第三節. 聯電與和艦之間的合約.............................................................. 47. 第四節. 公司治理問題.............................................................................. 48. 第五節. 股東反應—異常報酬分析.......................................................... 58. 第六章. 結論.................................................................................................. 65. 附錄…….......................................................................................................... 66 第一節. 訴訟案結果.................................................................................. 66 III.

(6) 第二節. 在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點.......................... 70. 第三節. 必要控制持股.............................................................................. 71. 參考文獻.......................................................................................................... 72. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. IV. i Un. v.

(7) 表目錄. 表 1 全球分區的 IC 銷售值...................................................................... 12 表 2 全球分區 IC 銷售值成長率.............................................................. 12 表 3 台灣 IC 產業產值比重...................................................................... 15 表 4 台灣 IC 產業產值成長率.................................................................. 16 表 5 主要外商在大陸投資情形................................................................ 19 表 6 聯電公司重要沿革............................................................................ 22. 政治大. 表 7 營業收入淨額與成長率.................................................................... 26. 立. 2001 年 12 月大陸主要電子產品產銷統計................................... 33. 學. ‧ 國. 表 8. 表 9 大陸主要晶圓廠基本資料................................................................ 35 表 10 聯電內外銷地區比重...................................................................... 38. ‧. 表 11 台積電內外銷地區比重 .................................................................. 39. y. Nat. io. sit. 表 12 重要客戶佔營收比重之比較.......................................................... 39. n. al. er. 表 13 聯電董監事與主要經理人 2001 年................................................ 51. Ch. i Un. v. 表 14 聯電主要法人股東 2001 年............................................................ 52. engchi. 表 15 和艦案大紀事.................................................................................. 55 表 16 事件研究日...................................................................................... 59 表 17 三事件日之聯電股價敘述統計量.................................................. 61 表 18 帄均異常報酬.................................................................................. 62 表 19 帄均累積異常報酬率...................................................................... 63. V.

(8) 圖目錄圖 1 研究架構.............................................................................................. 3 圖 2 半導體產業示意圖.............................................................................. 8 圖 3 IC 產業結構....................................................................................... 9 圖 4 全球分區的 IC 銷售值...................................................................... 11 圖 5 台灣主要晶圓代工廠商生產量........................................................ 14 圖 6 聯電 2000 年產品產值比重.............................................................. 24 圖 7 營業收入淨額圖................................................................................ 26. 政治大圖 9 營業毛利率之比較............................................................................ 29 立圖 8 研究發展費用之比較........................................................................ 28. ‧ 國. 學. 圖 10 晶圓代工佔公司產值的比重.......................................................... 30 圖 11 營業外收支/營業收入..................................................................... 30. ‧. 圖 12. 2001 年大陸 IC 市場銷售額......................................................... 32. sit. y. Nat. 圖 13 聯電與和艦的關係.......................................................................... 45. n. al. er. io. 圖 14 公司結構.......................................................................................... 49. i Un. v. 圖 15 臨床測詴法之選取期間.................................................................. 59. Ch. engchi. 圖 16 和艦案之異常報酬圖形.................................................................. 64. VI.

(9) 第一章導論第一節. 研究動機與目的. 聯華電子榮譽董事長—曹興誠在 2011 年 1 月放棄中華民國國籍，改入籍新加坡，坦承「和艦案是關鍵」。因為和艦案的關係使得台灣半導體雙雄之一的台灣企業家放棄原國籍！和艦案是什麼？始末為何？事件所隱含的公司問題有哪些？此案引發探討動機，而研究目的為：公司在追求成長時，面對法制的限制，. 治政其如何影響公司進行國際投資決策，以及如何更進一步造成公司治理的問題。大立 ‧ 國. 學. 和艦案簡略始末為，2001 年，在台灣法規限制下—限制台灣企業與大陸之間的商業行為，聯華電子（以下簡稱為聯電）以第三者名義間接投資中國和艦科. ‧. 技（蘇州）有限公司（以下簡稱為和艦），進行半導體的技術移轉，協助和艦成. sit. y. Nat. 立。透過協助和艦，聯電盼望未來入主和艦1，佈局中國大陸。2005 年，聯電協. n. al. er. io. 助和艦之事件爆發，聯電董事長曹興誠和副董事長宣名智由原本的背信罪以及違. i Un. v. 反證交法，歷經長達五年的審判下，至 2010 年 10 月由法院審判無罪。聯電於. Ch. engchi. 2010 年 11 月 18 日終止與和艦科技有限公司 2009 年簽訂之合併契約，並在 2011 年 3 月 17 日公告購買和艦科技（蘇州）有限公司之控股公司—Best Elite International Limited 之股權，預計收購不超過 30%的股權，後續發展仍有待觀察。此案牽涉面向廣泛，舉含產業動態、市場變化、法律、判決……等，本文以個案的背景介紹，提供並分析相關資訊，進一步地探討公司的投資決策與公司治理問題，其如何受法律規定的影響，公司如何因應。. 1. 台灣新竹地方法院裁判書，95 矚訴 1 指出，和艦單方面承諾：「因聯電對和艦出售舊線只收帳. 面成本價之故，將另對聯電增發與該成本價之 25% 等值的特別技術股，由聯電決定其分配方式。」 1.

(10) 第二節. 研究架構. 本文以聯電協助和艦作為個案研究，探討主軸為投資決策與公司治理問題。先進行由上而下(Top-Down)投資決策分析：2001 年的總經分析、IC 產業分析、聯電公司個別分析與競爭者分析，以投資利益與風險衡量是否前往大陸投資，在 2001 年聯電經過投資決策考量後，決定進行投資。然而在台灣的法規限制下，聯電必頇迂迴地協助大陸和艦，因此本文探討的第二重點：公司治理問題浮現。先以聯電與和艦之間的關係做敘述，包含和艦的成立方法、資金來源，聯電協助. 政治大如股權結構、董事會職能、股東權益的保障、資訊透明度。最後以個案分析的臨立. 和艦的相關事項、兩者之間的合約，以此為背景延伸出其隱含的公司治理問題，. ‧ 國. 架構）。附錄將說明聯電最終以無罪定讞的相關資料。. 學. 床測詴法（Clinical Test）分析市場對聯電協助大陸和艦的反應為何（圖 1 研究. ‧. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 2. i Un. v.

(11) 圖 1 研究架構. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 3. i Un. v.

(12) 聯電協助和艦成立的背景年代為 2001 年，該年，因下游應用產品的需求銳減下，全球 IC 市場銷售值大幅下降，然而中國大陸 IC 市場卻顯現高度的成長機會，促使各國前往大陸設廠或投資，如中芯國際集成電路製造有限公司、宏力半導體製造有限公司紛紛在中國大陸成立，其他跨國半導體公司也設立分公司，積極搶攻大陸半導體市場；而全球半導體市佔率第二的聯華電子，不僅面臨中國大陸競爭者的威脅，也需與市佔第一的台積電競爭，因此亟思於布局中國大陸。本篇論文以聯華電子投資大陸和艦作為個案研究，探討兩個面向：首先，聯電投資和艦是否符合國際投資理論。公司目標為極大化股東利益，致力於增加. 政治大市場，造就了世界工廠與世界市場，因此企業藉由國際投資來達到公司目標—極立收益或減少成本。在比較利益的驅使下，各企業前往世界各地尋求資源或龐大的. ‧ 國. 學. 大化股東利益。近來，中國大陸不僅擁有勞力低廉、資源豐富等供給面的優勢，更重要的因素為龐大的人口，形成強勁的內需力道，使得國際企業紛紛至中國大. ‧. 陸尋找市場，擴展企業版圖與發展多角化的經營，進一步的在全球 IC 供應鏈中. sit. y. Nat. 取得競爭位置，若能前往中國大陸投資，將提供聯電投資效益：強大內需市場、. n. al. er. io. 牽制中國大陸 IC 廠商、站穩全球 IC 供給鏈一環、比較利益、多元化經營。聯電. i Un. v. 相對於台積電，採取積極佈局大陸的原因在於，聯電在研發技術仍落後台積電，. Ch. engchi. 因此面對潛在競爭者，需採取積極策略壓制競爭者發展，進一步保有自身的競爭優勢。公司投資理論發展如下，在 Modigliani and Miller（1958）的完美市場假設下，公司將利用 Tobin’s (1969) Q 衡量投資機會，當投資案帶來的利益多於風險成本時，也就是當淨現值（NPV）大於零時，為可行的投資方案，在眾多的資方案中，選擇並執行最適的投資決策。然而在市場非完美的情況下，Stein (2003) 綜合近年來理論與實證的結果，除衡量投資機會外，資訊不對稱以及代理問題將會影響公司投資決策。且 Shimin Chen et al. (2011)更進一步提出，政策的干擾也 4.

(13) 會導致不效率的投資以及扭曲公司的投資決策。因此公司會考量：投資機會與成本、資訊不對稱、代理問題、政策干擾等因素，進行投資決策。在 2001 年當時，半導體產業投資中國大陸受到台灣法規的限制，無法使台灣企業以最適且透明化的方式進行大陸投資，公司的投資決策受到政策的干擾。但投資中國大陸 IC 市場帶來的利益，將利於未來站穩全球 IC 供應鏈的一環，因此聯電當時採取間接轉投資和艦、離職員工前往和艦任職等方法，協助和艦成立，既能把握投資機會，又不明文違反台灣法律，然而在法律的限制下，執行和艦的投資策略並不如尋常投資案，使得公司治理問題浮現。. 政治大. 因此本論文第二個討論面向為，由和艦案探討聯電的公司治理狀況，以四個. 立. 面向作討論，首先為董事會職能探討，由此個案探討股東、董事會、經理人在公. ‧ 國. 學. 司決策中扮演的角色。股東大會選出公司的董監事，而一公司擁有最終控制者，若掌握一定的股權，便能影響股東大會的結果，由 Cubbin, J., and D. Leech（1983）. ‧. 提出必要控制持股（Critical Control Level）：依公司股權分散程度，最終控制者. y. Nat. io. sit. 為了控制公司，必頇控制之持股率。聯電於 2001 年 5 月，計算出的必要控制持. n. al. er. 股為 2.19%，而最終控制者擁有的控制股權百分比為 6.26%，遠超於必要控制持. Ch. i Un. v. 股，超額持股達 4.07%，表示最終控制者所擁有的股權足以控制公司股東大會的. engchi. 決議。而公司重大營運與財務決策由董事會投票決議，2001 年 5 月起，聯電的經理人與董事會高度重合，董事兼任公司內部經理人之席次數佔全體董事席次百分比為 50%，使得和艦案能在經理人與董事會間快速取得共識。再者，因為在法規的限制下，跨國企業透過迂迴的方式監控轉投資公司，其公司治理效果不如無法規限制下的治理效果，分別造成損害股東權益之虞以及造成資訊不透明。以上公司治理造成代理問題之虞，利用臨床測詴法，實證資料顯示，當市場獲得聯電協助和艦的消息後，股價反應呈現負值的累積異常報酬，持續十天。本論文第一章導論，說明研究動機以及本論文重點摘要。第二章以總體經濟 5.

(14) 與產業面分析 2001 年的 IC 產業，分全球、台灣與中國大陸 IC 市場。第三章分析聯電公司，包含歷史、產品以及競爭者分析，進一步說明聯電與台積電採取不同的西進策略，原因為何。第四章進行國際投資決策，分別提出協助和艦成立的優點與缺點，進行最後決策。第五章，和艦案始末，說明和艦的成立過程、資金來源，聯電扮演的角色，以及探討聯電秘密協助和艦，進而造成公司治理問題，以及利用臨床測詴法分析市場對此消息的反應。第六章，結論總結本論文重要觀點。附錄則節錄訴訟結果、台灣晶圓廠入大陸投資的相關法規、以及必要控制股權的算法。. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 6. i Un. v.

(15) 第二章 IC 產業張順教（2011）指出，製造半導體2所需材料為：矽、鍺、銅以及砷化鎵、磷化合物、氮化合物等元素與化合物，其價格影響半導體取得成本。將原料製成半導體後，半導體產品以製造材料與功能可分為三個部份：分離式元件、積體電路（IC）以及光電元件。因聯電主要產品為 IC，本篇論文以探討 IC 產品為主，積體電路為各式的電路元件—電晶體、二極體、電阻器、電容器等—共同製作於一個晶片上，可提供計算、邏輯、控制、記憶等功能，使得電子產品具「智慧」，. 政治大類比積體電路（圖 2 半導體產業示意圖）。IC 產品應用領域廣泛：電腦產品、通立推動數位化的生活。IC 產品其中又細分為四項：微元件、邏輯元件、記憶體和. ‧ 國. 學. 訊產品以及消費性電子產品3，如國防設備、電腦、手機、數位相機等，因此許多國家注重 IC 產業的發展，欲建立許多產業的穩固基礎。若應用產品的需求上. ‧. 升，也連帶的帶動 IC 產品的需求。. n. er. io. sit. y. Nat. al. 2. Ch. engchi. i Un. v. 張順教（2011），半導體是一種導電能力介於導體與絕緣體間的材料，再加入適量的雜質. 後，會改變其電性形成不同程度的導電狀態。因此，利用半導體，人類就可以外力的方式（如電壓），使之成為一個動態式的開關，達到控制電子訊號傳遞的目的。 3. 消費電子（Consumer electronic products, CE）指並不是生活必需品，而只是為了滿足娛. 樂或其他需求，主要是音視頻產品。電腦、通訊、消費電子三者通稱為 3C 產品。 7.

(16) 圖 2 半導體產業示意圖. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. 資料來源：張順教，2011，高科技產業與策略分析，P 32. 將 IC 的生產過程分為四個階段4：設計、製造與封裝、測詴（圖 3. Nat. y. IC 產業. io. sit. 結構），其中前段製程為設計與製造，後段製程為封裝與測詴。除了原料、技術、. n. al. er. 人力、資金的投入外，支援工業為重要的一個環節，如：設計工具、晶圓材料、. Ch. i Un. v. 化學品系統、導線架工業等等。因生產過程需要專業分工，上下游的公司會因為. engchi. 聚集在同一地區，共享資源並達到規模經濟與範疇經濟的優勢，因此 IC 產業具有群聚效應，例如：台灣的新竹科學園區以及中國大陸上海浦東張江科技園區。. 4. 參考張順教，2011，高科技產業與策略分析：史欽泰，2001，我國 IC 產業的發展史與未來展. 望 8.

(17) 圖 3. IC 產業結構. 資料來源：史欽泰，2001.8 月，我國 IC 產業的發展史與未來展望. 政治大. 立. IC 產業特性5，除具群聚效應外，為高度技術、人才、資金密集的產業，需. ‧ 國. 學. 投入大量的 R&D 費用：首先技術方面，在設計階段，致力於持續研發更高階的 IC，如類比 IC 等。製造方面，研發擴展晶圓的尺寸以及精進微縮製程技術。若. ‧. 晶圓尺寸越大，則切割出更多的晶粒，增加晶粒產量，且能降低製造成本，因此. y. Nat. io. sit. 各國致力於 12 吋晶圓廠的建立。微縮技術精進能使同一面積的晶圓上能放入更. n. al. er. 多的電路元件，儲存更多的資料，廠商握有技術將提昇獲利，領先競爭對手。衡. i Un. v. 量電路元件大小的單位有微米與奈米6，在 2000 年，擁有 0.13 微米的微縮技術，. Ch. engchi. 而 2009 年已縮小至 32 奈米，各家廠商不斷研發新的技術。再者，IC 產業需投入高階人才，因設計 IC 產業的專業技能屬於知識經濟中的 Know-How，必頇長期邊做邊學，獲取經驗與知識，做事將會更有效率、成果更加豐盛，也就是 IC 產業具有學習曲線的特性。這些經驗是專業人員個人特有，難透過言語與文字傳承知識、轉移至他人，因此人才為 IC 產業中重要的一環。最後，需要大量資金，除了需要研發支出，蓋晶圓製造廠以及封裝測詴場，廠房設備都需要大量的資金. 5. 參考尹啟銘，2006，斷鏈—前瞻台灣經濟新未來. 6. 1 公尺=10 6 微米，1 公尺=10 9 奈米 9.

(18) 投入。因此若一個國家欲發展 IC 產業，必頇擁有高技術、專業人才、充足資金來支持。 IC 的四個生產階段中，以 IC 上游的設計階段獲利率最高。因針對不同的需求，專家們透過不斷的構思與研發，將概念成型，設計的附加價值高，一旦研發成功，獲得專利權，便可透過技術移轉至它國或他廠商，進而收取技術權利金。所以 IC 設計需要高知識的人才進行研發，因此擁有人才的先進國家投入高比重的資源於 IC 設計，取得領導地位，牽動下游的產業生態，作為牽制下游產業的營收與生產，使得其他國家難以複製設計技術，更難與之競爭。目前先進國家如美國、日本以及韓國的 IC 產業的設計產值比重大。台灣仍以製造階段產值較大，詳細資訊在下一章探討。. 立. ‧ 國. 全球 IC 市場. 學. 第一節. 政治大. ‧. 1986~2003 年資料顯示， 2000 年網路蓬勃發展，帶動網路週邊商品的需求，. y. Nat. 進而使網路商品的零件—IC 全球銷售量大增，然而到 2001 年全球 IC 市場不景. er. io. sit. 氣7，全球 IC 銷售值跌幅達 32％，美國、歐洲、日本、亞太地區 IC 銷售值下降 (圖 4 全球分區的 IC 銷售值、表 1 全球分區的 IC 銷售值)。因 2001 年全球仍. al. n. iv n C 受到網路泡沫化影響、九一一恐怖攻擊影響下，家計單位的可支配所得隨著股市 hengchi U 8. 的下跌而減少，造成消費不振，經濟成長趨緩，連帶的 IC 產業應用的兩大區域出貨量成長率皆不佳：電腦以及行動通訊，消費者使用最終產品的需求減少，廠商對 IC 產品的需求也降低，以及在 2000 年時產業榮景時上下游累積過多存貨，有存貨壓力下，半導體製造產能過剩，導致 2001 年國際 IC 市場面臨不景氣。 7. 若要以 2000 年預估 2001 年全球 IC 產業景氣，因為 IC 市場以北美為大宗。應以北美市場. 的 B/B 值（Bookings/Billings），接單值/出貨值判斷，若大於一，製造廠商接獲許多訂單，表示 IC 產業未來景氣的好，需要增添生產設備，以因應未來景氣之需；若小於一，代表不看好未來 IC 產業景氣。 8. 假定家計單位投資股票，而股票漲跌將影響可支配所得。 10.

(19) 以銷售值變動率進行分區比較（表 2 全球分區 IC 銷售值成長率），1999 年與 2000 年，日本與亞太地區的銷售值變動率為全球分區之冠，顯示雖歐美地區仍有成長跡象，但因其為 IC 發源地，在 1999 年已逐步邁入穩定成長階段，遇 2000 年網路蓬勃發展而掀起另一銷售高峰，但其 IC 銷售成長力道仍不若新興亞洲地區之強勁。而 2001 年網路泡沫化，美國 IC 市場銷售跌幅逾高達 44%，而亞太地區雖有跌幅 22%，但其跌幅為美國市場之二分之一，且低於全球銷售跌幅 32%。至 2002 年，在全球分區國家中，美國、歐洲、日本銷售值仍持續下跌的情況下，唯有亞太地區的銷售值大幅上升，增幅為 28%，至 2003 年，全球 IC 市場漸漸好轉，銷售成長率仍以日本及亞太地區最為亮眼，而歐美 IC 市場成長. 治政率較為緩慢。總體而言，亞太地區的成長力道與復原速度代表該地區在 IC 市場大立具有較大的潛力，隱含蓬勃商機。 ‧ 國. 學. 因此在 2001 年網路泡沫時，全球各廠商 IC 產能過剩，人才閒置，因此積極. ‧. 尋找國外投資機會，欲將人才與技術轉移至於未來看好的 IC 市場—亞太地區，. al. er. io. sit. y. Nat. 尤其以中國大陸成長機會最高，因此全球 IC 廠商積極前往中國大陸投資。. n. 圖 4 全球分區的 IC 銷售值. Ch. engchi. i Un. 資料來源：World Semiconductor Trade Statistics 11. v.

(20) 表 1 全球分區的 IC 銷售值 1998. 1999. 2000. 2001. 2002. 2003. 美國. 41,431,926. 47,477,880. 64,071,359. 35,778,448. 31,275,477. 32,330,682. 歐洲. 29,406,264. 31,881,274. 42,308,937. 30,216,266. 27,788,479. 32,310,026. 日本. 25,921,017. 32,835,097. 46,749,346. 33,147,815. 30,493,648. 38,942,196. 亞太地區. 28,852,792. 37,184,300. 51,263,981. 39,820,081. 51,155,716. 62,842,618. 125,611,999. 149,378,551. 204,393,623. 138,962,610. 140,713,320. 166,425,522. 全球. 政治大. 單位：千＄US，資料來源：World Semiconductor Trade Statistics. 立. 15%. 35%. -44%. 8%. 33%. -29%. 27%. 42%. -29%. 全球. 19%. al. n. 29%. Ch. 38%. e37% ngchi U. 資料來源：World Semiconductor Trade Statistics. 12. er. io. 亞太地區. y. 2001. sit. 2000. ‧. 日本. 1999. Nat. 歐洲. 學. 美國. ‧ 國. 表 2 全球分區 IC 銷售值成長率. v ni. 2002 -13% -8% -8%. -22%. 28%. -32%. 1%.

(21) 第二節. 台灣的 IC 產業. 以下將說明台灣扶植 IC 產業的因素：技術、人才、資金，以及產官學研的合作，對培養人才的重要性，作為大陸發展 IC 產業的借鏡，聯電也可由此判斷大陸是否有資源支持 IC 市場成長，再進一步分析是否有投資的價值。最後探討台灣 IC 業者未來致力方向，以及點出中國大陸提供業者的投資機會。台灣的 IC 產業發展，不外乎抓緊三大要素：資金、人才以及技術，並且依靠政府扶植稚嬰產業（Infant industry），提供資金與吸引海外人才歸國，與國外. 政治大. 大廠形成策略聯盟，引進技術，再加上台灣企業家的積極參與，吸引更多外資前. 立. 來投資，徹底結合產、官、學、研。台灣一步一步由 IC 後段製程拓展至前段製. ‧ 國. 學. 程，階段性的發展 IC 產業。在下一章將會拿大陸發展 IC 的狀況，與台灣發展 IC 不可獲缺的因素進行探討：大陸 IC 市場是否有發展的資源？聯電才能進行投資. ‧. 大陸與否的決策。. y. Nat. io. sit. 全球 IC 產業以國際整合元件製造商（IDM）為主：本身擁有產品、設計、. n. al. er. 製造、封裝、測詴，甚至是 IC 產品的行銷皆一手包辦的業者，如韓國三星. Ch. i Un. v. （Samsung）。而台灣 IC 產業以垂直分工為特色，將 IC 生產流程專業分工，面. engchi. 對快速變遷的產業環境，以及日益擴大的資本設備投資額，專業分工使得該廠商只需負責如何將公司資源全數投入單一產業領域，使得營運較具彈性，具有相對成本優勢，專業分工也發展出台灣的晶圓代工特色。2000 年，台灣由於 IDM 委外代工比例的提昇、代工價格的上漲、產能利用率的提高、DRAM 製程微縮效應以及投資效應顯現的帶動下，IC 產業產值高達 7,144 億，成長率為 68.7%遠高於全球半導體市場的成長率 36.8%9。台灣代表性的 IC 製造廠商以台灣積體電路公司（TSMC）以及聯華電子. 9. 史欽泰，2001，我國 IC 產業的發展史與未來展望，科技發展與政策報導，8 月。 13.

(22) （UMC），兩家公司的晶圓代工10生產量於 2000 年分別為 347 萬片與 238 萬片，台積電不僅為台灣晶圓代工的龍頭、也是世界晶圓代工第一廠商，聯電居第二。（圖 5 台灣主要晶圓代工廠商生產量）. 圖 5 台灣主要晶圓代工廠商生產量. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學 sit. y. Nat. n. al. er. io. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. Ch. engchi. i Un. v. 但台灣 IC 產業有以下的隱憂，本個案主角—聯電需提前認知並加以改善，才能保有競爭優勢，甚至成為領導廠商。要成為領導廠商，IC 產業最關鍵的不是有形的機器設備，而是技術，技術由高超的人才創新研發而得，智慧財產權、專利權擁有這些知識才能成為領導者，引領 IC 產業發展的方向，帶領風潮，台灣的 IC 業者雖然在全世界有一定的影響力，但就規模而言，仍比不上世界領導業者。公司規模11越大，以相同的研發強. 10. 晶圓代工屬於 IC 製造的一分類，為接受客戶訂單，依照需求製造晶圓。. 11. 公司規模為股價乘以流通在外股數。 14.

(23) 度12而言，大規模公司比小規模公司更能投入越高的研發費用，能產出更多創新的結果，提昇企業的競爭力。台灣 IC 產業的產值比重分析，從 1996 到 2000 年，台灣 IC 產業以製造為主， 2000 年以 IC 製造佔產業總產值六成以上，年成長率為 76.9%。而產值比重第二的在 1999 年由封裝業變成設計業，。2000 年設計業以 16.1%的總產值暫居第二，年成長率為 55.3%。而產值第三、第四分別為封裝與測詴，因測詴業產值較小，在 2000 年增加產值後，即有較大的成長率 77.3%（表 3 台灣 IC 產業產值比重、表 4 台灣 IC 產業產值成長率）。而聯電屬於台灣 IC 製造業第二龍頭，僅次於台積電。. 政治大. 立. engchi. 資料來源：工研院經資中心（2001 年 3 月）. 12. 研發強度為研發支出佔銷售額的比例。 15. y. sit. er. n. Ch. 1997 1998 1999 363 469 742 1,532 1,694 2,649 842 938 1,404 478 540 659 106 131 185 2,479 2,834 4,235 14.6% 16.5% 17.5% 61.8% 59.8% 62.6% 19.3% 19.1% 15.6% 4.3% 4.6% 4.4%. ‧. io. al. 1996 218 1,256 560 358 50 1,882 11.6% 66.7% 19.0% 2.7%. 學. 產業 IC設計業產值 IC製造業晶圓代工單位 IC封裝業：億 IC測詴業台幣產業產值合計 IC設計業比 IC製造業重 IC封裝業％ IC測詴業. Nat. 台灣 IC 產業. ‧ 國. 表 3 台灣 IC 產業產值比重. i Un. v. 2000 1,152 4,686 2,966 978 328 7,144 16.1% 65.6% 13.7% 4.6%.

(24) 表 4 台灣 IC 產業產值成長率. 1997 台灣 IC 產業. 成長率％. IC設計業 IC製造業晶圓代工 IC封裝業 IC測詴業產業總成長率. 66.5% 22.0% 50.4% 33.5% 112.0% 31.7%. 1998. 1999. 2000. 29.2% 58.2% 55.3% 10.6% 56.4% 76.9% 11.4% 49.7% 111.3% 13.0% 22.0% 48.4% 23.6% 41.2% 77.3% 14.3% 49.4% 68.7%. 資料來源：工研院經資中心（2001 年 3 月）. 政治大源—資金、人才、技術大量的投入，提高研發成本，研發出更高階的製程技術— 立面對全球化的競爭，聯電若想競爭晶圓代工的領導地位，應當思考如何將資. ‧ 國. 學. 加大晶圓尺寸或是微縮技術的精進，勝過競爭者。因此聯電該如何取得資源？研發的經費來源為何？如何讓台灣的人才專注於研發呢？以下將分析大陸 IC 市場. ‧. 提供聯電機會，取得資源。. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 16. i Un. v.

(25) 第三節. 中國大陸的 IC 市場. 產業價值鏈將隨全球化產生改變：現今的價值鏈為—原材料零組件13由亞洲四小龍、日本等具技術的國家製造，而勞力密集的加工產品交由勞力充足的中國大陸，最後運往美國與歐洲等內需市場強大的國家消費14。預計未來產業價值鏈將因中國大陸而產生改變，因為中國大陸物產豐沛、技術能力的精進、勞力充足及人口龐大帶來的強勁需求，使得中國大陸在產業價值鏈的上中下游：原材料零組件、成品與市場皆佔重要位置。中國大陸在產業價值鏈重要性的增加，也將影響各個產業，包括 IC 產業。. 立. 政治大. IC 產業在歐美國家發跡，歐美市場至今已達到穩定成長的階段，甚至在 2000. ‧ 國. 學. 年國際 IC 市場面臨不景氣，各國 IC 產能過剩，人才閒置；然而，新興市場的崛起，快速的成長、潛大的商機，讓各廠商積極尋找機會，將閒置的人才與擁有的. ‧. 技術，轉投資於新興市場。新興市場中—中國大陸擁有強大的內需市場，未來的. y. Nat. io. sit. IC 需求也將透過消費性電子產品、資訊、通訊等下游應用產業蓬勃發展而急速. n. al. er. 增加，帶動上游零組件的龐大需求。但中國大陸 IC 產業尚未發展完成，製造的. Ch. i Un. v. IC 產值不足，IC 供給跟不上需求，自給自足的能力有限，目前仍是依賴進口。. engchi. 因此，中國大陸為了使內部供給跟上需求的腳步，將 IC 產業列為重點產業，實施一連串政策，給予獎勵與支持：要求 IC 上下游產品需符合自製率15的規定，且提供當地廠商租稅優惠，IC 產業可享受附加價值稅率為 3~6％的優惠16、所得. 13. 從原材料製成零組件，如砷化鎵製成晶圓，再製成 IC，需要技術與知識。. 14. 參考尹啟銘，2006，斷鏈—前瞻台灣經濟新未來。. 15. 自製率為一個產品製造過程中，需有一定比例的成本費用由大陸自製，保障大陸廠商。. 16. 附加價值稅為產品生產與勞務創造各個環節中，收入減成本得到附加價值，以其為對象. 課的稅務。中國大陸課一般納稅人銷售產品的附加價值稅率為 17%；但提供 IC 產品附加價值隨徵隨退 11~14%，因此實際上 IC 產品增值稅為 6%，IC 設計業增值稅為 3%。 17.

(26) 稅五免五減半、銀行低利率貸款以及地方政府貼補利息、地方政府參與投資以及提供長期零地租等優惠措施，甚至給予市場保護，藉此扶植當地 IC 產業，企圖對外國廠商產生壁壘，形成貿易障礙17。若其他國家先進廠商進駐到中國大陸設廠，必能享受中國大陸的優惠政策，避免後起者中國大陸廠商威脅先進廠商的地位，先進廠商應利用技術的優勢牽制二線競爭者，並能共享中國大陸土地、原料、人力的資源以及廣大市場，依比較利益法則發揮各國的競爭優勢，避免在世界價值鏈中貽誤商機、失去競爭力，遭致淘汰。看準中國 IC 產業的潛力以及面對 2001 年全球 IC 產業景氣不佳，大陸吸收. 政治大技術移轉，中國大陸取得大量產能。在 2000 年，中國 IC 產業的重大突破分別是立大量其他國家閒置人才，以低成本購入閒置設備，建廠房。尤其各國 IDM 大廠. ‧ 國. 學. 前世大半導體總經理張汝京設立中芯國際集成電路製造有限公司，以及王文洋與江綿恆18成立的宏力半導體在上海浦東張江科技園區建立廠房；IBM 也在上海投. ‧. 入 3 億美元進行大規模晶片組裝的生產地；英特爾（Intel）也設立上海浦東第一. sit. y. Nat. 個封裝測詴場，並在上海、北京各設有一處研發中心；日本 NEC 的八吋晶圓廠. n. al. er. io. 也進行量產活動，各個廠商皆進駐大陸（表 5 主要外商在大陸投資情形）而 IC. i Un. v. 晶圓廠的設置，會具有群聚效應，將 IC 上下游的設計以及封裝測詴業一併帶入. Ch. engchi. 中國，進而形成一個上下相連的價值鏈，若無法抓住此次進入中國的契機，將被屏除在中國供應鏈之外，遭到被邊緣化的危機。. 17. 但中國大陸在 2001 年加入 WTO 後，關稅保護以及其他貿易堡壘的措施不再適用。. 18. 王文洋為台塑石化股份有限公司創辦人之一王永慶之子，江綿恆為當時中共國家主席江. 澤民之子。 18.

(27) 表 5 主要外商在大陸投資情形. 地. 建成. 投資. 業務. 點. 投產. 金額. 型態. 三洋半導體（蛇口）有. 廣. 1984. 0.1 億. 限公司. 東. 上海貝嶺微電子公司. 上. 1988. 1988. 海. 津. 1992. 立. 北. 1994. 1994. 海. 有限公司. 海. 無錫華芝半導體. 無. al. n. 上. 1994. 1994. 錫上海阿法泰克電子公. 上. 司. 海. 金朋芯封（ChipPac）. 上. 蘇. 導體有限公司. 州. 荷蘭、加拿大（外. F. 政治大. 2.8 億. 商 72%）. 行動通訊 IC、MPU、. P. 美元. 美國（外商 100%）. MCU 等. 380 億. M, P,. 記憶體、微控制器、消. 日圓. F. 費、通訊與 ASIC. 0.59 億. P. 錄影機與彩色電視 IC. P. 記憶體. 日本（外商 51%）. 日本（外商 76%）. 0.24 億. C美元 hengchi U 0.25 億. v ni. 韓國（外商 60%）. P. 消費類 IC. 日本（外商 55%）. P. DIP、SOP、QFP 等封. 泰國、美國（外商. 裝. 55%）. DIP、SOP、QFP 等封. 美國（外商 100%）. 美元 1996. 0.75 億美元. 1996. 海日立半導體（蘇州）半. 2 億美. IC 卡、晶圓代工等. 美元. io 上海現代電子半導體. 通訊、音響、遙控器、比利時（外商 16%）. y. Nat. 上. M, F. ‧. 京. 上海松下半導體廠. 0.84 億. 學. 首鋼日電. 日本（外商 100%）. sit. 廠. 消費類 IC. 元. ‧ 國. 天. P. 美元. 上. 摩托羅拉天津半導體. 投資國. 美元. 海上海先進半導體公司. 產品. er. 公司. 1.4 億. P. 美元 1996. 40 億日. 裝記憶體. P. 元. 日本、新加坡（外商 100%）. 19.

(28) 南通富士通電子有限. 南. 公司. 通. 深圳賽義法電子有限. 深. 公司. 圳. Intel 上海集成電路封. 上. 裝廠. 海. 三菱四通集成電露有. 北. 限公司. 京. 1997. 限公司. 州. 1997. 1998. 立. 1998. 1998. 2001. 海. P. EPROM、通訊、消費、義大利、法國（外. 1.98 億. P. 汽車類 IC 等. 商 60%）. Flash 封裝. 美國（外商 100%）. 政治大. 1 億美. 記憶體、微控制器、電. P. 元 1.08 億. 280 萬. al. 2001. 2001. 360 萬. Flash、PLD 與通訊 IC. P. 等封裝電晶體封裝. P. 美國（外商 100%）. 台灣（外商 100%）. v ni. 電晶體封裝、測詴. P. C美元 hengchi U 3600 萬. 日本（外商 70%）. 源 IC 與 ASIC. 美元. n. 上. 0.77 億. 美元. 錫 Amkor. SOP、QFP48. 美元. io 無. 日本（外商 70%）. P. 美元. 州. 無錫矽格微電子. 等封裝. 美元. Nat. 杭. 0.28 億. 韓國（外商 100%）. ‧. 蘇. 杭州日月華科技. 元. 學. 超微半導體（蘇州）有. DIP、SOP、QFP、TO200. P. y. 州. 1 億美. sit. 體有限公司. 1996. er. 蘇. ‧ 國. 三星電子（蘇州）半導. 手機、PC 等晶片封裝. P. 累計 1,780 萬美元台灣（外商 60%）. 美國（外商 100%）. 美元. 註：F = Foundry 晶圓代工；M = Manufacture 製造；P = Package 封裝資料來源：Dataquest、工研院經資中心 IT IS 計畫（2002/03）. 聯電若要投資中國大陸，必頇先確認—中國大陸發展 IC 產業是否有足夠的資源支持？大陸 IC 產業是否能夠順利發展？若以上答案為肯定的，才能使聯電 20.

(29) 決定是否前往大陸投資並追求獲利。以台灣當初發展 IC 的過程為例，為扶植一個產業，政府在初期必頇扮演重要角色，尤其是資本、人才、技術密集的 IC 產業。就 2000 年為止，大陸政府提供誘人政策，提供足夠的資本，並且以強大的內需市場為後盾，招外國廠商投資，引進優秀人才與 IC 技術，因此中國大陸需引進人才與技術，才具備發展 IC 產業的資源。一旦成功引進，還仍頇注意大陸當地高階人才是否能在這段期間掌握技術，充分發揮產官學研的合作能力進行自行研發，才能跟進技術大廠，成為具獨立研發的人才。全世界 IC 業者前往中國大陸追求成長機會，聯電是否也需前往大陸投資？. 政治大探討這些資訊將如何影響投資和艦的決定。立. 以下就全球晶圓代工第二的聯華電子進行公司分析，並考量聯電在產業的地位，. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 21. i Un. v.

(30) 第三章聯華電子之分析第一節. 歷史發展. 聯華電子由工研技術研究院（ITRI）於 1980 年 5 月資產分割而成立，並於 1982 年 4 月開始營運，主要營業項目為積體電路 IC 的製造，於 1995 年正式轉型為純晶圓專工公司，為了達到快速成長以及擴張聯電產能，聯電利用高度槓桿合資成立聯誠、聯瑞、聯嘉積體電路(股)公司，並於 1998 併購上市公司合泰，. 治政 2000 年將旗下晶圓專工公司（聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉、合泰）合併（表 6 聯大立電公司重要沿革），成為單一的聯華電子公司，不僅擴展產能、增加市佔率，也 ‧ 國. 學. 使得技術知識與資源得以整合，強化競爭優勢與管理績效。. ‧. Nat. io. n. al. sit. 記事. er. 月份. y. 表 6 聯電公司重要沿革. i Un. 1980 5. 由工研院資產分割成聯電，正式成立。. 1982 4. 開始營運。. 1985 7. 股票於台灣證券交易所公開上市。. 1995 7. 轉型為純晶圓專工公司。. 7~9. Ch. engchi. 聯電與美、加等國 11 家 IC 設計公司合資成立聯誠、聯瑞、聯嘉積體電路(股)公司。. 9. v. 8 吋晶圓廠開始生產。. 22.

(31) 旗下五家晶圓專工公司（聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉、合泰）合併，. 2000 1. 發展規模經濟，以及整合半導體製造技術，增加市場佔有率。宣佈與 IBM, Infineon 策略聯盟，合作開發新一代半導體尖端製程。. 3. 產出業界首批銅製程晶片. 5. 產出第一顆 0.13 微米製程 IC. 9. 在 NYSE 以代號 UMC 掛牌交易美國存託憑證，具研發與海外擴. 政治大. 廠的助益，以及籌資管道。. 立. 與Infineon合資，位於新加坡之UMCi Pte. Ltd.，已動工興建其12. ‧ 國. 學. 2001 4. 吋晶圓廠房。. ‧. 台南科學園區的12吋廠Fab 12A廠開始詴車。 Q3. y. Nat. er. io. 2002 2. sit. 宣佈將與 AMD 公司於新加坡合資成立另一12吋晶圓廠AU Pte. Ltd.。. n. al. i n C U hengchi 資料來源：聯華電子網站、聯電股東會年報第二節. v. 公司產品. 聯電主要營業項目係「晶圓專工業」，並依客戶個別需求提供矽智財、嵌入式積體電路設計、設計驗證、光罩製作、晶圓製造及測詴等服務。將產品收入分為三大項：晶圓代工、晶方以及裝配產品，於 2000 年三者佔總公司的產值比重分別為 80%、2%與 18% (圖 6 聯電 2000 年產品產值比重)，公司收入主要來源為晶圓代工。. 23.

(32) 圖 6 聯電 2000 年產品產值比重. 立. 政治大. ‧ 國. 學. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. ‧. sit. y. Nat. 而聯電晶圓代工的主要產品用途以通訊功能為主，製造通訊 IC 晶片，其品. io. er. 質屬於中低階，在 2000 年獲取多家歐洲通訊大廠 Alcatel, Infineon, ST Microelectronics 訂單，而高階晶片由歐洲的 Infineon 生產，競爭對手—台積電，在電. al. n. iv n C 腦、通訊、消費性電子產品皆帄衡發展，且生產品質屬於高階晶片，如 GPU 繪 hengchi U 圖晶片。. 第三節. 競爭對手分析. 聯電主要競爭對手為台灣積體電路公司（TSMC）與特許半導體公司（Chartered），在 2001 年台積電、聯電、特許的營業額約各為美金 3,597 佰萬元、美金 1,840 佰萬元及美金 463 佰萬元，市場佔有率約各為 49%、25%與 6%，三. 24.

(33) 家共佔整體市場的 80%19。本論文探討聯電協助大陸和艦，以下單就聯電與台積電兩家公司做比較，因聯電欲與台積電競爭，因此在投資決策考量中會與台積電做比較，且和艦案的特殊性在於台灣法規限制，因此聯電與台積電設立於台灣，為主要討論對象，面臨具潛力的中國大陸 IC 市場的崛起，分析兩家公司的考量：為何聯電在 2001 年迫切協助大陸和艦，而台積電在該年度只在上海成立辦事處20，直至 2002 年才向經濟部投資審議委員會遞出上海松江廠投資案申請書，兩家公司佈局大陸的迫切性為何不同？本研究推論，聯電迫切協助大陸和艦的眾多理由之一為，聯電的研發技術進. 政治大有利的談判籌碼、維持穩定的現金流量，因此面臨 2001 年全球 IC 市場衰退、中立. 展較台積電緩慢，尚未握有高階且多功能的產品與客戶建立穩健的合作關係、具. ‧ 國. 學. 國大陸競爭對手的崛起，這些危機顯示聯電需採取積極策略，建立競爭優勢。分析兩家在 2000 年至 2001 年受景氣影響的程度，以兩家公司的營業收入淨. ‧. 額做比較（. n. er. io. sit. y. Nat. al. i Un. v. 圖 7 營業收入淨額圖、表 7 營業收入淨額與成長率），自 1993 年起，台積. Ch. engchi. 電的營業收入淨額持續高於聯電之營業收入淨額。如第一章第一節所提，全球 IC 市場在 2000 年成長快速，因此該年度，聯電與台積電的營業收入成長率分別高達 243%與 118%，而聯電成長更加快速的原因在於該公司取得多家歐洲通訊大廠訂單，如 Alcatel, Infineon, ST Micro-electronics。然而，全球 IC 市場於 2001 年盛極轉衰（圖 4 全球分區的 IC 銷售值），衰退幅度高達 32% (表 2 全球分區 IC 銷售值成長率)，使得晶圓代工廠的聯電與台積電受到重大負面影響，該年度營業收入成長率分別呈現-40%與-24%，聯電受衝擊高於台積電的原因在於通訊 19. 參考聯電股東會年報 2001 年. 20. 參考台積電股東會年報 2001 年 25.

(34) 市場的需求在 2001 年景氣反轉中受挫最巨，呈 38%的巨幅衰退，而個人電腦與消費電子市場相對比較穩定，個人電腦出貨量僅衰退 6.8%，因聯電產品主要集中運用於通訊市場，而台積電產品運用領域較廣泛，因此能緩和衝擊力道21。而聯電與台積電的稅後淨利分別為-3,157,302 千元與 14,483,174 千元，再次突顯聯電面對全球 IC 市場衰退的衝擊，並不如台積電仍有能力維持正獲利，原因除以上所提產品運用領域較單一，其研發技術未引領業界也是另一原因。. 圖 7 營業收入淨額圖. 政治大. 立. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. i Un. v. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報表 7 營業收入淨額與成長率. 營業收入淨額 (單位：千元) 聯電 2008. 21. 96,813,546. 台積電 333,157,660. 相關數據資訊參考聯電股東會年報 2001 年。 26. 營業收入成長率聯電. 台積電 -15%. 3%.

(35) 2007. 113,311,298. 322,630,596. 1%. 2%. 2006. 112,003,819. 317,407,171. 12%. 19%. 2005. 100,315,982. 266,565,070. -22%. 4%. 2004. 129,190,740. 257,212,618. 35%. 27%. 2003. 95,703,732. 202,996,812. 27%. 25%. 2002. 75,425,356. 162,301,208. 8%. 29%. 2001. 69,816,799. 125,884,892. -40%. -24%. 2000. 115,609,339. 166,197,604. 243%. 118%. 1999. 33,734,851. 76,305,102. 80%. 51%. 1998. 18,760,433. 50,422,413. -25%. 15%. -8%. 37%. 24,637,099. 28,765,991. 59%. 49%. 15,486,015. 19,336,071. al. 12,333,923. n. 1993. 10,231,475. 1992. 6,634,098. Ch. e n6,510,766 gchi U. y. 39,400,179. sit. 22,605,652. 51%. er. ‧ 國. 11%. io. 1994. 43,926,641. Nat. 1995. 11%. ‧. 1996. 25,088,995. 學. 1997. 立. 政治大. v ni. 57%. 54%. 89%. 16%. 45%. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報研發能力為晶圓代工的關鍵因素，聯電與台積電無不積極發展先進技術，皆投入大量研究發展費用（圖 8 研究發展費用之比較），然而客戶對聯電產品的附加價值評價似不如台積電高。透過生產技術將原料製成產品，因此產品售價與原料成本的差額代表技術的附加價值。因毛利為營業收入減營業成本22，能間接推. 22. 營業成本為使存貨達到可售或可用於生產的狀態及地點所發生的必要支出，簡言之，將. 原料變成存貨，在生產過程中的支出即為營業成本。營業費用為企業從事營業活動所產生的費用， 27.

(36) 論客戶對該公司技術的評價，也就是公司的研發能力高低。因此將兩家公司的營業毛利率做比較（圖 9 營業毛利率之比較），至 1996 年起，除 2000 年23外，台積電的營業毛利率皆高於聯電，代表客戶給予台積電生產技術較高的評價，聯電的研發技術尚未領先業界龍頭。以 12 吋晶圓產品製造的先後，也可看出聯電的研發技術尚落後台積電，台積電於 2000 年在台南晶圓六廠的十二吋晶圓生產線，研發出業界首批 12 吋晶圓產品。而聯電則至 2001 年跟進設立 12 吋晶圓廠。. 圖 8 研究發展費用之比較. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. i Un. v. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. 如管理費用、銷售費用、研究發展費用。 23. 該年聯電獲取大量歐洲訂單，營業收入成長率高達 243%，晶圓廠擁有高固定成本的特質，. 因此在機器設備維修成本固定下，隨著生產越多產品，每單位產品的帄均成本「（變動成本＋固定成本）/營業收入」便隨之下降，毛利率變逐步提昇，此為 2000 年聯電毛利率突升高的原因。 28.

(37) 圖 9 營業毛利率之比較. 立. 政治大. ‧ 國. 學. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. ‧. sit. y. Nat. 從 1994 年至今，晶圓代工佔聯電產值比例不斷上升，但仍未完全專注於晶. io. er. 圓代工。而台灣晶圓代工龍頭—台灣積體電路公司（TSMC）在 1987 年由工研院資產分割後，以晶圓代工為唯一產值來源，因此晶圓代工佔台積電全部的產值，. al. n. iv n C 專注於晶圓代工製程技術的發展（圖。 h e n10g晶圓代工佔公司產值的比重） chi U. 以上數值與廠房技術分析，支持推論：聯電的研發技術進展較台積電緩慢，尚未握有高階且多功能的產品與客戶建立穩健的合作關係、具有利的談判籌碼、維持穩定的現金流量，因此面臨 2001 年全球 IC 市場衰退、中國大陸競爭對手的崛起，這些危機顯示聯電需採取積極策略，建立競爭優勢。因此成為聯電迫切協助大陸和艦的眾多理由之一。. 29.

(38) 圖 10 晶圓代工佔公司產值的比重. 政治大以兩家的收入來源作比較：相較於台積電，聯電營收較小（圖 11 營業收入立資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. ‧ 國. 學. 淨額圖、表 8 營業收入淨額與成長率），但認列和處分的投資受益佔營收比例高，以聯電的營業外收入與本業的營業收入相比（圖 12 營業外收支/營業收入），其. ‧. 變動程度比同業台積電高出許多24，表示聯電除了本業之外，另經營其他業外項. sit. y. Nat. 目；而台積電轉投資保守。. n. al. er. io. 圖 12 營業外收支/營業收入. Ch. engchi. i Un. v. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報. 24. 聯電 1999 年營業外收支/營業收入淨額高達 53.91％，原因在於處分固定資產利益與兌換. 收益此兩項營業外收益高於前幾年。 30.

(39) 綜合以上，聯電並非為專注晶圓代工的公司（圖 6 聯電 2000 年產品產值比重、圖 10 晶圓代工佔公司產值的比重），且將部份資源投資於業外領域（圖 12 營業外收支/營業收入），雖也投入研發費用，但其金額仍未超越台積電（圖 8 研究發展費用之比較），長期下來，導致聯電的研發技術未趕上台積電（圖 9 營業毛利率之比較），研發技術並未能穩佔龍頭寶座，因此面臨中國大陸競爭者的崛起，倍感威脅，雖晶圓技術非一蹴可幾，但大陸政府積極扶植 IC 產業，引進外商進行投資與技術移轉，並加上大陸極具潛力的市場當幕後推手的情況下，將收入大量投入研發費用，大陸的晶圓製程技術可能突飛猛進，相較於技術龍頭台積電，聯電倍受大陸競爭者的威脅。且聯電的 IC 產品運用範圍較侷限於通訊應用. 治政市場，不如台積電的產品應用範圍廣泛，無法擁有分散風險的利益，因此面對大立 2001 年全球不景氣，所受衝擊遠大於台積電，基於以上理由，聯電管理階層極 ‧ 國. 學. 思如何帶領公司面對世界潮流，需積極採取行動。. ‧. 聯電思考投資中國大陸的利與弊。中國大陸祭出的 IC 產業發展政策以及龐. sit. y. Nat. 大的 IC 內需市場，中國大陸對聯電而言是成長的機會，但同時又是潛在競爭者. n. al. er. io. 的關係，聯電究竟如何進行國際投資案的分析?下章將進行研究。. Ch. engchi. 31. i Un. v.

(40) 第四章國際投資決策面面對 2000 年全球 IC 產能與人才閒置、維持台灣 IC 製造的龍頭地位、中國大陸 IC 市場形成的機會與競爭者威脅，聯電面臨是否前往大陸投資的決策，分析以下吸力與斥力：. 第一節強大的內需市場：. 政治大中國大陸人口數為全球第一，人口成長率為全球之冠，且每人可支配所立. 學. 得持續增加，因應民眾需求以及中國政策「家電下鄉」的實施下，未來消費. ‧ 國. 將側重於消費性電子產品以及家電，下游 IC 應用需求帶動上游 IC 量需求，. ‧. 預計 IC 銷售量可觀。（圖 13 2001 年大陸 IC 市場銷售額）而中國政府祭出. sit. y. Nat. 所得稅五免五減半、附加價值稅減免等多項優惠，使得單個 IC 產品的淨利. io. 提昇，銷售量大再加上高淨利，整體的淨利吸引廠商直接於大陸設廠，貼近. n. al. er. a). 投資利益. 內需市場並享受當地政策優惠。. Ch. 圖 13 2001 年大陸 IC 市場銷售額. engchi. i Un. v. 資料來源：工研院經資中心 IT IS 計畫（2002/04） 32.

(41) 而在 1990 年代中期以前，大陸電子產品市廠主要的成長推力來自於消費性電子產品，如電視機、錄放影機、收音機等，到了 1990 年代中後期轉變為電子信息產業的發展（表 9 2001 年 12 月大陸主要電子產品產銷統計），對聯電而言，專注於通訊 IC 晶片的製造，中國大陸市場提供通訊 IC 晶片的強勁需求，使聯電有極大的誘因前往大陸佈局。表 9 2001 年 12 月大陸主要電子產品產銷統計. 生產量. 單位. 本月累計. 程控交換機. 萬部. 電話單機. 萬部. 收錄音機. 7,923. 61.0%. 立. 9,432. 18.2%. 4,149. -3.8%. 111. 29.3%. 4,599. 5.4%. 4,280. -0.3%. 1,480. 0.1%. 1,045. 27.1%. 1,821. 40.6%. -4.6%. 萬部. 113. 29.6%. 萬部. 4,258. -3.0%. 萬部. 3,952. -1.9%. 萬部. 1,530. 0.4%. 1,073. 29.0%. ‧ 國. 4,278. Nat. 彩色電視機. 55.0% 治政9,370 16.0% 大 8,351. io. al. ‧. 電視機. MOM. 學. 傳真機. 本月累計. y. 萬部. MOM. sit. 行動電話手機. 銷售量. er. 產品. v ni. 萬部. 影音光碟機. 萬部. 錄影機. 萬台. 498. 11.7%. 498. 11.2%. 個人電腦. 萬部. 758. 7.0%. 751. 8.2%. 伺服器. 萬部. 10. 46.5%. 10. 41.1%. 筆記型電腦. 萬部. 8. 203.7%. 8. 215.4%. 顯示器. 萬台. 3,356. 14.9%. 3,203. 17.8%. 印表機. 萬台. 603. 6.9%. 601. 7.5%. 映像管. 萬部. 5,510. 2.9%. 5,566. 9.1%. 彩色映像管. 萬個. 4,948. 4.5%. 5,004. 11.2%. n. 組合音響. Ch. U e1,890 n g c h i42.6%. 33.

(42) IC. 萬顆. 55. 0.1%. 54. 2.5%. VLSI. 萬顆. 14. -3.7%. 14. -3.8%. 資料來源：大陸信息產業部經運司；工業院經資中心 IT IS 計畫（2002）. b). 牽制大陸廠商發展：中國大陸透過政策，保護在當地生產 IC 的廠商，若聯電不前往大陸投資，只會使得大陸廠商在中國當局的扶持下，發展 IC 技術，使得其低階的 IC 產品25與聯電競爭。大陸廠商因政策使得 IC 生產成本低，產品在市場上. 治政大具有價格優勢，而取得低階 IC 的中國市場佔有率，甚至搶進世界市場。立 ‧ 國. 學. 2001 年大陸晶圓廠技術主力仍為五到六吋為主，該年八吋晶圓廠只有三座，且大陸的製程技術為 0.25 微米(表 10 大陸主要晶圓廠基本資料)，與. ‧. 八吋晶圓的先進技術 0.18 微米仍有差距，若聯電前往大陸投資 IC 廠，因聯. Nat. sit. y. 電較早進入 IC 產業以及在全球晶圓代工領域擁有技術優勢，可技術移轉. n. al. er. io. 0.18 微米至中國大陸（事後證明，和艦確實掌握 0.18 微米技術），投入量產，. i Un. v. 即能迅速在大陸取得市佔率，未來將大陸營業額的一定比例回撥台灣，投入. Ch. engchi. 研發，台灣研發技術將因此提高，掌握關鍵技術，再將技術轉移給大陸，但同時向大陸收取技術權利金。透過此一機制，大陸廠商將處於被動接收知識與技術，受聯電牽制，因 IC 業者至市場當地投資設廠，最主要以先進者優勢，利用技術與知識壓制當地廠商，避免當地廠商成為日後威脅的競爭者，例如：聯電至新加坡設廠，即為此考量。. 25. 因為 IC 產業的製成微縮技術，落後者要追上領導廠商是非常不容易的事，因此中國 IC 業. 者無法在短期間生產高階的 IC 產品，與技術先進廠商匹敵，只能先發展低階 IC 產品。 34.

(43) 表 10 大陸主要晶圓廠基本資料. 廠名. 稱. 華虹. Fab1. 技術. 地. 晶圓尺寸投片. 產能（片主要產品. （um）. 點. （in）. 年份. /月）. 0.25. 上. 8. 1999. 20,000. 海. NEC. 首鋼日. NA. 北. 0.6. 電. NA. 1994. 0.35. 立. 上. 1.2. 1992. 23,000. 6. 1997. 0.25. 進. 上海貝. 嶺. MCU、LOGIC 與晶圓代工. 晶圓代工. 上. 晶圓代工. 海 C h 上. 8. 2003. 30,000. 晶圓代工. 4. 1988. 16,000. 自有產品與晶. engchi. 15,000. i Un. v. 海. Fab1. 1.2. 嶺. 上海貝. 與晶圓代工. y. al. n Fab3. MCU、LOGIC. sit. io. 0.5. 5. 海. Nat Fab2. 政治大北 8 2003 25,000 京. 進. 上海先. 16,000. ‧. Fab1. 進. 上海先. 6. 學. 電. 上海先. 晶圓代工. 京. ‧ 國. 首鋼日. DRAM 生產與. er. 公司名. 上海. Fab2. 0.35. 上. 圓代工. 8. 2002. 海. 20,000. 自有產品與晶圓代工. 35.

(44) NA. 無. 3. 子集團. NA. 無. 2. Fab1-A. 無. 2. 1989. 通訊、消費性 IC、ASIC. 5. 1994. 12,000. 立. 晶圓代工. ‧ 國. 8. NA. NA. 3. 1982. 5,000. 錫. 紹. 5. io. 興. n. al. NA. 5. Ch 紹. 晶圓代工. 晶圓代工. ‧. NA. 無. NA. 學. NA. 6 治1998 11,000 政大錫無. 0.8. Nat. 華越微. 1,000. y. Fab1-C. 晶. 華越微. 5. 錫. 晶. 上華華. 通訊、消費性 IC、ASIC. 錫. 晶. 上華華. 10,000. 錫. 子集團. 上華華. 1984. sit. 華晶電. 4. 消費性 IC. er. 華晶電. i Un. v. i e 4 n g c h1984. 6,000. 消費性 IC. 5. 1997. 12,500. 消費性 IC. 8. 2001. 25,000. 通訊 IC. 興. 華越微. NA. 2. 紹興. 摩托羅拉. MOS17 0.25. 天津. 36.

(45) 中芯. Fab1. 上. 0.25. 8. 2001. 42,5000. 晶圓代工. 8. 2002. 42,5000. 晶圓代工. 8. 2003. 25,000. 晶圓代工. 海. 中芯. Fab2. 上. 0.25. 海. 宏力. Fab1. 上. 0.25. 海. 華夏. Fab1. 8 治2003 25,000 政大京北. 0.25. 立. 晶圓代工. ‧ 國. 學. 資料來源：工研院經資中心 IT IS 計畫（2002/04）. ‧. c). 在全球 IC 市場取得競爭地位：. y. Nat. io. sit. 在大陸以較低成本生產、高需求得鉅額的淨利，便可累積成長能量，擴. n. al. er. 大市場佔有率，並可再度上市集資、擴充產能。因為淨利高，擁有足夠資金，. Ch. i Un. v. 可增加研發支出，精進製程技術，取得更多的智慧財產權，收取權利金，掌. engchi. 握核心技術以及創造未來 IC 趨勢，增加競爭力。在晶圓代工的領域上，聯電與台積電的競爭將更加白熱化，成為全球 IC 領導廠商之一。 d). 比較利益原則：以生產方面而言，因為 IC 產業需要大面積的地區蓋廠房，中國擁有廣大的腹地，能以較低的價格或擁有長期零地租優惠取得土地。建立 IC 產業需要大量的資金，中國提供銀行低利率貸款以及地方政府參與投資，籌資更加便利，這些都使得 IC 產品能以較低的成本生產，在世界上具有價格競爭力，攻佔他國廠商 IC 市佔率。 37.

(46) 多元化經營：. e) i.. 分散客源：企業的客源散佈於世界各地，可分散風險，因一地的經濟衰退、導致該地的銷售量不佳時，仍有其他國家經濟狀況佳，購買 IC 產品，例：2000 年全球 IC 景氣不好，但中國地區需求強勁。總體而言，分散客源可以帄衡 IC 的需求，降低風險。2000 年聯電在歐洲地區營收佔總營收的 16% (表 11 聯電內外銷地區比重、表 12 台積電內外銷地區比重)，為台灣其他業者之冠，聯電若在大陸設廠，能持續地分散客源，外銷亞洲地區的比重將提昇。. 表 11 聯電內外銷地區比重. 立. 政治大聯電(單位：新台幣仟元). ‧ 國. 學. 銷售地區. 2001. 2000. 37%. 46,625,687. 歐洲. 10,384,521. 15%. 18,672,062. 4,430,729. 6%. 6,787,493. 1,010,601. 1%. al. y. sit. io. 其他. er. 亞洲. ‧. 25,776,028. Nat. 美洲. 1,069,011. 40% 16% 6% 1%. $41,601,879. 60%. i v$73,154,253 n U. 63%. 內銷. 28,214,920. 40%. 42,455,086. 37%. $69,816,799 100%. $115,609,339. 100%. n 外銷總計. 銷售淨額. Ch. engchi. 資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報、聯電股東會年報 2001. 38.

(47) 表 12 台積電內外銷地區比重. 台積電(單位：新台幣仟元) 銷售地區 2001 美洲. 63,896,732. 亞洲. 23,874,375. 歐洲. 7,523,873. 外銷總計內銷. 2000 51%. 81,686,803. 49%. 42,906,968. 26%. 6%. 11,360,517. 7%. $95,294,980. 76%. $135,954,288. 82%. 30,589,912. 24%. 30,243,316. 18%. 19%. 100% $166,197,604 100% 政治大資料來源：Taiwan Economic Journal (TEJ)台灣經濟新報、台積電股東會年報 2001 立銷售淨額. $125,884,892. ‧ 國. 學. 且比較聯電與台積電兩公司的重要客戶發現（表 13 重要客戶佔營收比重之比較），2000 年聯電前兩大重要客戶佔全公司營收的 51％，而台積. ‧. 電第一大重要客戶只佔全公司營收 17%，顯示聯電客戶過於集中，應採. Nat. er. io. sit. y. 取行動，分散客戶源，避免受到單一客戶影響過深。表 13 重要客戶佔營收比重之比較. n. al. 公司. 聯電. Ch. 重要客戶. engchi. UMC Group (USA). UMC BV. 台積電. 甲客戶. iv n 銷貨金額（比例） U 1999. 2000. $42,609,198. $27,055,238. (41%). （42%). $11,849,367. $6,038,583. (11%). (9%). $10,307,244. ＄21,789,769. (6%). (17%). 資料來源：聯電股東會年報 2001、台積電股東會年報 2001 39.

(48) ii.. 分散生產風險：各國領導業者在世界各地建立廠房，不僅只依照比較利益原則而全球化供應鏈，另一部份原因為分散生產風險，若一地廠房無法運作（例：地震等），仍有位於其他國家的廠房作為彌補。聯電已在 2000 年於日本、新加坡以及台南科學園區大額投資、設立廠房。若在中國大陸建廠房，更有助於全球化的佈局，分散生產風險。. iii.. 創造與外商的合作機會：若在中國設廠，因為 IC 產業群聚效應，該地系統廠商或是 IDM 彼此能享有外溢效果，或進行合作、整合技術、彼. 政治大. 此分享，最終使聯電公司價值上升。. 立. ‧ 國. 學. 以上吸力因素，尤以中國廣大的內需市場、牽制大陸廠商以及取得全球 IC. ‧. 市場競爭地位較為重要。. y. Nat. io. n. al. sit. 投資風險. er. 第二節台灣法規的限制. Ch. engchi. i Un. v. 台灣與中國大陸的政治關係敏感，使得台灣政府在兩岸的經濟交流方面，立政策、設限制，從 1996 年 9 月 14 日，當時的李登輝總統為了以免臺灣喪失研發優勢以及資金過度失血，提出「戒急用忍」政策，明確界定：「高科技、五千萬美金以上、基礎建設」三種投資應限制前往大陸投資。此項政策發表後，即遭到工商業界的質疑，並引發「國家及社會安全與企業利益間如何取得帄衡」的辯論。2000 年陳水扁當選總統後，適逢世界經濟不景氣，產業界方面要求鬆綁「戒急用忍」政策聲音加劇，於是陳水扁總統將「戒急用忍」政策改為「積極開放，有效管理」。而 2006 年 1 月 1 日，在元旦談話中，將政策改為「積極管理，有效開放」。 40.

(49) 聯電決定協助和艦時間點於 2001 年 8 月，而攸關台灣企業前往大陸投資晶圓廠的法規在 2002 年 08 月 12 日才有明確的規定—「在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點」，而後經過番修改至目前 2011 年 3 月 22 日為最新相關法條。因此在 2001 年，雖政府採「積極開放，有效管理」的政策，但並未有明確的法條規範台灣企業家至大陸投資晶圓廠需注意的事項。因此前往大陸投資晶圓廠，對台灣企業家具有相當的法律風險。曹興誠（2006）指出，根據 2002 年 08 月 12 日法律條文「在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點」26，只允許台灣 IC 業者至大陸投入八吋晶圓的製造，此並非最新技術，策略價值有待商榷。且具有投資大陸的金額上限，使得台. 治政灣業者無法依市場及資金需求投入適當的投資金額。如依照台灣通過的法制，IC 大立業者前往大陸投資，受多項限制，獲利機會不高，甚或是賠錢機率較大。且申報 ‧ 國. 學. 投資，必頇經過政府經濟部設立的審查與監督小組審核，並給予批准，前往大陸. ‧. 投資的時機就在核准過程中消逝。. sit. y. Nat. 若不經過批准，擅自前往大陸進行投資，將面對台灣法律的訴訟，涉及行政. io. 名譽受損，影響公司未來獲利與發展。. n. al. 第三節. Ch. engchi 國際投資決策. er. 法、民事法以及刑事法，不僅遭受罰款與罰鍰的懲罰，甚至被判刑期，使得公司. i Un. v. 在 Modigliani and Miller（1958）的完美市場假設下：無稅、無交易成本、無發行成本、資訊對稱、投資人具同質性預期…等，公司將利用 Tobin’s (1969) Q 衡量投資機會，並執行最適的投資決策。然而在市場非完美的情況下，Stein (2003) 綜合近年來理論與實證的結果，除衡量投資機會外，資訊不對稱以及代理問題將會影響公司投資決策，例：在經理人的薪資酬勞結構影響下，經理人會過度追求 26. 根據新竹地方法院刑事判決 95 年度矚訴字第 1 號 p2：政府對高科技產業投資大陸政策為「積. 極開放、有效管理」，並未全面禁止赴大陸投資，又 8 吋以下晶圓鑄造，為政府重點發展產業，特予各項租稅優惠及投資抵免。完整條文內容，請參閱附錄。 41.

(50) 規模，而投資淨現值小於零的投資專案，產生代理問題。Shimin Chen et al. (2011) 更進一步提出，政策的干擾也會導致不效率的投資以及扭曲公司的投資決策。面對是否投資大陸帶來的優缺點，聯電以公司策略角度進行分析，因為聯電並不像台積電只專注在晶圓代工方面，聯電公司資源相對分散，且技術未台積電領先全球，所以面臨中國大陸廠商(例，中芯與宏力公司)的崛起倍感威脅，在晶圓效能差異不大的情況下，晶圓代工的需求者：IDM 大廠，必會選擇成本較低的地區生產，或是以其強大的議價能力，迫使聯電公司壓低晶圓售價；再者，聯電面對強大的中國 IC 內需市場，看準未來商機，若不在此時進入中國大陸，必會在未來付出無法擠進中國價值鏈的一部分，甚至喪失在國際上的競爭力。. 治政曹興誠（2009）道：「政府通過的辦法，並不利台灣廠商到大陸投資，聯大立電公司如果依此辦法到大陸投資，無法施展手腳，賠錢機率甚高，為了維護聯電 27. ‧ 國. 學. 公司股東的權益，除非台灣的管理辦法有所改進，伊個人不主張聯電公司到大陸. ‧. 投資，但若大陸市場發展迅速或大陸政府傾全國之力單獨扶植上海中芯公司，可. sit. y. Nat. 能會讓聯電公司面臨嚴重威脅，甚至遭到淘汰，故認若扶植和艦公司，以其從市. io. er. 場、資金、人才、政府優惠等各方面在大陸牽制中芯，則不會讓中芯公司輕易坐大，並讓聯電公司短期內不必到大陸冒虧損的風險，長期還可以藉合併和艦公司，. al. n. iv n C 迅速進軍大陸，不至於貽誤商機，h 這是對聯電公司最有利的做法，協助和艦公司， engchi U 是為了聯電公司的利益，不是為了和艦公司的利益。」. 「伊等協助和艦公司是一個事實，伊等希望它成功，希望它發揮牽制中芯的作用，實際上也有達成效果，伊等協助和艦之後，覺得和艦已經差不多了，策略目標就是要把和艦公司併過來，伊等幫助和艦公司，是為了聯電公司的利益，是長遠的規劃，是一種策略，股東、董事會都認定是合於聯電公司的利益。」宣明智（2009）28「聯電公司對和艦公司的協助，與聯電公司對協助其他友 27. 臺灣高等法院刑事判決 98 年度上重更(一)字第 60 號. 28. 臺灣高等法院刑事判決 98 年度上重更(一)字第 60 號 42.

(51) 廠相較，其不同點在於和艦公司位於大陸，故聯電公司必頇遵守法律對大陸地區的規範，不得涉及資金及技術，曹董對伊下達協助和艦的策略指示時，即明確指示對和艦公司的協助，必頇符合政府法令」. 為聯電長期的利益，長遠的規劃下，必頇牽制中芯在中國大陸的發展，然而因法規限制下，聯電前往大陸投資並無法達到最大的效益，因此聯電採取策略為符合政府法令下，協助和艦成立，彼此為友好企業，順利牽制中芯。並期望在未來兩岸法規開放後，聯電能透過合併和艦，取得中國大陸的 IC 版圖。. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 43. i Un. v.