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發光二極體及其製造方法

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【11】證書號數:I552379

【45】公告日: 中華民國 105 (2016) 年 10 月 01 日

【51】Int. Cl.: H01L33/12 (2010.01) H01L33/64 (2010.01)

發明     全 5 頁  【54】名  稱:發光二極體及其製造方法

LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 【21】申請案號:101123211 【22】申請日: 中華民國 101 (2012) 年 06 月 28 日 【11】公開編號:201401553 【43】公開日期: 中華民國 103 (2014) 年 01 月 01 日 【72】發 明 人: 曾永華 (TW) TZENG, YON HUA;陳柏穎 (TW) CHEN, PO YING;陳勁宇

(TW) CHEN, CHIN YU;簡韜 (TW) JIAN, TAO;張駿晟 (TW) CHANG, CHUN CHENG

【71】申 請 人: 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人: 吳冠賜;蘇建太 【56】參考文獻: US 2002/0114963A1 US 2008/0142813A1 US 2006/0211222A1 WO 2011/096432A1 審查人員:簡信裕 [57]申請專利範圍 1. 一種發光二極體,包括:一發光單元,係為一具有 PN 接面之半導體晶片;以及一散熱 膜層,係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層,且該緩衝 層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層係依序層疊設置於該發光單元上; 其中,該緩衝層係為一由鉻(Cr)及金(Au)依序層疊設置於該發光單元上之雙層結構。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體,其中,該散熱膜層更包括至少一第二鑽石金 屬層以及至少一第二附著層,且該第二鑽石層及該第二附著層係設置於該第一鑽石金屬 層及該保護層之間。 3. 如申請專利範圍第 2 項所述之發光二極體,其中,該第二鑽石金屬層以及該第二附著層 係交互層疊。 4. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體,其中,該第一鑽石金屬層係為一鑽石顆粒及 金屬所組成之複合材料。 5. 如申請專利範圍第 4 項所述之發光二極體,其中,該鑽石顆粒係為單晶鑽石、多晶鑽 石、類鑽碳或其組合。 6. 如申請專利範圍第 4 項所述之發光二極體,其中,該金屬係為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、 鋁(Al)或其組合。 7. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體,其中,該第一附著層及該保護層之組成係各 自獨立為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)或其組合。 8. 如申請專利範圍第 2 項所述之發光二極體,其中,該第二附著層之組成係為金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)或其組合。 10530

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-9. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體,其中,該發光單元之組成係為氮化鎵(GaN)、 磷化鎵(GaP)、磷化砷鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鋁鎵铟(AlGaInP)、氮化铟鎵 (InGaN)或其組合。 10. 一種製造發光二極體之方法,包括:設置一發光單元於一基板上;以及設置一散熱膜層 於該發光單元上,其中,該散熱膜層包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層 以及一保護層,且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層係依序層 疊設置於該發光單元上;其中,該緩衝層係為一由鉻(Cr)及金(Au)依序層疊設置於該發光 單元上之雙層結構,且該第一鑽石金屬層係以電鍍法設置。 11. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法,其中,該緩衝層係以濺鍍法設置。 12. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法,其中,該散熱膜層更包括至少一第二鑽石金屬層以 及至少一第二附著 層,且該第二鑽石層及該第二附著層係設置於該第一鑽石金屬層及該 保護層之間。 13. 如申請專利範圍第 12 項所述之方法,其中,該第二鑽石金屬層以及該第二附著層係交互 層疊。 14. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法,其中,該第一鑽石金屬層係為一鑽石顆粒及金屬所 組成之複合材料。 15. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法,其中,該第一附著層及該保護層之組成係各自獨立 為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)或其組合。 16. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法,其中,該發光單元之組成係為氮化鎵(GaN)、磷化 鎵(GaP)、磷化砷鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鋁鎵铟(AlGaInP)、氮化铟鎵 (InGaN)或其組合。 圖式簡單說明 圖 1 係本發明一製備例之發光二極體。 圖 2 係本發明一實施例之發光二極體。 圖 3 係本發明另一實施例之發光二極體。 圖 4 係本發明一實施例之拉曼光譜圖。 圖 5 係本發明一試驗例之熱阻分析圖。 (2) 10531

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參考文獻

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