[PDF] Top 20 低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體
Has 10000 "低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體" found on our website. Below are the top 20 most common "低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體".
低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體
... 此將開啟白光發光二極體邁入照明應用之門檻。又將孕育一場新產業 革命—半導體照明產業革命，其標誌為半導體燈將逐步替代白熾燈與 螢光燈。半導體作為新型高效固態光源，其照明光源具長壽命、節能、 ... See full document
85
對 利用水熱法成長氧化鋅奈米柱提升氮化鎵發光二極體
... °C下三分鐘形成氧化鋅晶種層。第二步驟使用硝酸 鋅及六亞甲基四胺溶解至DI水中，隨後放入已成長好晶種層的基板，水熱法的溫度控制在95 °C下三個小時 形成氧化鋅奈米柱。本實驗與文獻相比之下，我們採取通過連續離子層吸附和反應及水熱法成長氧化鋅奈 ... See full document
3
具有奈米柱陣列之發光二極體及其製造方法
... 【54】名 稱：具有奈米柱陣列之發光二極體及其製造方法 【21】申請案號：097129647 【22】申請日： 中華民國 97 (2008) 年 08 月 05 日 【11】公開編號：201007974 【43】公開日期： 中華民國 99 (2010) 年 02 月 16 日 【72】發 明 人： ... See full document
9
氧化銦錫奈米柱狀結構應用於提升氮化鎵發光二極體之出光效率
... 2-2-1. 電流分佈不當 對藍光發光二極體而言，p型GaN摻雜不容易調高，在GaN或InP材料中，成 長p型摻雜薄膜大都採用Zn為主要摻雜物，但在GaN薄膜中若用Zn為摻雜物，因 其能階較深，即使成長完再經熱處理，薄膜導電性仍接近絕緣體，無法得到高濃 度 的 p 型 氮 化 物 薄 膜 通 常 採 用 Mg 摻 雜 成 長 ... See full document
90
氮化鎵發光二極體成長於奈米柱模板之特性研究
... 在本論文中，我們成功地利用分子束磊晶技術將氮化鎵奈米柱模板成長於藍 寶石基板上，並利用有機金屬氣相沉積法將高效率發光二極體成長在奈米柱模板 上。從側向的掃描式電子顯微鏡影像中我們可以清楚觀察到奈米等級的空氣孔洞 ... See full document
77
聚亞醯胺發光二極體及奈米複合材料之合成與特性研究
... 顯示良好的熱安定性及機械性質。這些聚亞醯胺也均有螢光特性，而且螢光強度 跟分子鏈的排列有密切的關係。進一步將合成之聚亞醯胺製作成單層發光二極體 元件，只有 BAO-ODPA 和 BAO-6FDA 兩種聚亞醯胺觀察到電致發光性質， BAO-PMDA 和 BAO-BPADA ... See full document
128
p-i-n結構氧化鋅發光二極體之研究
... 氧 化鋅為一寬直接能隙材料，被視為增進光電元件特性的理想材料，然而目前對於獲 得p型氧化鋅和i型氧化鋅尚有難度，原因在於氧化鋅材料本身的氧原子缺位或鋅原子間 隙引起的補償效應，造成材料易形成n型。本研究使用兩種創新的方式得到p型與i型氧 ... See full document
2
薄膜式p-i-n結構氧化鋅發光二極體之研究
... 研究主要是以氣相冷凝法成長薄膜式p-i-n結構氧化鋅發光二極體，圖一為發光二 極體結構之示意圖。在氣相冷凝蒸鍍系統中，蒸鍍材料受熱由固相轉為氣相，沿著抽 ... See full document
2
薄膜式n-i-p結構氧化鋅發光二極體之研究
... 本 研究主要是以氣相冷凝法成長薄膜式n-i-p結構氧化鋅發光二極體，圖一中插 圖為薄膜式n-i-p結構氧化鋅發光二極體之示意圖。在氣相冷凝蒸鍍系統中，蒸鍍材 ... See full document
2
側鏈含有奈米結構之高分子電激發光二極體
... 光色。 為了改善這些缺點，選擇導入多立面體聚矽氧烷(POSS) 於高分子材料之 側鏈期望以防止氧化及減少分子堆疊，使得高分子的光色及熱穩定性進一步改 良，可廣泛地應用在顯示器的發光材料上。此方法所合成之高分子奈米複合材料 ... See full document
124
氧化鋅奈米線應用於發光二極體之研製
... 感謝旭明光電股份有限公司朱振甫博士、工業技術研究院電子與光電研究 所劉君愷博士，與臺師大機電科技學系主任程金保教授，在論文口試時提供諸 多指教與建議，使本論文更臻嚴謹與周延。本研究的進行，須使用到許多檢測 設備，在這方面要感謝臺灣師範大學薄膜暨接合工程實驗室於掃描式電子顯微 鏡、能量分散式光譜分析儀與四點探針等儀器的協助、臺灣師範大學顯微光譜 ... See full document
225
p-i-n結構氧化鋅發光二極體之研究
... By fabricating the structure of p-i-n ZnO light-emitting diodes, the first step used ZnO and AlN as the sputtering targets to cosputter p-ZnO thin film on sapphire substrate, and then t[r] ... See full document
2
薄膜式n-i-p結構氧化鋅發光二極體之研究
... In order to fabricate the p-ZnO film for the n-i-p ultraviolet light-emitting diodes, tungsten boats filled with the ZnO and LiNO 3 powders, respectively, were heated in the vapor cooli[r] ... See full document
2
薄膜式p-i-n結構氧化鋅發光二極體之研究
... I n this study, vapor cooling condensation system was used to implement the thin-film type ZnO-based p-i-n light-emitting diodes as shown in Fig.. In the vapor cooling condensation sys[r] ... See full document
2
固態擴散法合成摻混銅之氧化鋅奈米材料
... ZnO 之光性，目前已經有許多團隊致力於研究各種元素的摻雜 如 Al[7]、Pt[8]、Ag[9]、Au[10]、Ni[11]等元素。此外，ZnO 的光學性質 與其內部自由電子密度有絕對的關係，藉由摻雜也能改變自由電子的密 度，導致能隙寬化或窄化的現象，若出現窄化的現象為自由電子的吸收 效應，而能隙寬化的現象則為 Burstein-Moss 效應[12]，到目前為止，常 ... See full document
126
奈米螢光體之低溫合成與光學特性研究
... 摘 要 在本研究中，主要在探討氧化鋅、鋁酸鋅和鹵磷酸鹽的奈米螢光體化學反應 合成與物性及光學性質。首先對在氧化鋅生成反應，發現在ZnO/Si基板上，在 75 o C時，可合成沿c軸方向高密度的氧化鋅奈米棒。且使用氮氣氛去作熱處理， ... See full document
14
鈷/氧化鋅奈米柱的磁光特性
... 1 第一章緒論 1-1 研究背景 自從人們發現電子的自旋特性，便積極的研究此電子特性，而因此自旋電子學的 研究開始誕生，隨著半導體元件開發尺寸的縮小，微觀下的物理特性就會開始展 現，電子元件的設計，不再只有單純巨觀的電子電路學，必須考慮其相關的量子 特性，而電子的自旋特性就是其中一項，將電子自旋特性結合至電子元件的設計 ... See full document
51
金/鈷氧化鋅奈米柱的磁光特性
... 所代表的意義，在這篇論文裡提出了一個新的概念去解釋。氧化 鋅的 excitons 與銀奈米粒子的 plasmons 會耦合變成 plexcitons，而 plexcitons 根 據它形成方式的不同會具有不一樣的能量，而且依據能量高低別對高能量命名 為 E Up ，低能量為 E Lp ... See full document
45
單一摻鈷氧化鋅奈米柱低溫強磁之電子傳輸行為研究
... IV 誌謝 兩年的碩士生活一轉眼就過了，回想起來充滿了許多的感謝，沒有這些 人這些事在我生命中，這兩年的碩士生活一定會少了許多的歡笑和色彩，首 先要謝謝我的指導教授孫建文老師，記得剛考上研究所去找您當指導教授的 時候，對您的印象就是超快回信和超大的字體還有爽朗的笑聲，在研究所的 這段時間發現老師是一個思考很快總是可以看到我研究上盲點的聰明人，謝 ... See full document
105
奈米級硫氧化釓螢光體水熱法合成與發光特性之研究
... 奈米級硫氧化釓螢光體水熱法合成與發光特性之研究 A Study on the Hydrothermal Synthesis and Luminescent Properties of Gadolinium Oxysulfide Nanophosphors 研 究 生：林盈志 ... See full document
2
相關主題