[PDF] Top 20 低維度氮化鎵族發光元件之研究
Has 10000 "低維度氮化鎵族發光元件之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "低維度氮化鎵族發光元件之研究".
低維度氮化鎵族發光元件之研究
... Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國九十四年六月 研 究 生：薛道鴻 指導教授：王興宗 博士 郭浩中 博士 Mr. Tao-Hung Hsueh Dr[r] ... See full document
2
奈米製程技術在氮化鎵相關發光元件之研究
... 摘 要 本論文旨在於探討氮化鎵族奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四 個部分，第一部份為研究氮化鎵銦表面奈米粗化發光二極體之光輸出特性，其包含了元件的製作、 ... See full document
16
氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫一：氮化物藍光波段元件結構磊晶研究
... GaN 族光電元件結 構之研究與磊晶成長。在此計畫中我們成 功的利用化學氣相磊晶法完成 p 型氮化鎵 成長，In x Ga 1-x N/GaN 多重量子井結構之磊 晶成長與特性分析和 LD 元件結構之磊晶 ... See full document
4
氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫I：氮化物藍光波段元件結構磊晶研究(II)
... 這種紫外光波長或藍光波長之二極體雷 射，可以應用在高容量、高密度的光學資訊儲存系 統上。也正因為三五族氮化物半導體是現代高科技 產業極重要的材料，近來更引起產業界與學術界的 積極投入相關的研究。雖然，目前已有商業型的產 品問世，但是對於三五族氮化物的研發仍有相當的 挑戰性，例如提高發光二極體的亮度，增長二極體 ... See full document
8
次世代高效率氮化鎵發光二極體之奈米製程與元件特性之研究
... 本論文主要在於開發製作氮化鎵奈米結構並應用奈米結構於氮化鎵發光二極體元 件上，同時研究奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四個部 ... See full document
145
利用有機金屬氣相沈積法成長氮化鎵量子侷限發光元件之研究
... 這些年來跟著實驗室一起成長，感謝實驗室學長姐和學弟妹的幫忙與討論，也感謝 郭浩中老師的指導，提升了我的研究的廣度;盧廷昌學長在成果發表的幫助，不厭其煩 的幫我修改論文，特此感謝。研究過程中，要感謝佳鋒學長的提攜與機台的教導，讓我 能夠順利進入氮化鎵長晶的研究領域;哲偉能夠在微共振腔元件草創時期勇敢扛下製成 ... See full document
188
氮化鎵面射型發光元件之研究
... 外，又可以避開 P 型電極採用 N 型電極且減少元件串聯電阻值，然 而採用此結構會使得元件的起始電壓增加約 1 V 左右，以供電子克 服穿透能障。 3.在電激發螢光的半高寬與元件共振腔 Q 值改進方面：除了提高元件 下層 AlN/GaN DBR 反射率外，由於上層介電質的布拉格反射鏡之反 射率可較容易提升，增加介電質鍍膜的對數到 6 或 7 層，便可以提 ... See full document
94
氮化鎵奈微米共振腔發光元件研究
... 首先，透過在量子井上成長氮化鋁，做為混合式布拉格反射鏡氮化鎵微共振 腔結構的電流阻擋層，取代過去只有成長氮化矽在在 p 型氮化鎵上做絕緣層的 方法，以期達到更加的電流侷限效果以及側向的光學侷限。更設計了環型的透明 導電層取代原先的圓型透明導電層，希望能減少共振腔內部的損耗。接著，由於 ... See full document
107
氮化鎵光致氧化膜MOS元件之研究
... 推廣及運用的價值： 藍光氮化物元件的研發，自從日本 Nichia 公司於 1995 年成功量產高亮度的 藍綠光 LED，與 2000 年量產紫光雷射後，已造成光電半導體業界的另一項革新。 實際上，氮化鎵元件比起三十年前砷化鎵元件出道時所備受的禮遇與重視，簡直 ... See full document
5
非極性氮化鎵量子井結構與發光二極體元件特性研究
... 在室溫PL實驗中，顯示了非極性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的內建電場並 不影響其位能，且其發光強度隨著量子井厚度由3奈米增加到12奈米而減弱。除 此之外，變溫PL實驗顯示了一個較明顯的載子侷限效應(localization effect) 存 在 於 量 子 井 較 厚 的 樣 品 中 。 成 長 非 極 性 結 構 的 另 一 優 勢 在 於 極 化 ... See full document
82
高頻高功率氮化鎵微波元件技術研究
... PL 光譜圖 2. 氮化鎵/氮化鋁鎵界面成長與特性量測 對於氮化鎵高電子遷移率電晶體而言，最重要的地方為傳輸電子之二維電子井。不但需要有高濃 ... See full document
17
氮化鎵面射型雷射及微共振腔元件之研究
... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document
2
氮化鎵族面射型垂直共振腔發光元件之開發
... 本文為奈米國家型科技計畫之氮化鎵面射型垂直共振腔發光元件之開發之精簡成 果報告，內容為簡介本計畫一年所研究之實驗方法、成果以及所發表之文獻。 (二) 研究目的 本計畫預計完成之工作為建立最佳的磊晶條件及製作高反射率的短波長 DBR ... See full document
7
非極性氮化鎵光電元件之磊晶成長
... 首先我必須感謝我的指導老師們：王興宗教授、郭浩中教授以及盧廷昌教授，在 王老師對學術知識追求的渴望、郭老師對研究結果的務實、以及盧老師對實驗過程的 嚴謹風格帶領之下，著實讓我在博士班前四年，立下良好的學習基礎，更能展現個人 的研究特色。另外，我亦十分感謝美國耶魯大學韓仲教授，千里馬的這一年時間，在 他優秀學者風範的耳濡目染與薰陶之下，讓我的研究能力得到另一個提升，並敞開我 對學術的視野。 ... See full document
159
氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性之研究
... 摘 要 本篇論文研究探討氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性及回饋式理論。根據 理論，在光子晶體周期結構中雷射出射必須滿足布拉格繞射條件。因此，考慮光 致發光光譜中心波長 425 奈米，而設計光子晶體元件之晶格常數範圍 190 到 300 奈米。在室溫下，不同元件之雷射的波長範圍 ... See full document
69
從奈米到微米結構設計以達成氮化銦鎵/氮化鎵元件之高效能光擷取/光萃取
... 驗室政營學長、伯康學長的建議及鼓勵，才使我的實驗漸漸步上軌道，一步步的 從做實驗、模擬到寫出論文，也感謝老師平時在研究之外，教導我們做人處事應 有的態度及觀念，對我受益良多，也確實讓我學到了課本以外學不到的東西，我 想老師、學長教給我的想法觀念，應該會一輩子在我的生活、工作裡時時提醒、 ... See full document
80
應力調變下氮化銦鎵/氮化鎵量子井之光學特性研究
... overlap)，造成 發光效率減弱外，更使得基態複合能量減少。 近年來有許多學者陸續提出有關極化效應的研究，目的在於了解極 化電荷對於元件所造成的不良影響，並提出降低極化效應的方法，以 提升 LED 元件的內部量子效率。例如，使用 Si-doped 之量子井[1]，可 ... See full document
57
氮化鎵族量子侷限結構之光學特性研究
... 致謝 研究生涯即將邁入尾聲，在交通大學光電工程研究所求學與研究期間，可說是自求 學以來收穫與受益做多的階段。 首先，必須感謝指導教授郭浩中老師，在他的帶領與指導下，讓我在碩士兩年間走 向明確的研究方向，並在我低潮及迷失時，給予鼓勵與支持。此外，也須感謝王興宗教 授的悉心指導，教授那份對研究的熱誠與執著，深深的影響了我求學態度。 ... See full document
60
氮化鎵族奈米結構之光學特性
... 在第一部分我們利用一種新的成長方法長出高密度氮化鎵量子點之樣品，透 過原子力顯微鏡的量測得知量子點的大小會隨著SiN x 處理時間的增加而變大，藉 由光激發螢光光譜的分析顯示小量子點表現出較強的量子侷限效應，因此相較於 大的量子點其波長較短，同時我們以模擬的方式計算量子侷限效應的理論值，和 ... See full document
82
氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫III：鋁銦鎵氮化物微結構及光電特性分析(I)
... On the contrary, at lower temperature, carriers are easy to trapped by defects, which cause decaying phenomenon of blue emission.. ACKNOWLEDGMENT[r] ... See full document
5
相關主題