[PDF] Top 20 兆赫輻射時析頻譜於釔鋇銅氧薄膜及基板之研究

... YBCO 靶材置放於一旋轉馬達上，使入射之雷射光打在 YBCO 靶材 上的不同位置，主要作用為防止雷射光打在靶材同一位置上而將靶材 穿孔造成傷害並影響薄膜品質，雷射鍍膜的蒸鍍面積小，為增加蒸鍍 面積與薄膜的均勻度，我們將靶材微微傾斜於基板的法線，使火焰做 ... See full document

... 3-4-1 X光繞射儀（XRD） 本實驗所使用XRD為SEIMENS D5000系統與儀器科技中心的Bede D1系 統，靶材為Cu靶（Cu Kα λ = 1.54 Å）。XRD為一經常使用的晶體結構鑑定技 術，其試片製作簡單，且為非破壞性分析。一般XRD所使用之X光來源分為兩 種： 1.帶有高能量的電子撞擊靶材，能量產生轉移所放出的X光；2.電子加速 所產生之光子。前者所產生的 ... See full document

... 由於傳統磨刷方式會產生靜電殘留、雜質顆粒污染及損壞驅動薄膜電晶體，且聚 亞醯胺薄膜容易被強背光模組中的紫外光波段改變其配向特性。因此研究新穎的 非接觸式配向法或無機的配向材料是最為迫切的研究主題。 本論文利用具多孔性的陽極處理氧化鋁薄膜做為液晶顯示元件的配向膜。陽 ... See full document

... 從圖4-3-11中，可以看到偏壓1V下，各試片照光時間對電流增益與衰減之關係，製作 時間在30分鐘之前的AAO基板，於上製作的氧化鋅薄膜都具有較高的光電流值，但是相對載 子的生命週期就較長，反之製作時間40分鐘以上的AAO基板所製作之試片有較穩定的光電流 ... See full document

... 3 薄膜，進行TDS量測分析， 藉由此項技術分析，可以得知薄膜在THz頻率範圍下對不同頻率及溫度相關 物理量變化的行為，實驗時，須量測經樣品之訊號 和量測另一道參考 訊號 ，所需量測之兩道THz輻射時域訊號對陶瓷基板而言， 為穿 ... See full document

... 空間電光取樣技術量取高溫超導薄膜在以飛秒脈衝雷射激發下，產生 之兆赫茲電磁輻射波的時域暫態波形。另外，由已建立之兆赫茲時域 頻譜量測分析技術，研究氧化物薄膜與基板材料在兆赫茲波段之時域 ... See full document

... 0.17 mm 的載玻片、1 mm 的鐵弗龍、和 1 mm 的矽膠。圖 5‐5 是量測 三種基板的時域訊號，圖 5‐6 則是時域訊號經過傅立葉轉換的結果。經 過測試的結果，1 mm 的鐵弗龍有著較佳的穿透特性，而其他材料例如 玻璃在 0.5 THz 到 1 THz 這個波段的吸收很強，導致有可能即使樣品在 ... See full document

... 驗室利用脈衝雷射(PLD)蒸鍍技術在鋁酸鑭基板之兩面蒸鍍釔鋇銅氧 及摻鈣釔鋇銅氧薄膜；脈衝雷射鍍膜技術具有蒸鍍速率高，可作多元 素化合物組成蒸鍍，以及不需額外電源即可產生電漿環境等優點。近 ... See full document

... 48 圖 3-3 不同基板溫度的(0015)繞射峰比較。 由圖 3-3 中可以從半高寬的溫度趨勢來判斷出其最佳條件出現 在 200 O C，隨著基板溫度上升或下降，半高寬逐漸變寬。而如果由 (0015)繞射峰的強度來判斷薄膜的品質，也可看出強度對基板溫度的 趨勢中，也是在 200 O C ... See full document

... (1) 薄膜良率不穩定： 脈衝雷射蒸鍍系統，雖然有許多優點，但樣品的良率卻不穩定，即使在相同的 鍍膜條件之下，鍍一大批樣品，每片薄膜的各項物理參數如表面平整度、薄膜平 均厚度及臨界溫度值等，仍有些許差異。主要的因素來自於，基板的加熱溫度不 ... See full document

... 2-4-2 THz 光導天線 本篇論文主要以半絕緣砷化鎵（Semi-Insulating GaAs）與半絕緣 磷化銦（Semi-Insulating InP）材料作為產生 THz 輻射的元件，利用 微影蝕刻的技術將金電極成長在半導體基板上，以提供外加偏壓對光 激自由載子做加速運動，為增加金與基板的附著效果，先鍍一層約 10nm 的鍺再鍍上約 140nm ... See full document

... 測上的協助，由於他們的鼎力相助，讓我有了畢業的機會，當然，達道與岱原也 為實驗室注入了活力，讓我在研究苦悶之餘，心情能夠獲抒解。 最後，還要感謝我的父母及鄒佩真小姐，他們是我心情的避風港，不管我遇 到了什麼問題，他們總是默默地支持我，給我鼓勵，讓我萌生勇氣，一步一步地 走完這段求學路。當然，也還有很多認識或不認識的朋友，給了我很多幫忙，在 此一併謝過。 ... See full document

... 近幾年在軟性微電子元件科技發展過程中，以沉積氧化銦錫薄膜於高分子 基材之技術引起了最多的研究興趣與關注。因此，發展一個新穎的後退火技術 用以改善氧化銦錫薄膜之特性同時不破壞高分子基板，對於其做為透明導電材 ... See full document

... 除了 GaSe 材料，矽鍺奈米微粒和氧化鋅奈米線生長及量測也大致完成。在矽鍺 奈米微粒的研究部分，利用簡單便宜的電化學製程可製備出奈米矽微晶於多孔矽 內，利用外加電流量及時間控制其深度及孔洞大小。經過多孔矽的電化學蝕刻 後，會產生奈米孔洞，再利用 RTA 製程製備出矽的奈米微粒。另外使用多孔矽配 ... See full document

... 其次是背向散射電子及吸收電子。信息將經過視訊放大器放大來調製 亮度，其中二次電子是傳導能帶的電子被電子束擊出，電子的能量約 小於50 eV，此為低能量電子，只有距離樣品表面約5~50 nm深度範圍 內所產生之二次電子，才會被偵測到，而二次電子的數量受到樣品表 面起伏狀況影響，在影像上顏色較深是二次電子散射量少的區域，可 能是凹陷的地貌，而顏色較明亮的是隆起的地貌，故以此來觀察誘發 ... See full document

... 最後，感謝我的家人從小到大對我的栽培，即便在這兩年的研究生涯中共同 經歷了許多人生無法避免的無常與創傷，他們仍舊給予我一美好的家庭環境與親 情，於我情緒低落時提供最強大的精神後盾，在生活無虞的前提下讓我能專心致 志於攻讀碩士學位。還有，我最親愛的爺爺奶奶，您們永遠是我在人生道路上的 楷模。雖然這本論文不是什麼驚天動地的非凡研究，然而記錄刻印這兩年間的實 ... See full document

... 0.6 時，不同的電洞濃度其歸一化超流體密度對歸 一化溫度的關係顯示在相同的曲線上，代表超導體機制完全發生在銅 氧面上，在 ...c 之值皆具有約略 相同性質，我們認為超導機制中古柏對之形成與費米液體與否只是充 分而非必要者。以上這些實驗結果將有助於我們檢測正確的超導機 ... See full document

... 50 Poisson 分布的次數而非時間。一開始的單一速度，隱含了此時電子 的「波動性」非常顯著，隨著時間經過數次的碰撞後，對一個電子而 言，其撞到不同次數的機率可能性開始呈現一分布，這動量分布變寬 隱含了電子的「粒子性」越來越顯著，因此，過一段時間後，或者說 達到熱平衡後，電子的速度分布就會呈現 Maxwell 分布，這就和 Drude model ... See full document

... 我們分析混合態之縱向電阻率ρxx及橫向電阻率ρxy，藉以探討具有人工釘扎反點(洞)陣列之高溫超導YBa2Cu3Oy (YBCO) 薄膜之磁通釘扎效應。利用電子束微影技術，在20 μm × 20 μm之微橋上製作出不同長寬比例之人工釘扎反點(洞)陣列( 短軸a：長軸b = 1 μm：1.6 ... See full document

... 沛霖、秉其、學智、龍進、奕帆和駐外代表怡瑱，還有七個既搞笑又令人感動的 學弟，羅誠、小冷、cc、宗瀚、澎湖仔、弘倫和小高，特別是羅誠在最後陪我熬 夜實驗卻因此流鼻血的鼎力相助，另外汎怡這些日子的照護以及激勵使我成長許 多，育甫、昱宏、及大學和之前好朋友們的幫忙與陪伴，因為你們的支持與鼓勵 讓我渡過許多的低潮並減輕相當多的負擔。 ... See full document