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化學反應

化學反應

step3:平衡式,為使式能符合質量守恆定律(前後的 原子種類、數目不變),必要時可於物或產物前加上係數,使得箭頭兩邊的 原子數目相等。如,2 Mg + O 2 → 2 MgO。 step4:如果實驗在某種條件下進行,則可於箭頭的上方或下方加以註明。

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2 化學反應速率

2 化學反應速率

1  諾貝爾 2007 年獎頒給德國家俄托c俄托成功描述物質表面發生化 的催化過程c奠定現代表面化的基礎c下列哪些與固體物質表面 催化有關? A 汽油的燃燒 B氫在氧中燃燒成水蒸氣 C過氧化氫在黑色二氧化錳中分解 出氧氣 D銅幣在硝酸汞溶液中變銀色的硬幣 E汽車觸媒轉器中一氧化碳 變成二氧化碳 F硝酸鋇溶液和硫酸溶液作用產生硫酸鋇沉澱. 【97 測】
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新第一章  化學反應

新第一章 化學反應

有生成物加剩下物)總質量。 3.說明:物質是由原子所組成,而則是原子重新排列產生新物質,於其過程 中原子的種類、數目均不變,故前後總質量不會變。 1.某方程式 3 A  2 B  C  2 D ,今有 2 . 7 g 的 A 與 4 . 2 g 的 B 一起,一段 時間後, A 完全用完而 B 則剩下 1 . 4 g 並產生了 1 . 8 g 的 C ,則可得 D 多少公克?

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N-烷基二苯胺光化學反應

N-烷基二苯胺光化學反應

主持人:何東英 台灣大系 中文摘要 研究二苯胺衍生物及類似物在酸催化 下之光。化合物 N-烷基(p-甲氧 基苯基)芳香環基胺(1a-1f)在酸催化下 會進行一種新型態的光重排,而產生 一系列 1,2,4-三氫(4aH)-卡唑-3-酮之衍生物 及類似物(2a-2f)。機構是經由中間 體二氫卡唑質子後,再相繼經過形式上 的[1,5]、[1,3]氫轉移和甲基醚水解而完成。

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第一單元  化學反應  概念結構圖

第一單元 化學反應 概念結構圖

1. 上一個單元我們介紹了現象和表示法,今天我們 要來討論進行的快慢,也就是速率。 2. 在相同的時間內,進行的程度,稱為速率。 3. 日常生活中的:鐵生鏽、蠟燭燃燒、放煙火這三 個速率哪一個最快?哪一個最慢?

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物質科學_化學篇(上) 第五章 化學反應

物質科學_化學篇(上) 第五章 化學反應

(1) 質量不滅定律(The conservation of mass): (a) 依道耳吞原子說:只是原子的重新排列、組合,前後原子 的種類及數目均不變,因此原子不滅,質量不增也不減。 (b) 依近代鍵結理論:只是物間電子的轉移與共用,亦即舊的 鍵斷裂,新的鍵生成,而生成新分子,故質量不滅。

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高二基礎化學(二)第一章常見的化學反應

高二基礎化學(二)第一章常見的化學反應

第一章 常見的 105 年 08 月編 第一節 的基本類型 01. 自然界的脈動與變內含有物理變。 02. 所謂(chemical reaction)是指物質經交互作用後,轉變成與原來組成不同之物質 的一種過程。常伴隨著一些現象的產生,如顏色上的改變、氣體的生成、溫度的變 與沈澱物的產生等現象。

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利用試算表平衡化學反應式的係數

利用試算表平衡化學反應式的係數

一、前言 在 教 科 書 中 提 到 平 衡 式 的 方 法,大致上有觀察法、代數法、氧化數法、 半式平衡等方法,在平衡簡單的 式時,使用到教科書中提到的方法就可以 迎刃而解。不過對於一些相當複雜的 式,利用電腦來幫忙計算與平衡,相信能 減少計算上的錯誤。在 J. Chem. Education 中 有幾篇文章探討到如何利用電腦來平衡 式,例如利用 Mathematica 或 Maple 等軟 體來平衡式。不過 Mathematica 和 Maple 等軟體在國中、高中的電腦教室是很少 被使用的,因此本篇文章在介紹一般電腦都 有安裝的用軟體-試算表,利用試算表來 平衡式。
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設計穩定化學反應槽系統的研究

設計穩定化學反應槽系統的研究

本研究設計提供一種槽系統,包含:槽、氣體產生機、幫浦、液溫控制機、組 合式熱交換管、熱交換槽之組合,此槽具有使工件在進行過程中能維持恆溫的特性。 將欲做陽極氧化處理的鈦板浸泡在 0.4Wt%氟銨 15.3ml、2Vol%水 76ml、乙二醇約為 3710ml 混合在一起的電解液當中,並且外加電源 60V 時間約為 40 到 80 分鐘。此實驗電解液的 所產生的放熱會使系統的溫度增加,造成系統電流密度增加,因而讓此系統的過程 趨於不穩定的狀態。故需要利用本研究設計的槽系統將上述實驗的過程維持在 室溫 25 度,避免系統的溫度上升所造成的電流密度偏高,因而造成系統實驗的不穩定性。
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99課綱基礎化學(一) 第四章   常見的化學反應

99課綱基礎化學(一) 第四章 常見的化學反應

1.電解質:在水溶液中可以導電,且當導電時能產生化的物質,稱為電解質。 例如,食鹽水等。電解質依解離百分率又可分為強電解質與弱電解質。 (1)強電解質:電解質溶於水中時,幾乎完全解離者稱為強電解質。一般的強酸、強 鹼及鹽類均屬於強電解質。如鹽酸、硫酸、硝酸、氫氧化鈉、氯化鈉等為強電解質。

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光敏感藥物之光化學反應研究(一) -

光敏感藥物之光化學反應研究(一) -

關鍵字:光敏感藥物、非固醇類消炎藥物(NSAIDs)、FTIR、間質隔離法 前言 光敏感藥物(photosensitivity drug)一直是者有興趣的研究主題,了解藥物 使病患對光敏感而引起皮膚癌或藥物因本身之光解而產生毒性物質或副作 用等,都是重要課題。目前常見光敏感藥物如 diuretic、antibaterial、及非固醇類 消炎藥物(NSAIDs)等均含有環狀不飽和結構,因此易產生π→ π*躍遷而吸收 UV 光,進而引發一系列光。根據文獻報導其中又以 2-arylpropinoic acid 衍 生物系列的 NSAIDs 光敏感性最明顯 (1) 。Moore 等人 (2) 以 flash photolysis 法比較 三種風濕性關節炎非固醇類用藥的光解,發現 naproxen 和 benoxaprofen 光 解活性較 indomethacin 高,並由 EPR 實驗判定 naproxen 先進行 decarboxy 產生 benzyl 自由基,然後在溶液中再進一步氧化。相反的,Miranda 等人卻提出 ketoprofen 的光解初步乃從 carboxyl 官能基產生內部電子轉移至 carbonyl 官 能基 (3) 。此外其他藥物和 2-arylpropinoic acid 系列的 NSAIDs 共存時所產生影響 也有不少研究,如 Miranda 等人將β-cyclodextrin 和 naproxen 一起照光以研究其 溶血性,結果展現出β-cyclodextrin 加成光解的效果 (4) 。且由 GC/MS 和 NMR 分析發現 naproxen 主要光解產物也因存在β-cyclodextrin 而不同。Miranda 等人也 研究了脂類、蛋白質、及核酸在光解中扮演的角色 (5) 。因為光解光源能量不 同、藥物結構不同、再加上其他共存藥物以及藥物附形劑的影響不同,造成不同 光解系統的機構及產物和所產生藥理現象均不同,所以光敏感藥物光活性的 領域真是非常多變且有趣,值得深入探討。雖然關於這系列藥物的研究成果不 少,但並未有直接觀測到各光解產物的紅外光譜文獻記載,所以希望藉由本計畫 成果來提供此方面訊息,以確實了解其可能之光機構。
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低馬赫數近似法的化學反應直接數值模擬

低馬赫數近似法的化學反應直接數值模擬

1 低馬赫數近似法的直接數值模擬 Application of Spectr al Element Method in Low Mach Number Combustion 計畫編號:NSC 87-2213-E-002-004 執行期限:86 年 8 月 1 日 – 87 年 7 月 31 日 主持人:顏瑞和 國立台灣大機械工程

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第 4 章 化常見的化學反應

第 4 章 化常見的化學反應

█: AD 。 [類題] 2. 亞硝酸鈉(NaNO 2 )在食品工業上,常用於香腸或臘肉的添加劑,可使肉色鮮豔。但近 來發現亞硝酸鈉在人體可能轉變成可致癌的亞硝胺,因此先進國家均已禁止使用。另外, 人體血液中的血紅蛋白是一種含有 Fe 2+ 的化合物,若誤食亞硝酸鈉會使得 Fe 2+ - 血紅 蛋白轉變成 Fe 3+ - 血紅蛋白,因而喪失了輸送氧氣的能力。在醫常利用維生素 C(

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酸催化亞胺與醯胺之光化學反應

酸催化亞胺與醯胺之光化學反應

It is reasonable to propose that the mechanism is through electron transfer from the amides to the protonated imine excited state and results in the formation of amide radical cation[r]

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化學反應; 光分解; 能量轉移等氣動態研究與各式光譜儀在分析化學之應用

化學反應; 光分解; 能量轉移等氣動態研究與各式光譜儀在分析化學之應用

(四)富氏光譜儀在分析用 在 90 年代,Fourier transform spectrometer (FTS)的功能除了 rapid-scan mode 之外, 也發展 step-scan mode。二者的主要結構都有一 Michaelson interferometer 配合一 beam splitter 與兩片鏡片,其一為固定,另一則可移動。rapid-scan mode 的操作即高速移動 可移鏡片,每一週期即可獲得一張 interferogram,透過富氏轉換即可得一光譜圖,由於 譜線位置由 He-Ne 雷射的頻譜決定,因此其譜線位置的再現性相當高。以 rapid-scan mode 操作,一秒內可獲得上百張相同的光譜圖,經過疊加平均之後,信號 雜訊比增 進不少。相對於 rapid-scan mode,近年內發展成功的 step-scan mode 的操作方法,則控 制可移鏡片依 He-Ne 雷射的半波長的整數倍移動到定位即靜止不動,若系統內有 ,則的時序即可紀錄下來,之後鏡片再移到下一步並靜止,事件再重複 紀錄,可移鏡片完成一週期之後,經過富氏轉換,即可獲得一光譜全圖,若沿著時序 軸切出另一 interferogram,經轉換即可獲得在不同 delay time 之下的光譜全圖。因此,
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研究水分子在氯化鈉/鍺(100)表面之化學反應

研究水分子在氯化鈉/鍺(100)表面之化學反應

同時也希望”足球隊”的精神能持續下去。宏道長對於實驗的熱誠、追 求理想及坦率的個性,是實驗室的寶藏,還有不要拖拖拉拉,趕快結婚 阿。更感謝展源、中廷這兩年來一起努力習與切磋,時常與我討論實 驗中的問題,能跟你們當同窗同,真的是很開心,尤其是碩二的苦日 子中,能夠一起分享生活中的點點滴滴,一起熱烈討論物理,一起分享 生活中的每件事情,能夠在實驗室實在是件幸福的事情。展源,能夠碰 到你這個奇人真是我人生中的一大發現,無論在科路還是感情上,總 是能夠有自己的觀點,雖然有些不是那麼的 precise,但既然選擇了 STM 為人生的志向,那就要努力做到,不然到時候就要敲門了…阿,還有要 努力的地方不是只有實驗,還有很多,希望你攻讀博士之路的交友能更 為廣闊。中廷,雖然你喜歡當實驗室派的角色,但是實驗室內也不能 沒有你,沒有你出去吃飯就沒有話題了。至於感情之路,努力加油吧。
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鋅量子點表面對稱性電偶極矩變化與物理吸附,化學反應及熱效應之關係

鋅量子點表面對稱性電偶極矩變化與物理吸附,化學反應及熱效應之關係

中 文 摘 要 : 奈米金屬氧化現象將對於奈米半導體元件的金屬接觸面電性造成影 響,如能對奈米金屬氧化行為確實了解與分析,將有助於未來奈米 元件的發展。由於奈米金屬有較高的表體比例,具高曲率的表面氧 化層會產生較高的內建電場,使得氧化速率大幅提升。這一個實驗 所使用的鋅量子點直徑約18 nm,被均勻地成長在Si(111)上且被 Si(111)表面所侷限。入射光照射的鋅量子點超過109個,因為鋅量 子點具有一致的晶格方向,使得反射二次諧波出眾多鋅量子點 的淨電偶極強度。氧化過程時,奈米鋅表面自由電子、氧離子與向 外擴散的鋅離子將形成的不同極率,觀察反射二次諧波的變就 可以了解氧化行為的每一個細膩過程。由於氧離子與鋅原子形成Zn- O鍵(弱極率),與氧化層內的鋅離子向外擴散所呈現的外部鋅離子 (強極率)的現象發生是漸次發生在眾多鋅量子點上,因此所呈現 的淨極率強度是兩種競爭下的結果。初期氧化過程的氧離子
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新型連續光熱化學骨牌反應研究

新型連續光熱化學骨牌反應研究

計畫參與人員:李雅雯、丁毅舜、劉瑋琪、周俐廷、鄧福琳、張宏賓 一、前言: 「骨牌」 1 即是由起始物轉變為複雜產物,中間經歷多個步驟,但卻不需分離純中 間化合物而可直接得到其產物。這種不但可省去繁瑣的純分離步驟,且非常符合工業大量製 造所需的經濟、快速及方便的要求,因此成是上希望可研究發展的合成步驟。通常與聯繼 或一鍋的形態類似。
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化學氣相沉積反應器之數值模擬

化學氣相沉積反應器之數值模擬

本研究為使用商用軟體 FLUENT 模擬氣相沉積(CVD)技 術在 CVD 器上生長固態薄膜的情形。模擬之目的在於利用商用 軟體建立一個可以調整各項製程參數之模組來提供實驗之對照與預 估,協助其改善薄膜均勻度,降低整體生產製造成本。在設定上採用 有限體積法及 SIMPLE 演算法,在層流及不可壓縮流模式下,求解二 維與三維穩態之連續方程式、動量方程式、能量方程式與質量傳輸方 程式來得知器內部熱流場與質量傳輸之情形,並透過三種不同的 模式(全動力模式、Langmuir-Hinshelwood 動力模 式與 Pauline Ho 所提出之動力模式)計算薄膜生長速率,討論個 別模式對薄膜生長預測的準確性。另外,亦嘗試改變器高度,探 討於不同高度下,器內部流場之強制對流與自然對流的強弱關係 以及對薄膜生長之影響。
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氮化鈦的鋁化反應與氧化行為

氮化鈦的鋁化反應與氧化行為

19 或是固-液,界面生成物的成長是包含了幾個連續的步驟, 如原子間的相互擴散,界面上的及界面介金屬的孕核與成長 等,而在一個包含了幾個連續步驟的中,只要其中有一個步 驟很慢,則會影響整個速度,因此此步驟稱為控制步驟 (controlling step)。原子必須先向界面擴散,然後才能越過界面,當原 子越過界面所需的時間很長時,是受限於界面的生長,此時 是界面控制。反之,若是原子擴散至界面時間遠大於原子越過界 面時間時,則是由擴散機構所控制。由於在析出或是成長 時,界面控制的生長速率都遠小於擴散控制之生長速率,因 此不同的控制機構將會影響界面介金屬層所能成長的厚度。欲了解一 是由擴散機構或是界面機構所控制,可以量測層的厚度 (X),並將其對時間(t)做圖,若此 X-t 圖內之曲線呈線性關係,則 為界面機構所控制,若曲線成拋物線關係,則為擴散所控制。通 常固-固,其界面生成物通常以平坦的層狀結構生長,此時 層的厚度可直接量測,但固-液,其界面生成物型態並不固定,
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