[PDF] Top 20 應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體
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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體
... VTF-LED 製程步驟， 將 p 型氮化鎵利用 Cr，Ag，Ni 等金屬在 350 度左右和矽基板接合，此即為晶圓 接合技術(wafer bonding technique)，接著用雷射剝離技術(laser lift-off technique)將藍寶石基板去除，再用 ICP dry etching ... See full document
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光電化學製程在氮化鎵發光二極體製作上之應用 范文轅、蕭宏彬
... 本論文中，我們證明利用偏壓輔助光電化學技術能夠提升氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體之光取出效率。偏壓輔助光電化學 ... See full document
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氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體
... 氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體 Transparent contact of Indium Tin Oxide on GaN LED.[r] ... See full document
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平坦化製程技術應用於氮化鎵發光二極體之製作 葉建良、蕭宏彬
... 圖2.2 發光二極體演進歷史表......................10 圖2.3 發光材料/波長對應其操作電壓與 ...3.1 電子束蒸鍍系統...........................18 圖3.2 電子束蒸鍍機坩 ... See full document
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氧化銦錫奈米柱狀結構應用於提升氮化鎵發光二極體之出光效率
... 2-2-1. 電流分佈不當 對藍光發光二極體而言，p型GaN摻雜不容易調高，在GaN或InP材料中，成 長p型摻雜薄膜大都採用Zn為主要摻雜物，但在GaN薄膜中若用Zn為摻雜物，因 ... See full document
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時間解析光致電流應用在InGaN 發光二極體
... 我們藉由所得到的影像可以觀測 LED 表面的電流特性，以及由樣品 各點的相位變化進而得到 LED 的反應時間，讓我們能更清楚該 LED 時間解析的特性，有別於飛行時間法(Time of fly, TOF)和霍爾效應 (Hall effect)，時間解析光致電流(Time-resolved OBIC)可測量有機及無 ... See full document
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利用濕蝕刻基板提高氮化鎵發光二極體外部量子效應
... 利用圖樣化的藍寶石基板，我們製作了兩種不同結構的發光二極體，其一利用兩次 基板轉移以及雷射剝離技術，將基板作為一個底部的反射鏡，在這一部份之中，模擬和 ... See full document
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應用於非極性氮化鎵發光二極體元件以改善光萃取效率的極性選擇化學蝕刻
... 由於使用「溝渠圖形化側向磊晶成長方式」所得到的高結晶品質、平坦的無 極性 a 面氮化鎵其存在特殊的孔洞於氮化鎵/γ 面藍寶石基板介面，因此本文中利 用氫氧化鉀溶液針對這些因溝渠圖形化設計以及磊晶限制所留下的孔洞進行蝕 ... See full document
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積體整合氮化鎵發光二極體與金氧半場效電晶體於光引擎應用
... Ni/ITO 電極退火時，可以 以 此 數 據 做 為 退 火 之 參 考 依 據 ...LED 電極，嘗試運用 Ni/Au，Ni/ITO 和 ITO 三種材料當作其電極作一系列探討，傳統是以 Ni/Au ... See full document
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利用奈米圖型化基板製作高效率氮化鎵發光二極體
... 和兩位學長來個充滿力量的擊拳，主立學長製程的能力相當令我敬佩，閔安學長光 學模擬的協助，感謝明華學長與輝閔學長的 CL 量測，此外要感謝的就是 LED team 的各位，與 Joseph 的討論與寶貴的意見，小昕與 David 量測方面的幫忙，小杜製程 ... See full document
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氮化鎵發光二極體光取出效率提升的研究
... LED 在汽車上的各種車燈應用，是非常成功。最先使用於第三 煞車燈，由於 LED 的點燈速度可達奈秒級水準，較傳統秒級的燈泡 型燈具，可提供高速行駛的車輛駕駛人比較長的緊急煞車時間，大幅 提高安全保障。另外，LED 也成為駕駛盤儀表板、方向燈或煞車燈 的主流光源，車用傳統燈具大都以燈泡加蓋濾光罩，改用 LED 後除 ... See full document
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氮化銦鎵覆晶發光二極體之製作
... ITO和Ni/Au發光二極體的L-I-V特性曲線也同樣在此做比較討論。從I-V曲線中可以 發現覆晶式ITO、非覆晶式ITO和非覆晶式Ni/Au發光二極體在操作電流為20 mA時 ... See full document
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次世代基板成長高效率氮化鎵系列發光二極體之研究
... 上的基礎上，我們開始考慮將發光二極 體成長於奈米等級的結構之上。為了將發光二極體的效率提高已達到更好的應用目的， 我們想藉由奈米等級的結構進一步的降低缺陷密度以及提高光萃取效率來達成我們的 ... See full document
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利用晶圓接合與電鍍技術製作高功率氮化鎵族發光二極體
... Cu/Si 基板與 ITO/GaN，且經雷射剝離的 過程後仍具有良好的附著性並無明顯的缺陷產生（圖 4-22、4-23）。雖然已 成功完成接合，但是對於圖 4-22 中磊晶層內的基板圖案感到好奇。因此， 我們進行了 GaN 與 Cu/Si 基板的接合實驗，無 ITO 層是為了不使其接合而 觀察 Cu/Si 基板在 500℃/30min 的加壓退火後接觸面的情形。由圖 4-24 觀 ... See full document
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次世代高效率氮化鎵發光二極體之奈米製程與元件特性之研究
... 分，第一部份為開發一個新穎性的奈米結構製作技術，用以製作氮化鎵奈米柱結構。利 用調變製程參數得到不同形狀的奈米結構，針對不同深度、不同直徑大小的奈米助陣列 探討其發光特性、抗反射特性，同時利用 valence force field ... See full document
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氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之光學特性與內部量子效率研究
... 從 0 度增加到 1 度時，光譜半高寬有先減少再增加之趨勢。µ-PL 掃描影像顯示氮化銦鎵 量子井發光能量之均勻性會受到基板角度之影響，而在變溫 PL 實驗中，我們觀察到明 顯的載子侷限效應 (carrier localization effect)，光譜隨溫度增加而呈現紅移-藍移-紅移之 ... See full document
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以模型化方式探討氮化鎵藍、綠光發光二極體效率下降之原因
... 多製作方式，其中最簡單的是使用Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料製作藍 光 LED，再搭配釔鋁石榴石（YAG:Ce）的黃光螢光粉產生白光。隨 著相關製程技術的改良，目前白光 LED 的發光效率已達到 100 lm/W ... See full document
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高發光效率白光發光二極體
... 本計畫以藍、紫、紫外光激發不同色之螢光粉搭配調製白光，使其發光顏色特性比傳統照明 光源更好，並以高演色性為主要目標之一，藉由全方位反射器(光子晶體)的應用來將紫外光循環 ... See full document
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利用主動層優化降低氮化鎵發光二極體效率下降特性之研究
... 在本論文中,藉由變強度之光激發螢光實驗我們可以得知有插入prestrain layer 之樣品,當載子濃度提高時,其波長藍移量較小,亦即quantum confined Stark effect (QCSE)較小,因此我們可以得知使用低溫成長之氮化鎵薄膜的確是 ... See full document
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氮化鎵惠斯頓電橋交流電發光二極體最佳化設計
... 氮化鎵發光二極體(Gallium Nitride -based light-emitting diodes, GaN LED) 因材料本身為直接能隙(direct bandgap)為 3.39 eV，氮化鎵材料系列是一種理 ... See full document
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