[PDF] Top 20 氮化鎵發光二極體之氧化製程研究
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氮化鎵發光二極體之氧化製程研究
... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document
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氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體
... 氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體 Transparent contact of Indium Tin Oxide on GaN LED.[r] ... See full document
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次世代高效率氮化鎵發光二極體之奈米製程與元件特性之研究
... 在應用釋放過程中對材料特性的影響為何。第二部分為應用奈米結構在氮化鎵發光二極 體上，利用表面蝕刻技術，製作高深寬比的氮化鎵奈米結構提升元件出光效率。在考量 到蝕刻對元件可能的電性影響後，我們嘗試了化學合成的方式，在元件表面上化學合成 ... See full document
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光電化學製程在氮化鎵發光二極體製作上之應用 范文轅、蕭宏彬
... 本論文中，我們證明利用偏壓輔助光電化學技術能夠提升氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體之光取出效率。偏壓輔助光電化學 ... See full document
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對 利用水熱法成長氧化鋅奈米柱提升氮化鎵發光二極體
... 圖一中分別展示出五個LED的光輸出功率-電流特性。在輸入350 mA電流下，五個LED的輸出功率分別為 361.7, 420.7, 426.8, 448.2, and 430.4 mW。經由圖中可以發現LED I 遠小於其他LED的表現，並且在LED V的輸出功率能夠提高24%。這種輸出功率大幅度的成長可以歸因於氧化鋅奈米柱能夠降低菲涅爾反射的 ... See full document
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利用奈米圖型化基板製作高效率氮化鎵發光二極體
... 在此論文當中，我們提出於氮化鎵與藍寶石基板接面製作二氧化矽 奈米柱陣列，以提高氮化鎵發光二極體發光效率。藉由穿透式電子顯微 ... See full document
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表面微結構對氮化鎵發光二極體光電特性之影響
... 摘要 本論文主旨為探討與增進氮化鎵發光二極體（ GaN-Based Light-Emitting Diode， GaN-LED）表現相關的議題，包括了鏡面在元件中的位置對於發光功率的影響、n型氮化鎵 ... See full document
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氧化銦錫擴散電流層厚度對氮化鎵發光二極體光電特性的影響
... 厚度的氧化銦錫薄膜，並且製造成傳統的發光二極體，用以研究氧化銦錫薄膜和 發光二極體元件的光電特性。我們發現氧化銦錫薄膜的片電阻值會隨著其厚度增 ... See full document
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氮化鎵發光二極體光取出效率提升的研究
... LED 在汽車上的各種車燈應用，是非常成功。最先使用於第三 煞車燈，由於 LED 的點燈速度可達奈秒級水準，較傳統秒級的燈泡 型燈具，可提供高速行駛的車輛駕駛人比較長的緊急煞車時間，大幅 提高安全保障。另外，LED 也成為駕駛盤儀表板、方向燈或煞車燈 的主流光源，車用傳統燈具大都以燈泡加蓋濾光罩，改用 LED 後除 了可省電和減輕保養負擔外，還可將燈盒厚度大幅縮小。而且 LED ... See full document
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氮化鎵發光二極體成長於奈米柱模板之特性研究
... 在本論文中，我們成功地利用分子束磊晶技術將氮化鎵奈米柱模板成長於藍 寶石基板上，並利用有機金屬氣相沉積法將高效率發光二極體成長在奈米柱模板 上。從側向的掃描式電子顯微鏡影像中我們可以清楚觀察到奈米等級的空氣孔洞 被包埋在奈米柱及成長其上的氮化鎵磊晶層之間，而這很有可能會使多重量子井 ... See full document
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氧化銦錫奈米柱狀結構應用於提升氮化鎵發光二極體之出光效率
... 祝您昇等順利，也誠摯的祝福您生個健康寶寶。感謝郭老師提供這麼完善的研究 設備環境以及對我實驗進度從不間斷的 take care 和全力 support，讓我們了解一 位碩士生在各方面應該要達到的標準。 再來我最要感謝實驗室的兩位華爺：邱清華及張家華二位學長，若沒有你們 鼎力協助，我還不知能否有今日，每逢在研究上遇到困惑，你們總是能以最有效 ... See full document
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利用主動層優化降低氮化鎵發光二極體效率下降特性之研究
... layer 之樣品,當載子濃度提高時,其波長藍移量較小,亦即quantum confined Stark effect (QCSE)較小,因此我們可以得知使用低溫成長之氮化鎵薄膜的確是 放了主動層內部之應力,並藉由室低溫變強度光激發螢光去定義出三塊樣品之內 ... See full document
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平坦化製程技術應用於氮化鎵發光二極體之製作 葉建良、蕭宏彬
... LED初期被使用於產生熱能較低的指示燈，如今隨著技術也日漸成熟，逐漸發展出高亮度白光LED與各種不同單色光LED ，普遍應用一般照明。因此LED發光所產生熱能逐漸受到重視，另外購買LED照明設備價格過高是面臨的一大挑戰。因此 如何降低生產成本，使LED更具有競爭力，是我們預期達到的目標。 為了解決LED散熱問題及降低LED生產成本，在本論 ... See full document
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布拉格反射鏡在氮化鎵發光二極體應用之研究 林裕承、蕭宏彬
... 隨著磊晶技術與製程技術的成熟，使得高亮度LED的應用愈廣泛。為了改善高介面溫度問題與減少電極遮蔽效應，LED的 封裝技術也從傳統的打線(Wire- bonding)封裝發展至覆晶(Flip-chip)封裝。覆晶封裝後，LED出光方向則從正面轉變成背面 ，若在LED正面增加反射鏡的製作應可進一步增加背面的出光強度。 ... See full document
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熱製程對氮化銦鎵薄膜及量子井發光二極體光學特性之研究
... 第二章 實驗步驟與原理 2.1 樣品結構 本論文中使用的樣品結構有兩種，一為氮化銦鎵磊晶薄膜；另 ㄧ為氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體 (InGaN/GaN LED)。圖 2.1 為氮化 銦鎵磊晶薄膜成長在藍寶石晶片上。樣品是由金屬有機化學汽相磊 晶法在 430 ... See full document
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氮化鎵材料發光二極體與面射型雷射之製作與特性研究
... 國立交通大學光電工程研究所 摘要 由於氮化鎵基材發光元件可廣泛的應用於如指示燈、各種照明、光儲存等領 域，因此自 1960 年代以來氮化鎵相關材料成為世界上各研發團體的重要研究課 ... See full document
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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體
... 本論文主要探討應用光致電化學氧化及蝕刻製程於表面微孔洞陣列氮化鎵 發光二極體上對於其發光效率和電性的影響。在前一章已經說明表面微孔洞陣列 ... See full document
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具異質穿隧層串聯之氮化鎵系列發光二極體
... 以 氮化鎵為基底的發光二極體已普遍使用於商業固態照明。然而，氮化鎵發 光二極體的成本還是偏高。因此，為了進一步提高固態照明的市場滲透率，我們 需要減少這些元件生產的成本。降低生產成本其中的一種方法是，在相同的藍寶 ... See full document
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