[PDF] Top 20 焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響
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焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響
... iii 誌謝 感謝陳智老師這四年來的照顧，在博士班這段求學歷程中陳智老師讓我有很大的改 變，無論在專業領域的研究或是待人處世，都讓我獲益良多，老師更積極鼓勵與補助我 們出國參加研討會並拓展國際觀。更感謝陳智老師兩年的查經班的洗禮，讓我能體會到 尊重生命與懂得如何對家人付出更多的愛。並感謝饒達仁老師在實驗與論文上的指導， ... See full document
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銲錫厚度對錫銀銲錫接點中電遷移效應的影響
... 45分鐘、2小時。然後觀察橫截面的形貌，利用軟體ImageJ分別量測試片接 點的銲錫平均厚度。經過觀察結果，決定選擇在260 o C分別回銲 0分鐘、30 分鐘、45分鐘、2小時的試片作為通電測試試片。 本研究採用 Semi in-situ 的觀測方式，主要是為了確定試片初始結構和 預期一致，以利觀測並比較通電測試後微結構變化。Semi in-situ 的優點在 ... See full document
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覆晶銲錫凸塊高度對無鉛銲錫電遷移破壞時間及破壞模式之影響
... 而失效。另一方面，以工業的角度來看，低成本並且與現有設備有良好匹 配性的銲料也是非常重要。無鉛銲料的要求對各項產業帶來非常大的衝 擊，因此發展國家非常重視無鉛銲料的研究，紛紛訂定各自的發展計畫， 期望可以找到適當的無鉛銲料，把衝擊減到最低。因此選用之無鉛銲錫須 ... See full document
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底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究
... 2.3 可靠度概論 可靠度的觀念起始於二次大戰期間，德國在研製 V-1 火箭時，對於主要 設計理念已有系統強度決定其中最弱環節的觀念，而個別元件的良莠會直接 影響到整個系統的表現，所以在當時被視為相當重要的課題。自從 1952 年 ... See full document
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尺寸效應及界面熱阻對低維度超晶格材料熱傳影響之研究(I)
... 500nm，尺寸 效應的作用不明顯，熱傳導係數將隨著孔隙尺寸增大 而減小；當線寬小於 500nm，此時尺寸效應的影響增 加，孔隙與孔隙間散射的聲子交互作用，使得孔隙造 成的散射影響改變。圖 13 為孔隙間隔高寬比與聲子 強度變化率關係圖，可發現孔隙高寬比影響的散射和 ... See full document
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緩衝層與經氫氣回火矽晶圓對具氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之元件特性及可靠度之影響
... 使得我能順利完成碩士學位，在此以最真誠的心感謝您們。另外還要感謝簡昭欣 博士，在做實驗最苦悶時給我很多好吃的東西，讓我疲累不堪的身體得到足夠養 分繼續衝刺，在此真是謝謝您。 接下來要感謝的是實驗室的學長們，首先是李耀仁學長，感謝學長在實驗上 秉持嚴格態度及量測方面所堅持”量到什麼就是什麼”的原則，深刻地讓我了解什麼 是學術良心。謝謝呂嘉裕學長，無論在製程實務的經驗傳承，還是量測方法的建 ... See full document
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覆晶封裝銲錫接點在介面反應，電遷移與熱遷移下之顯微結構變化
... ii 須隨之縮小，因此銲錫接點所承載的電流密度逐漸提高，在高電流密 度的影響下，覆晶封裝銲錫接點因電遷移產生可靠度的議題受到重 ... See full document
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覆晶錫銀銲錫接點於定溫不同電流密度下之電遷移失效模式研究
... 24 3-2 凱文結構方式佈局 本實驗之試片迴路設計為使用凱文結構方式佈局，其結構之俯視圖及橫截面示 意圖，如圖 3-2 所示；3D 剖面圖如圖 3-3 所示。本研究中將利用此結構精確地量 ... See full document
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以鎳為金屬墊層之覆晶錫銀銲錫接點於不同溫度下之電遷移失效模式研究
... 所示，該圖為銲錫接點通 電 178.4 小時之後，電阻上升至原來的 50% 時之電子顯微鏡影像圖，因為電子 流進入銲錫受到幾何形狀的改變造成電流集中效應，在入口處的位置會形成最大 ... See full document
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覆晶銲點性質變化與電流流動間交互之影響---子計畫二:以熱時效提升銲點之抗電遷移能力
... 四、 結果與討論 通電測試後，可以發現在薄膜當中，銲錫球的損壞時間會因熱時效時間的增加 而降低，而在厚膜當中，銲錫球的損壞時間會因時效時間的增加而增加，不過也是 要利用適合的電流密度才可以有我們預期的電遷移破壞機制，若是用較大的電流密 ... See full document
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電流對無鉛銲料與其接點之影響---子計畫I：無鉛銲錫的電遷移研究(I)
... si 之放大圖 。 圖八是對照組的錫球，同樣在 150℃下加熱，不過未施加任何電流，可以用 來比較通電的效應。圖九和圖十有通電不過電子流(黃色箭頭)的極性相反，由紅 色圈圈可以看到在 board 位置有大量的 IMC(界金屬化合物)生成。經由電子顯微 鏡附加的 EDS ... See full document
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鈀含量對銀合金銲線離子遷移之影響
... 因應金銲線與銅銲線在做為封裝打線接合材料所遭遇到的許多問題，近年來 電子產業也開始嘗試使用純銀銲線做為替代材，雖然銀金屬具有最佳的導電率及 導熱性質，但是由於銀離子遷移現象所導致電子元件短路失效之問題是純銀銲線 ... See full document
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高頻覆晶構裝之熱傳遞及可靠度分析
... 4-16)，由於凸塊半徑的增加將可大幅增加熱源處的熱往下傳至基板 的能力，所以不管有無填膠，其凸塊半徑的增加，都將有助於最高溫 度的下降。 圖 4-17 為熱循環過程中在不同凸塊半徑下所產生的塑性應變振 幅，在未填膠部分，我們可以發現其凸塊半徑越小，其塑性應變振幅 越小，代表其壽命越高，同時這也與文獻[12]的結果一致；而在填膠 ... See full document
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覆晶銲錫接點在通電下焦耳熱效應及熱遷移之研究
... 2-2 無鉛銲錫 含鉛銲錫的使用一直是造成鉛環境污染的一個重要原因之一。因此，美國、 歐洲和日本已開始注重此問題。歐洲議會於 2002 年 10 月通過 RoHS 指(2003.2.13 正式公告)，2006.07.01 開始電子產品全面禁用包括鉛、鎘、汞、六價鉻、溴化耐 燃劑等六種物質；此一指標性規定，已演變成全球性環保要求、也成為資訊電子 ... See full document
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覆晶封裝銲錫接點在電遷移效應下之熱與電特性
... 有加，讓我在 LA 並沒有太嚴重的思鄉情結。在此也要感謝我的口試委員：高振 宏教授、謝宗雍教授、饒達仁教授與賴逸少博士，對我論文的批評與指教，讓我 知道我的學習仍然不足，我必須更嚴謹的態度來面對我的研究。 不能忘記的還有一路上陪我的一起努力，互相砥礪的學長姐與學弟妹們：感 謝穎超學長，無時不刻對我的耳提面命，常常在人生的道路上指引我；棟樑學長 ... See full document
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錫鉛覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究
... 錫鉛覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究 Effect of UBM structure on Electromigration and thermomigration behavior in flip chip SnPb solder joints 研 究 ... See full document
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錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究
... 文 錫銀覆晶銲錫中金屬墊層電遷移與熱遷移行為之研究 Effect of UBM structure on Electromigration and thermomigration behavior in flip chip SnAg ... See full document
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溫度變化對覆晶錫銀銲錫接點之電遷移破壞模式研究
... 或IC)上的電晶體( 電路開關)數目每年( 後修正為每18 個月) 會增加一倍，為著名的「摩爾定律」(Moore’s Law)。現在電腦中央處 理器(CPU)的晶片上已有數億個電晶體，而每個矽晶圓上會佈滿數百億 ... See full document
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覆晶錫鉛銲錫以熱時效處理後之電遷移失效時間與微結構研究
... 1-1 覆晶接合技術（Flip Chip） 1947年末，由AT&T 貝爾實驗室的科學家John Bardeen 和Walter Brattain 所展 示的第一個鍺電晶體（圖1-1），開啟了半導體的時代。積體電路的時代，在1958 年由德州儀器Jack Kilby 製造的首個積體電路晶棒（圖1-2）所開啟。此後伴隨著 ... See full document
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覆晶封裝銲錫接點的電遷移與應力遷移行為之研究
... 老師培養我獨立思考的能力，並時常鼓勵我保持樂觀積極的態度來面 對種種的困境。另外，老師給我許多出國參與國際研討會的機會，這 些難得的機會不僅讓我和國際上知名學者有知識交流的機會，並可以 體驗到各國的風俗民情，更重要的是培養我的國際觀，寬闊我的視野。 ... See full document
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