[PDF] Top 20 矽化鎳之熱穩定性與超淺接面應用的研究
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矽化鎳之熱穩定性與超淺接面應用的研究
... 在現今微縮驅使下，矽化鎳是最常用在先進製程中的金屬矽化物。在矽化鎳熱穩 定性及接面特性之研究方面，本論文提出利用高劑量鍺離子佈值來改善其熱穩定性。 ... See full document
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以離子植入矽化物技術製作在矽化鎳與矽介面間形成陡峭接面之熱穩定度相關研究
... + 與 P + 植入矽化鎳，再經由快速升溫退火裝置製成陡峭接面。 在這篇論文中，主要探討的是在矽化鎳與矽介面間形成陡峭接面的熱穩定度相關研究。 ... See full document
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矽化鎳搭配高介電常數薄膜特性之研究
... 電係數材料，在諸多優點下，金屬閘極搭配高介電係數材料已成為當 前最熱門的題材。 為了在高效能元件上，得到對稱的臨界電壓，有很多金屬閘極材 料與製程已經被廣泛研究，其中以矽化鎳的全矽化金屬閘極最受人矚 ... See full document
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形成矽化鎳時在矽化鎳與矽接面處離子活化相關研究
... 國 立 交 通 大 學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 在先進互補式金氧半導體元件裡，當接觸尺寸縮小至奈米等級，源極及汲極 的接觸電阻也會隨之增加。因此，金屬矽化物的技術應用在源極及汲極已經被開 ... See full document
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形成矽化鎳時在矽化鎳與矽接面處離子活化相關研究
... 回憶兩年來在交大電子的學習生活，首先感謝指導教授張國明教授與桂正楣 教授，老師的開明態度跟指導教誨讓我的研究生涯受益匪淺，而每次謝師宴上老 師的信心喊話更讓我們覺得我們生活在一個感情融洽的大家庭裡，謝謝老師。 同時也要感謝許許多多的博士班學長、同學及學弟。另外特別感謝一直指導 ... See full document
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以離子植入矽化物技術製作在矽化鎳與矽介面處低溫摻雜活化的相關研究
... 對於先進元件的製造上，淺接面的形成和熱預算的控制是很重要的。我們結合了 離子植入矽化物技術製造和固態磊晶再成長的觀念去達成這兩個需求。對於金屬 和矽接面的二階段金屬快速退火60秒而言，磷離子植入的試片顯現出會比硼離子 ... See full document
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矽化物超淺接面和接觸孔研發
... 50nm 的 接 觸 孔 研 發 ， 並 期 望 能 符 合 50nm 奈米元件的製程。在金屬矽化物方 面，為了解決元件間金屬連線的阻抗延 遲可能導致的效能降低或誤判動作，而 發展出自動對準之複晶矽連線技術，以 降低在細線寬之複晶矽連線的阻抗，並 ... See full document
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奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(I)
... 50nm 的接觸孔研發，並期望能符合 50nm 奈米元件的製程。在金屬矽化物方 面，為了解決元件間金屬連線的阻抗延遲可能導致的效能降低或誤判動作，而 發展出自動對準之複晶矽連線技術，以降低在細線寬之複晶矽連線的阻抗，並 ... See full document
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奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(II)
... 50nm 的 接 觸 孔 研 發 ， 並 期望能符合 50nm 奈米元件的製程。在金屬矽化物方 面，為了解決元件間金屬連線的阻抗延 遲可能導致的效能降低或誤判動作，而 發展出自動對準之複晶矽連線技術，以 降低在細線寬之複晶矽連線的阻抗，並 ... See full document
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奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(III)
... 50nm 的 接觸孔研發，並完成 50nm 奈米元件的製 程。在金屬矽化物方面，為了解決元件間 金屬連線的阻抗延遲可能導致的效能降低 或誤判動作，而發展出自動對準之複晶矽 連線技術，以降低在細線寬之複晶矽連線 的阻抗，並避免以金屬做連線所造成之污 ... See full document
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藉由不同的結構對全金屬鎳矽化物之研究
... 函數，是近期研究NiSi的研究重點之一。另有實驗的結果指出，摻雜 的雜質原子有累積在閘極與介電層之間的傾向，在這一層薄薄地界面 層（interface layer）中，雜質的濃度高到足夠影響閘極材料的成 ... See full document
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碳離子佈植對鎳化矽熱穩定性與碳化矽形成影響之研究
... 5×10 15 cm -2 為較佳的佈植條件。而當載台溫度介於 5℃與 15℃之間時，其對退火 後在替代位置上的碳原子濃度影響不明顯。我們也針對碳化矽形成所需的退火製 程條件如第一階段退火的溫度及秒數和第二階段退火的方式進行實驗。在實驗結 果中可發現第一階段退火的條件以溫度 750℃時間 120 ... See full document
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鎳鍺化物接觸之N+-P鍺淺接面及接觸電阻之研究
... 老師正直且不失圓融的性格和豐富的人生經歷更是讓我學到更多，可謂「一日為 師，終生為師」 。 實驗方面則感謝交大奈米中心與國家奈米元件實驗室所提供的製程機台。謝 謝實驗室的大家，感謝元宏學長有耐心地幫我切很難切的 FIB 試片，接著要感謝 嶸健學長協助我訓練機台操作以及課業上的問題，然後感謝培宇學長和我討論實 ... See full document
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鎳矽/矽接面蕭基能位障研究
... A Thesis Submitted to Institute of Nanotechnology College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Nanotechnol[r] ... See full document
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鍺離子佈植對矽化鎳及其接面之影響
... P 接面， 我們都可以發現有打 Ge 的接面漏電較大一些，猜測是與 SIMS 觀察到有做 Ge 佈植的試片 Ni 訊號拖曳的現象有關，我們推測這是因為 Ge 佈植所造成 的缺陷無法完全由 1050℃的瞬時退火所消除，故形成 NiSi 時，Ni 便沿著缺 ... See full document
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應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究
... 余明爵、羅文呈、王智盟、王冠迪、江宗育、顏榮嘉、林威良、吳翊鴻、張子恆、 張婷，有你們的陪伴、幫忙和討論，使我研究更順利，生活充滿歡樂。感謝一路 走來始終陪伴在我身旁的好朋友，顏碩廷、陳建豪、陳漢譽、鄧至剛、林宏年， 以及多年好友蔡猛麒、傅士卿、潘祥斌、劉鶴軒、李翔任、劉力仁、王東鉑，在 ... See full document
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鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生：葉睿龍 Student：Jui-Lung Yeh[r] ... See full document
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雙載子異質接面電晶體的熱穩定最佳化設計
... By extending the works on the multiple-finger transistor thermal stability from the simple thermal-electrical feedback equations to the accurate model equations and taking the temperatur[r] ... See full document
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自我對準鈷金屬矽化製程之熱穩定性及其對超薄閘極氧化層特性影響之研究
... 圖十三為元件軟性崩潰後，不同電容面積的 電流對電壓圖。對於大面積的元件而言，閘極電流 維持穩定值且與面積無關，這說明了軟性崩潰是發 生於局部區域。然而對於小面積元件，閘極電流不 為穩定值且有減小的趨勢，此現象解釋了即使軟性 崩潰是發生於局部，但在崩潰後依舊是與面積相 ... See full document
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壓力效應下鈰鈀矽與鍶鈀鎳鍺化合物之超導與磁性研究
... 在碩士班的日子，很高興能夠進入中研院低溫物理實驗室，在這 個大家庭中彼此相互照應認真學習，實在是人生中難忘的回憶。感謝 許多學長姐的教導與幫助，論文研究部份感謝歐敏男學長的廢寢忘 食、李秉中學長的積極作為、洪慈蓮學姐的苦口婆心、陳志挺學長的 ... See full document
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