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[PDF] Top 20 IC 封裝模材表面沾黏特性之研究(II)

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IC 封裝模材表面沾黏特性之研究(II)

IC 封裝模材表面沾黏特性之研究(II)

... 探討的是 IC 著效應,意旨將尋 求處理與膠塑膠間最小著強度,所以在此我們並不 適用一般傳統的破壞力學準則,但是在 量測型態上我們將採用 Direct tensile pull-off test ... See full document

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IC 封裝模材表面沾黏特性之研究

IC 封裝模材表面沾黏特性之研究

... 探討的是 IC 著效應,意旨將尋 求處理與膠塑膠間最小著強度,所以在此我們並不 適用一般傳統的破壞力學準則,但是在 量測型態上我們將採用 Direct tensile pull-off test ... See full document

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IC 封裝模材表面沾黏特性之研究(I)

IC 封裝模材表面沾黏特性之研究(I)

... ) 穴 形 狀 -排 氣 心 型 組 (B)Plunger 與 Pot 的配合尺寸精度 Plunger 與 Pot 的配合尺寸精度有關於灌膠壓力的穩定,兩者配合過於緊 迫可能造成 Plunger 無法作動,亦可能相互磨擦損壞。如果配合太過於鬆散,則 可能在 Plunger 與 Pot 間造成滲膠的現象。有鑑於此,本實驗設備是參照日本 TOWA ... See full document

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IC 封裝後熟化製程之翹屈與內應力研究

IC 封裝後熟化製程之翹屈與內應力研究

... 前言 環氧樹酯(epoxy molding compound, EMC)普遍使用於電子產品中,因此對於其質 的相關顯得相對重要。而在製程中,膠充填後的產品翹曲,一直是工程師的 困擾。而藉由不斷地調整製程參數,可以或多或少地解決這問題,即:降低產品的翹曲量 ... See full document

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IC 封裝3-D 殘留應力的模擬與分析(II)

IC 封裝3-D 殘留應力的模擬與分析(II)

... 固化反應程序 環氧樹脂是由樹脂本身、硬化劑、促進劑、觸媒以及其它添加劑所組成,它 屬於熱固料一種。當料在加熱至某一溫度後,分子間便會發生鍊結反應 (crosslinking reaction) ,當反應達到膠化點(gel point) ,料會由熔融態轉變為 固態,變成質不同的新物質。在反應期間,通常會伴隨大量反應放熱,進而提 ... See full document

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透明樹脂之 IC 封裝檢查作業績效之研究 余當寶、郭文宏

透明樹脂之 IC 封裝檢查作業績效之研究 余當寶、郭文宏

... 透明樹脂樹脂必須具有高透明度才不會減損晶片功能,而目前透明樹脂最大問題,便是透明樹脂中 仍會殘留無法感光的殘留物及樹脂刮傷兩個問題,以致於透明樹脂良率遠低於一般黑色樹脂,並且必須靠大 ... See full document

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IC封裝模具剪向黏模強度量測技術的開發

IC封裝模具剪向黏模強度量測技術的開發

... 與間的剪向力。本配合田口氏實驗設計法,針對影響 IC 具 與塑料膠體間著力可控制重要製程參數進行因子效應的,進而得知各製程參數 ... See full document

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使用SMT表面黏著技術評估銅柱凸塊覆晶元件封裝之研究

使用SMT表面黏著技術評估銅柱凸塊覆晶元件封裝之研究

... 再透過覆晶銲接機將晶粒與 IC 載板進行接合,後透過迴銲製程完成 元件的固定。此新的型態符合電子元件市場上的高功能、高可靠度和 低價位的技術需求。早期凸塊製程是以錫鉛凸塊或是錫銀銅凸塊為主,但 隨著晶圓製程的微縮,晶粒尺寸的縮小,錫鉛凸塊或是錫銀銅凸塊已無法 ... See full document

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綠色供應商之評選模式研究─以IC封裝業為例

綠色供應商之評選模式研究─以IC封裝業為例

... 供適當的解決方案,將臨失去市場風險。 IC 業尤其需要各協力廠商的 通力合作。由於換新的供應商可能會臨產品需要重新認證要求,無形中增 加許多手續及作業成本,因此,除非是有製程上需要變更供應料,否則 業者多半還是與原有的供應商維持合作關係。針對客戶的要求,一般做法是要 ... See full document

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黏彈塑封裝結構之失效機率模式研究與可靠度分析

黏彈塑封裝結構之失效機率模式研究與可靠度分析

... EMC)界 間產生強大蒸汽壓力變化對影響。當 體承受蒸汽壓力作用下,造成脫層擴張與裂縫成長,由 此可獲得裂縫尖端界位移場,藉由結構破壞 力學理論應用,求得裂縫成長能量釋放率 G、J 積分值 ... See full document

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台灣IC設計與IC封測產業財務流動性之研究

台灣IC設計與IC封測產業財務流動性之研究

... 前段廠商,即 IC 設計及 IC 製造業,將晶圓廠的資本密集、技術密集發揮到極致。 IC 測試業屬於後段廠商,與前段相比,則較在勞動力及生產相關成本的控管方 現出競爭力,並形塑出不同的企業文化。台灣的 IC 設計附加價值主要成份為營業利 益、IC ... See full document

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IC封裝3-D殘留應力的模擬與分析

IC封裝3-D殘留應力的模擬與分析

... 曲量確實有相當顯著的影響,本年度乃以實際 IC 產品為實例,配合本 所發展出來分析式,再搭配流軟體 Moldex、InPack、結構分析軟體 ANSYS 與自行發展的軟體程式 marc,分析預測實際 IC 產品受到固化效應與熱效應 ... See full document

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IC 封裝3-D 殘留應力的模擬與分析(I)

IC 封裝3-D 殘留應力的模擬與分析(I)

... EMC 料進行的產品,EMC 料主要是由環氧樹脂、硬化劑、促進劑、 觸媒及其它添加劑所組成。此種料在適 當溫度下環氧官能基與硬化劑作用產生鍵 結反應,此一名稱又稱固化反應。固化反 應發生時,會伴隨大量反應放熱,而提高 料溫度,加速反應速率,提升樹脂轉化 率,縮短固化時間。在固化過程中,樹脂 轉化率漸增,當達到膠化點(gel ... See full document

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3D IC 封裝中接點空間受限誘發之界面反應關鍵效應

3D IC 封裝中接點空間受限誘發之界面反應關鍵效應

... 3D IC 技術 以持續提供半導體產業發展的動能儼然成為各界共識。在眾多發展中的 3D IC 技術中,具微小銲料凸塊晶片接合法是相當受到矚目的構方式。然而 3D IC 元件內銲點尺寸非常微小,因此接點空間受限(Space confinement)所導致的 ... See full document

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多工單等級之平行機台排程問題研究-以IC封裝廠為例

多工單等級之平行機台排程問題研究-以IC封裝廠為例

... 主要 IC 排程問題,以最小化總工作負荷為衡量績效。IC 製程的生產色 為產品多樣少量且生產時間短。本文探討 IC 實務因素平行機台排程問題。此排 ... See full document

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覆晶封裝中底膠材料參數對電性失效之影響及改善研究

覆晶封裝中底膠材料參數對電性失效之影響及改善研究

... 科技日新月異、變遷快速的時代,不論何種產業,為科技發展而須不斷提升公 司的技術力,以不致被科技時代的洪流所淹沒。因此,要如何能有效的改善產品 品質、提升市場競爭力,一直是業界與學界所的方向。 半導體積體電路(Integrated Circuit, IC)製造業在全球的經濟地位上,扮演著舉 足輕重的角色,近半個世紀以來帶動了整個電子相關產業的蓬勃發展。但也不可 ... See full document

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應用於OLED封裝之紫外光硬化環氧樹脂膠材之性質與改善研究

應用於OLED封裝之紫外光硬化環氧樹脂膠材之性質與改善研究

... Flip-chip IC Packaging The pursuit of high speed and high performance of electronic products raises the size and device density of IC ...for IC chips, the ability for the resins to satisfactorily ... See full document

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IC封裝廠考量動態訂單到臨之現場排程及決策模式 (E6032)

IC封裝廠考量動態訂單到臨之現場排程及決策模式 (E6032)

... 行政院國家科學委員會專題計畫成果報告 IC 廠考量動態訂單到臨現場排程及決策式 A Shop Floor Scheduling and Decision Scheme with consider ation of Dynamic Or der Ar r ivals for IC Packaging Factor ... See full document

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Ni-P-PTFE複合層化學鍍製備與其抗沾黏特性之研究

Ni-P-PTFE複合層化學鍍製備與其抗沾黏特性之研究

... 結論 的 PTFE 薄膜,可作為造成型離型層使用,以避免壓印或 射出成型高分子別是當進行微/奈米等級結構 成型時,此抗層的使用變得更為重要。然而,以蒸鍍、旋鍍、噴塗、浸 ... See full document

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光電材料表面/介面電子能階特性之研究(1/2)

光電材料表面/介面電子能階特性之研究(1/2)

... 這些電子能譜偵測儀,我們開始著手有機光電半導體和氮化鎵光電半導體的 分析和介質。在有機發光半導體料方,我們成功的測量出數種新的藍 光發光二極體料的電子能階結構,這些結果,可以用于改善有機發光二極體的操 作電壓和發光效率。在氮化鎵光電半導體料部分,我們使用氧化銦錫與鎳、金合 ... See full document

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