揭开Nb:SrTiO3 阻变效应的潘多拉盒子

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樊 贞，刘俊明 本世纪初，纪元轮回，但万物却无法归于原始，我 们的欲望依然是“更高、更快、更强”。人类一方面对 大数据有无止境追求，另一方面又懒于亲力亲为，使 得对物联网等新行业需求非线性上升。这些需求为数 据存储器的容量、密度、读写速度和功耗规划了欲望 之城。例如，想拷贝一套一位很挫教授讲授的《电磁 学》视频，竟然要 200 Gb 数据盘；想备份张嘉译的 《悬崖》，需要 400 Gb 的数据盘；一位学生画了一幅电 子结构能带的 eps 图，有 80 Mb 大小。未来奢望的数 据存储是将处理与存储集成为一体，即数据直接存储 于 RAM 中，无需硬盘和 off-line 记录介质。这些企图 看起来正在将磁存储和铁电存储等传统存储方案冷落 一边。而目前商用的非挥发性存储器（如 Flash）在高 密度大容量集成方面也意兴阑珊，特别是可擦写次数 有限 (104_{∼ 10}6_{)，难以满足未来大数据存储的需求。} FIG. 1 (a) 阻变存储单元结构示意图，引自[1]。(b) 单极性 和 (c) 双极性阻变的 I− V 特性曲线，HRS 和 LRS 代指高、 低阻态。引自[2] 过去十年，平地冒出了一种新存储技术，即阻变 存储 (resistive switching, memristor, RRAM)。这一技 术的雏形应来自于华人学者 L. O. Chua 基于对称性 而对电阻、电容和电感之外感应元件进行的某种推演。 于是，阻变存储戴上了一顶高大上帽子，开始闯荡江 湖。图 1 展示了一种典型阻变式存储器，其结构单元 类似“三明治”，是一金属–介质层–金属 (MIM) 结构， 介质层即为阻变材料。这一器件的电阻在外电场下会 发生高低阻态相互转变，从而实现“0”和“1”信息存 储，即阻变存储。阻变存储由于结构简单，拥有高速、 低耗、与 CMOS 工艺兼容等优点，被国际半导体发展 路线图选为最具发展潜力的新型非易失存储技术之一。 不过，人类调控材料功能的手腕中最精准入微的就是 电场调控了，我们很轻易就能够做到纳伏、纳安、纳 秒、纳米这 nano4 _{维度的精确控制。也因此，这一结} 构也可能是史上最简单的元器件结构，却在集成电路 登峰造极之时脱颖而出，其中缘由莫名其妙。 阻变存储的研究十分活跃，很多高明的一般的、 钱多的钱少的、大军团小队伍都参与进来。原因无非 有二： 1. 这 MIM 结 构 制 备 简 单，随 便 拉 个 台 子 就 可 以 sol-gel，更别提高大上薄膜制备技术了。在实验 室里也不需要加工处理，在介质层表面按上一 个金属电极就可以测量。因此群贤毕至、老少皆 宜。 2. 阻变效应很容易“观测”到。加个电压测个电流， 只要是电介质，好像基本上都能在扫场过程中形 成 I− V 回线 (loop)，因此都能够“阻变”。 目前，对阻变效应主要集中在机理、新材料探索、 器件性能优化及功能性应用开发（如人工神经网络突 触器件）等方面，实际上做什么的都有。事实上，别 看阻变 MIM 结构简单，里面微观的子丑寅卯很难说清 楚。机理不明确、均一性稳定性差、高密度集成串扰 等问题，形成一个高度网络化的学术架构，使得无数 英雄豪杰在里面都可以采撷到“宝藏”。这大概是阻变 材料研究目前现状的戏谑版本。 目前对阻变高低阻开关机制的理解大致上是两类， 一类是局域的，一类是广延的。 局域机制主角是“帅哥”弗莱蒙特 (filament) 导电 丝，是说 MIM 内存在某种结构、成分、电荷、缺陷等 不均匀性。外加电场可以引起这些不均匀性涨落放大 文章编号:1000-0542(2018)04-0175-5 175 DOI:10.13725/j.cnki.pip.2018.04.003

FIG. 2 弗莱蒙特阻变机制的非简并特性，导致一个状态稳定 性弱于另一个状态，其物理不美。引自[3]。 这一机制与传统磁存储和铁电存储不同。后者讲 究能量简并，即两个态是一对等能量双势阱，它们的 状态是稳定“可靠”的。而前者对应的开关态一般是非 简并的，势必造成两态动力学倾向不同，如图 2 所示。 高势阱态实际上不是很稳定“可靠”，导致这类 MIM 器件存在难以避免很强烈的动力学演化，即寿命不久。 所以，阻变材料研究特别重视开关次数和 retention 寿 命，原因就在于此。而且，这些导电丝到底会发生在 介质层的哪个位置决定于经典几何的“测不准原理”， 让很多学者坐立不安。从这个意义上说，这种机制的 物理“不美”！ 广延机制的主要是“太平公主”界面机制，外表上 看起来很美，内在也蕴涵深厚。MIM 结构中，电导用 隧穿或热激活语言描述。如果电介质层存在某种功能， 则 M− I 界面形成的异质结电子结构可以被调控，出 现高低阻态。最典型的实例就是电介质为铁电体的情 况，其中电极化对 M− I 界面电子结构形成调制，极 化分置两端时 MIM 的隧穿电阻不同，形成高低阻态。 这一机制的两态可以是简并的，也可以不是。 这种 MIM 阻变物理优美，可以做得很干净漂亮， 因此易于得到物理同行青睐和认可。然而，对 MIM 制 备的要求就高得很多。所谓高处不胜寒，没有金刚钻 揽不下这瓷器活。即便如此，依然有很多队伍要“金沙 江、泸定桥、雪山草地是我家”，也就有了很多 MIM 界面阻变的工作熙熙攘攘、流到昙花昨日的香江去看 一看。 两种机制一局域一广延，尺度不同、行为迥异。限 内部或 STO 与其它佳人的界面处。源于其电子 结构和晶格结构“恰到好处”地处于一些“临 界”位置，STO 是氧化物中少有的金牌材料。粗 鲁一点说：STO 要风得风要雨得雨，都是分分钟 的事情。 2. STO 在掺杂 Nb 后体现出 n 型半导体特性，与高 功函数金属（如 Au, Pt）接触可形成肖特基结。 该肖特基结也可以体现出显著阻变效应，相关研 究已持续十年有余，但微观细节仍存争议。 图 3 总结了金属/NSTO 肖特基结中可能的阻变机理： 1. 电场诱导电子隧穿路径的开和关，形成阻变，但 肖特基势垒保持不变。 2. 耗尽层区域发生氧空位迁移或电荷俘获/去俘获， 导致肖特基势垒变化，形成阻变。 3. 肖特基势垒发生变化，但变化源于界面层或界面 态处电荷俘获/去俘获效应。 铺垫到此，可以将潘多拉盒子抬上高堂了： 这里 介绍一个最近的工作[8] _。 近几年，围绕阻变效应的铁电隧道结 (ferroelectric tunnel junctions, FTJ) 研究如火如荼，其中铁电层作 为介质层，NSTO 常用作铁电层的衬底。这里可能的 “陷阱”是： 在在在金金金属属属/铁铁铁电电电/NSTO 异异异质质质结结结的的的阻阻阻变变变中中中，，， 铁 铁 铁电电电极极极化化化调调调控控控占占占有有有主主主导导导作作作用用用！！！ 但人们不免心生疑惑：既然金属/NSTO 异质结已 表现出显著阻变效应，那铁电层在其中是否起到了设 想的作用（即极化调控势垒）？ 也就是说，这里物理之 美是不是化了点妆？ 这里，有两点有待澄清： 1. 铁电层中是否发生了极化反转？ 之前，极化反转 的证据都来自压电力显微镜 (PFM)。近期有研 究[4]_{指出，铁电薄膜中铁电性和电化学行为是共}

FIG. 3 NSTO 体系中几种阻变机理。机理 1：电子 (a) 去俘 获和 (b) 俘获，导致陷阱辅助隧穿路径打开和关闭；机理 2： 耗尽层区域氧空位 (c) 靠近和 (d) 远离界面，导致势垒发生 变化；机理 3：界面层和界面态处发生电子 (e) 去俘获和 (f) 俘获，导致势垒发生变化。注：机理 2 中耗尽层区域的电荷 俘获/去俘获效应未画出。 存的，且厚度越小、电化学行为越占主导。而电 化学行为可在 PFM 测试中产生与极化反转相似 的响应，需谨慎区分。 2. 常 用 铁 电 材 料， 如 BaTiO3 (BTO)、 Pb(Zr, Ti)O3 (PZT)，其导带底与 NSTO 比较接近。铁 电宽带隙隧穿层需要在高质量异质结构中方能有 所作为，质量不够好的异质结中导电机理可能比 预想的直接隧穿更复杂。 基 于 以 上 疑 虑， 我 们 要 问： 金 属/NSTO 和 金 属/铁 电/NSTO 两种不同异质结的阻变效应有无异同？ 理 清此等异同，可明确将铁电和非铁电因素区分开来， 也 可 能 揭 示 一 个 统 一 的 阻 变 机 理。比 较 Au/NSTO 和Au/BTO/NSTO 两种不同异质结（分别用 MSJ 和 FTJ 代指）的阻变行为是一个入口，细致的机理研究 和定量描述电流–电压 (I− V ) 滞回曲线的理论是关 键。 这一工作中的异质结样品属于 BTO 薄膜微结构 质量不是特别高的一类。实验观察到： MSJ 和 FTJ 的 I− V 滞回曲线（图 4）、电阻–电压 (R − V )滞回

FIG. 4 Au/NSTO MSJ 和 不 同 厚 度 的 Au/BTO/NSTO

FTJ 的 I− V 特性曲线 曲线（图 5a 和 5b）、阻态转换时间（图 5c 和 5d）及 阻态弛豫特性（图 5e 和 5f） 非常相似。用扫描探针 (diamond) 作上电极，测量局域 I− V 特性，也得到 相似滞回特性。由于 MSJ 中不含铁电层，可初步判 断 NSTO 体系的阻变并非完全由铁电极化调控。此外， 一些实验现象与极化调控势垒图像也有出入，比如： 1. 阻变开关比与铁电薄膜厚度关系与常规 FTJ 不 符。理论预测[5]_{和实验证实}[6]_{常规 FTJ 的阻变开} 关比随厚度增加而增加，但这一工作在 NSTO 基 FTJ 中没有观察到这一趋势（图 4）。 2. 负 电 压 区 写 入 电 压 越 大、阻 态 越 高（图 5a 和 5b）。如果阻变由极化反转引起，应当存在临界 转换电压及饱和现象。但这一实验并无观察到这 些特征。 3. 阻态转换时间较长（微秒量级，图 5c 和 5d），远 大于极化反转时间（纳秒量级）[7]_。 4. 如果极化调控 NSTO 耗尽层势垒的物理起作用， 替换上电极后，BTO/NSTO 界面仍存在极化调 控势垒，从而造成阻变。但把高功函数金属上电 极替换为低功函数金属（如 In, Ti）时，阻变消 失。也就是说，阻变形成与高功函数金属/氧化 物 (NSTO, BTO) 的界面相关。

FIG. 5 (a, c, e) Au/NSTO MSJ和 (b, d, f) Au/BTO/NSTO FTJ的 (a, b) R− V 曲线；(c, d) 不同写脉冲宽度下阻态变 化；(e, f) 阻态弛豫特性。 接着，在不同气氛下用扫描探针写入并测量表面 电势 (SKPM)，观测到裸露的 NSTO 衬底表面和 BTO (7 nm)/NSTO 中 BTO 薄膜表面都存在显著电荷注入 及俘获现象。这些电荷造成的静电作用甚至能使裸露 的 NSTO 衬底表面产生 PFM 振幅和相位衬度，就如 铁电表面那般（图 6）。实验中也观测到类似铁电的压 电回线（图 7a 和 7b）：真是碰见鬼了！ 进一步，随着 AC 电压增加，对裸露的 NSTO 表 面测得的压电回线变化趋势也与在 BTO 表面上测得的 相似（图 7c 和 7d）。 从这一工作的结果很难确定 BTO 中是否存在铁电 极化反转。即使 BTO 中发生了极化反转，也会一定程 度上被电荷注入和俘获效应所掩盖。在这两种异质结 构中，电荷注入和俘获很可能是主要效应，也正是这 一效应导致 MSJ 和 FTJ 出现相似阻变现象。 最后，这一工作结合变温 I− V 、电容–电压 (C − V ) 和光电响应 (photo-response) 等测量手段，证明了 阻变过程中势垒和隧穿效应都发生了变化，揭示了电 荷俘获/去俘获同时调控势垒和隧穿效应，诱导产生不 同阻态。 综合以上实验结果，有机会提出一个金属/绝缘 体/半导体 (MIS) 模型，来解释阻变现象（图 8）。需

f) BTO(7 nm)/NSTO 薄膜表面后测量的 (a, d) SKPM 电势 分布图、(b, e) PFM振幅图、(c, f) PFM 相位图。

FIG. 7 (a) NSTO衬底和 (b) BTO/NSTO 薄膜的压电振 幅 和 相 位 曲 线。 不 同 AC 电 压 下 (c) NSTO 衬 底 和 (d) BTO/NSTO 薄膜的归一化压电响应曲线。 要特别指出，由于氧空位和互扩散等因素，可能出现 BTO 和 NSTO 导带底和带隙比较接近的状况，导致 BTO 呈现半导体性。因此，有理由认为 BTO 薄层可 作为半导体耗尽层的一部分。而绝缘体层（也即隧穿 层）实际上是高功函数金属与半导体之间的界面层。 这一所谓界面层和界面态的存在可通过 C−V 和 C −f 等结果证实。 这一 MIS 模型可用以定性分析电荷俘获/去俘获 如何调控势垒和隧穿效应，从而实现阻变；也可以结 合不同阻态下输运机制来定量计算 I− V 曲线；计算 与实验结果很吻合。 提一嗓子： 低功函数金属与 BTO 和 NSTO 是欧 姆接触，故电荷俘获效应可忽略，不造成阻变。 需要指出，基于 NSTO 铁电 FTJ 的研究很多，但 大多是定性和唯象的，缺乏定量化的理论模型。而且， 要明确展示铁电极化的作用，这种 FTJ 的微结构和界

FIG. 8 高低阻态下 (a) 电荷分布和 (b) 势垒示意图。“T”和 “DT”代指俘获和去俘获。(c) 实验和模拟的 I− V 滞回曲 线。(d, e, f, g)不同电压区可能的输运机制。“TE”、“TFE” 和“FE”分别代指热激发、热–场发射和场发射。注： 陷阱 辅助隧穿未画出。 面质量必须非常高。像南京大学吴迪那样高质量 FTJ 结构且有定量结果的漂亮工作并不多见，它可能是少 数充分展示了 FTJ 中铁电本征特性的工作之一。 本文介绍的这一工作有不少观点与前人相悖，但 无意否定铁电层极化对阻变调控的物理。不少已经报 道的工作中存在一些未能详细描述的实验细节，本文 的模型很难对所有报道的“天龙八部”都给予解惑。虽 然需要回答和解决的问题很多，但未掩盖本文为打开 铁电薄膜/Nb:SrTiO3 异质结阻变这个潘多拉盒子所扮 演的角色。这一工作待价而沽一年多，未能孔雀开屏， 最终栖息于 Journal of Materials Chemistry C 中。但 是，笔者认为，这一工作的重要性和所提模型之普适 性能承受检验，即便是给 MIM 阻变物理之美作一枝绿 叶也很好。期望这项工作有助于澄清对 NSTO 阻变机 理的争议，同时引起阻变、铁电领域研究者对 NSTO 衬底的关注和重视。 最后，笔者愿意引用李泳老师 2010 年 5 月 2 日惠 赐给的一阕《卜算子》来结束本文： 物物物理理理本本本难难难寻寻寻，，，更更更 向 向 向功功功夫夫夫外外外。。。混混沌混沌沌无无无边边边涨涨涨落落落忙忙，忙，，只只只有有有铁铁铁心心心在在在。。。虚虚虚拟拟拟好好好风风风 光 光 光，，，平平平淡淡淡还还还奇奇怪奇怪怪。。。一一一句句句新新新诗诗诗生生生妙妙妙笔笔笔，，，漫漫漫写写写千千千重重重态态态。。。 本文下载地址： Resistive switching induced by charge trapping/detrapping: a unified mechanism for colossal electroresistance in certain Nb:SrTiO3-based

heterojunctions (http://pubs.rsc.org/en/content/ articlelanding/2017/tc/c7tc02197f/unauth# !divAbstract)

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