【19】中華民國 【12】專利公報 （B）
【11】證書號數：I346779 【45】公告日： 中華民國 100 (2011) 年 08 月 11 日 【51】Int. Cl.： G01N33/53 H05B3/20 (2006.01) (2006.01) C12Q1/68 (2006.01) 發明 全 4 頁 【54】名 稱：具溫度自補償功能之微反應槽及其應用 【21】申請案號：096138618 【22】申請日： 中華民國 96 (2007) 年 10 月 16 日 【11】公開編號：200918897 【43】公開日期： 中華民國 98 (2009) 年 05 月 01 日 【72】發 明 人： 李國賓 (TW) LEE, GWO BIN；謝宗閔 (TW) HSIEH, TSUNG MIN；羅錦興(TW) LUO, CHING HSING；黃富駿 (TW) HUANG, FU CHUN 【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG
UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 郭雨嵐；林發立 【56】參考文獻： TW I259535 CN 2795858Y [57]申請專利範圍 1. 一種微反應槽，其係包含：一腔室，該腔室之內部具有一表面；及一陣列型加熱器，其 係位於前述腔室表面，該陣列型加熱器係由一第一加熱層及一第二加熱層結合形成，其 中前述第一加熱層係由複數個同軸相之條狀微加熱器構成，第二加熱層係由佈局於前述 第一加熱層之微加熱器上以陣列形式排列之微加熱器構成。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之微反應槽，其中前述腔室之材質包含玻璃、石英或高分子 材料。 3. 如申請專利範圍第 2 項所述之微反應槽，其中前述高分子材料包含壓克力、聚碳酸酯或 聚二甲矽氧烷。 4. 如申請專利範圍第 1 項所述之微反應槽，其中前述第一加熱層及第二加熱層所含之微加 熱器係由金屬構成。 5. 如申請專利範圍第 4 項所述之微反應槽，其中前述金屬係為鉑/鉻或鉑/鈦。 6. 如申請專利範圍第 1 項所述之微反應槽，其中前述條狀微加熱器中最外側之微加熱器寬 度係為中間微加熱器寬度之 2 倍以上。 7. 如申請專利範圍第 1 項所述之微反應槽，其中前述條狀微加熱器之寬度與次一條狀微加 熱器間之間隔距離之比例在 10：1~1：1 之間。 8. 一種核酸增幅晶片，其係包含申請專利範圍第 1 項所述之微反應槽。 9. 如申請專利範圍第 8 項所述之核酸增幅晶片，其中前述微反應槽中係可進一步包含一溫 度感測器。 10. 如申請專利範圍第 8 項所述之核酸增幅晶片，其中前述微反應槽之腔室材質包含玻璃、 石英或高分子材料。 11. 如申請專利範圍第 10 項所述之核酸增幅晶片，其中前述高分子材料包含壓克力、聚碳酸 酯或聚二甲矽氧烷。 12. 如申請專利範圍第 8 項所述之核酸增幅晶片，其中微反應槽中之第一加熱層及第二加熱 層所含之微加熱器係由金屬構成。 1917
-13. 如申請專利範圍第 12 項所述之核酸增幅晶片，其中前述金屬包含鉑/鉻或鉑/鈦。 14. 如申請專利範圍第 8 項所述之核酸增幅晶片，其中前述條狀微加熱器中最外側之微加熱 器寬度係為中間微加熱器寬度之 2 倍以上。 15. 如申請專利範圍第 1 項所述之核酸增幅晶片，其中前述條狀微加熱器之寬度與次一條狀 微加熱器間之間隔距離之比例在 10：1~1：10 之間。 圖式簡單說明 第一圖係為本發明之具溫度自補償功能之微反應槽所具有之陣列型加熱器示意圖。 第二圖係為製備本發明之陣列型微加熱器之流程圖。 第三圖係為本發明之陣列型微加熱器達到熱補償之示意圖。 第四圖係為本發明之陣列型加熱器之熱相圖。 (2) 1918
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