[PDF] Top 20 偏壓輔助化學氣相沉積均勻鑽石-成核和成長之研究
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偏壓輔助化學氣相沉積均勻鑽石-成核和成長之研究
... 。 沉 積 的 核 種 經 由 SEM 的 分 析，可知所有不同條件試片，都可沉積高密度且均勻分佈的圓錐物。我 們還了解到，這些圓錐物的密度與參數的相互關係：若初步碳氫加熱階 段的時間越長，則密度越高；圓錐物密度還隨著在偏壓階段時的甲烷濃 ... See full document
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利用有機金屬化學氣相沉積法 研究砷化鎵於矽基板上成核成長之技術
... 本研究論文主要探討，以適當的成長條件，利用有機金屬化學氣相沉積法，直接成長砷 化鎵於矽基板上。於實驗起初，我們將對矽基板進行仔細的化學與熱處理，並適度調控 ... See full document
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奈米平板鑽石成長及基材晶向對鑽石異質成核影響之研究
... 奈米平板鑽石成長及基材晶向對鑽石異質成核影響之研究 The Growth of Diamond Nano-platelets and Substrate Orientation Effect on Diamond Heterogeneous Nucleation 研 究 生：陳厚光 ... See full document
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以常壓熱化學氣相沉積法成長奈米碳管之研究 韓世澤、姚品全
... CVD) 成長奈米碳管。藉溶膠-凝膠法(sol-gel)將觸媒先驅物旋轉塗佈於 矽基板，經由線上還原，(In-Situ eduction)以化學氣相沉積法成 長奈米碳管。由我們的研究可觀察到幾個現象：(1)前處理時 間、 ... See full document
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氯輔助成長奈米鑽石薄膜之研究(I)
... 基板間距離等鍍膜變數探討微米鑽石薄膜、奈米鑽石薄膜與石墨/非晶態碳膜之 成長參數範圍，並在此氣相含碳物種為遠離 partial equilibrium 的狀態下，利用質 ... See full document
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利用簡單熱氣相沉積法成長之氧化銦奈米結構之相關特性研究
... 熱 氣 相 沉 積 方 法 並 且 推 測 是 藉 由 vapor-solid 與 vapor-liquid-solid 成長機制下所形成之氧化銦奈米結構相關 特性的研究，在我的實驗中成功形成了三種奈米結構，分別為氧化氮銦奈米顆 粒、氧化銦奈米串鏈、以及似水果枇杷狀的氧化銦奈米結構，在特性分析中，包 ... See full document
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利用熱氣相沉積法成長氧化鋅相關奈米結構與其結構性質和光學性質之研究
... 摘要 我們成功的利用熱氣相沉積法成長兩種型態氧化鋅奈米結構—氧化鋅奈米 鋸子以及氧化鎂鋅奈米線。 在鋸齒狀的氧化鋅奈米結構研究中，我們以X光繞射,電子顯微鏡，以及拉曼 光譜確定其為纖鋅礦結構的氧化鋅。在低激發功率的室溫光激發光光譜中，能量 在3.22eV附近有很強的激子復合所產生的螢光，其寬度為150 meV；使用高功率 ... See full document
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中斷成長在有機金屬氣相沉積氮化銦鎵量子點時的效應研究
... 誌謝 在這兩年的論文研究生活中，由於必需在課業與工作中取得一個平衡 點，雖然讓我失去了一些休閒時間，但是最重要的是，在這一段所謂『玉 不琢不成器』的期間，改變了我對事情處理的態度，也增進了自己的邏輯 觀念，因此我很慶幸在自己的人生中能有這樣的經歷與改變。在這段成長 的階段中，在論文研究方面，首先要感謝的是指導老師郭浩中教授，由於 ... See full document
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基材影響鑽石成長之機制研究(III)
... 本計畫用微波電漿化學氣相沉積法在單晶鑽石基材上成長出排列規則的奈米鑽 石平板陣列。經由聚焦離子束與電子顯微鏡的觀察與分析，可能的原因是單晶鑽 ... See full document
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偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(II)
... 電漿化學氣相沈積法之環境下施以負偏壓輔 助孕核所得到成核密度不高，故難以合成連續 之鑽石薄膜。在 300V 正偏壓的環境下輔助孕 ... See full document
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以超高真空化學氣相沉積系統成長鍺磊晶層於磷化銦鎵/砷化鎵基板之研究
... 為了解決矽半導體元件在線寬持續縮小的趨勢下所遇到的問題，以鍺磊晶薄 膜作為通道材料因應其高電動遷移率(1900 cm 2 /V-s)的特性被視為一種可行的解決方 案。本篇論文首度利用超高真空化學氣相沉積系統(UHVCVD)成長鍺磊晶層於磷化銦 ... See full document
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利用雙加熱有機金屬化學氣相沉積系統成長低史托克位移氮化銦鎵薄膜之研究
... 並且有另一個更高能量的受激發光峰值出現，此峰值和吸收光譜實驗中的 吸收邊緣相吻合，而史托克位移較小的樣品則沒有上述兩種現象，主要是 因為史托克位移大的樣品一開始的受激發光峰值是來自富銦叢集，但這些 叢集的體積總和遠小於整體主動層的體積，因此其能態的總數目也會小得 多，激發的能量密度到達 100 μJ/cm 2 時，此時所產生的載子數目已將叢集 ... See full document
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在金剛烷披覆之矽基材上探討 鑽石的成核、成長與結構特性之研究
... 摘要 鑽石薄膜有許多優良的特性，特別是在電子、光電、和光學應用上有極大的 潛力。雖然鑽石合成技術已經達到了一個限度，在大面積商品化的需求下還存有一 些不明且難以解決的問題，特別是在較低的溫度與壓力下進行鑽石薄膜的合成。因 ... See full document
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利用二段式熱化學氣相沉積法成長不同間距高度比之奈米碳管柱列之場發射特性研究
... 此外要感謝的是橫山明聰老師、蔡春鴻老師、邱碧秀老師以及柳克強老師，你們在 口試中對本篇論文內容提出的建議及看法，除了讓本篇論文架構更為嚴謹之外，也提供 了另一種思考問題的方式。 其次我要感謝阮全平學長在實驗過程中給予的建議及鼓勵，使我對於實驗的內容更 為了解，平常的交談中也傳授了許多的經驗談，令我受益匪淺。還要感謝張加聰學長對 ... See full document
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以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦鎵及砷化鎵異質接面雙載子電晶體之銅金屬化研究
... 研 究 生：張俊偉 Student: Chun-Wei Chang 指導教授：張 翼 博士 Advisor: Dr. Edward Yi Chang[r] ... See full document
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交流偏壓對鑽石成核影響之研究
... 4.1 以正偏壓孕核成長鑽石膜 4.1.1 參數設計 當對基材施以正偏壓卻無架設上電極時，偏壓時量測到的電流值趨 近零，亦即是說這樣的偏壓效果相當小，故此一小節實驗是採用配置一 架設於反應腔體內 (圖 ... See full document
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直流電漿輔助化學氣相沉積石墨烯牆於鑽石薄膜及矽基板
... 2. 涂嘉豪、曾偉良、方信喬、曾永華及劉全璞。石墨烯牆異質磊晶成長於矽基板之研究。Carbon 54, pp. 234-240 (2013). (IF:5.87, Rank: 23/241 in Materials Science) 石 墨烯，與鑽石一樣由 組成，兩種材料皆表現出傑出的物理及化學性質，而且 ... See full document
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利用電漿輔助化學氣相沉積法於低溫下成長氮化鎵奈米線
... 的晶體品質，成長溫度的下降並不影響氮化鎵奈米線的成 長方向。但當成長溫度降到 550°C 時，因為鎵不足所造成 的 N-rich 成長環境以及相對低的基板溫度，造成原子表面 擴散距離下降，奈米線表面因而長出不規則晶體變的不平 整，且在氮化鎵奈米線的內部及表面形成許多缺陷，造成 ... See full document
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鍺/矽化學氣相沉積磊晶異質成長與參雜
... 為了應用在汲極和源極對通道產生應變的技術或成長高濃度的無接面電晶體元 件通道，在此外本論文最後研究有關鍺參雜的技術，藉由形成一高硼參雜或磷參 雜的固態層，其參雜藉由擴散在鍺內形成淺接面。此技術避免因離子佈值型成的 缺陷而造成的暫態擴散提升效應，此部分一開始會利用固態參雜擴散技術來形成 接面，此技術為形成一高硼或磷濃度的固態層做為形成鍺參雜的來源，證實由於 ... See full document
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