[PDF] Top 20 利用奈米圖型化基板製作高效率氮化鎵發光二極體
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利用奈米圖型化基板製作高效率氮化鎵發光二極體
... 在此論文當中，我們提出於氮化鎵與藍寶石基板接面製作二氧化矽 奈米柱陣列，以提高氮化鎵發光二極體發光效率。藉由穿透式電子顯微 ... See full document
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利用主動層優化降低氮化鎵發光二極體效率下降特性之研究
... 摘要 本論文中，我們利用改善主動層品質及優化量子井結構等方式,試圖提高氮 化鎵發光二極體於高電流時的發光效率.我們將低溫成長之氮化鎵薄膜置於 n-GaN及主動層間,並將此樣品與一般所使用的InGaN/GaN ... See full document
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利用濕蝕刻基板提高氮化鎵發光二極體外部量子效應
... 利用圖樣化的藍寶石基板，我們製作了兩種不同結構的發光二極體，其一利用兩次 基板轉移以及雷射剝離技術，將基板作為一個底部的反射鏡，在這一部份之中，模擬和 ... See full document
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利用晶圓接合與電鍍技術製作高功率氮化鎵族發光二極體
... Cu/Si 基板與 ITO/GaN，且經雷射剝離的 過程後仍具有良好的附著性並無明顯的缺陷產生（圖 4-22、4-23）。雖然已 成功完成接合，但是對於圖 4-22 中磊晶層內的基板圖案感到好奇。因此， 我們進行了 GaN 與 Cu/Si 基板的接合實驗，無 ITO 層是為了不使其接合而 觀察 Cu/Si ... See full document
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對 利用水熱法成長氧化鋅奈米柱提升氮化鎵發光二極體
... IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 21, No. 4, 9100405, 2015 對 於固態照明來說，需要提供大的功率為大型設備所使用。所輸入的電功率 將被部分轉換成輸出光，而其餘的功率將被轉換成熱能。如果沒有一個良好的熱 穩定性，產生的熱量很容易使元件損壞。因此提高大功率LED的熱穩定性這是非 ... See full document
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利用量子效率與時間解析電激螢光研究鎵極性、氮極性與半極性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之載子傳輸行為
... 建議和指導，在待人處事上更教導我們要有積極的態度，讓我在面對事情的時候， 往往能有事半功倍的感覺；再者要感謝國立中山大學物理系杜立偉老師，這次的 論文能夠完成，杜老師的實驗室提供了不少實驗資源與意見。最後，要感謝實驗 室的學長－宗憲，以及研究所同學豐益、奕霖、育蓁、一正、在研究所生活中互 ... See full document
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次世代基板成長高效率氮化鎵系列發光二極體之研究
... 感謝老漢、13、BUSH、康雨婷、萬海、郭炫廷、MO WANG、施懷翔這些碩二同學在 我碩士班生涯的兩年期間，陪伴著我和我一起在實驗室度過實驗煩悶的夜晚，也讓我 在打球、快炒店、好樂迪等等地方留下快樂的回憶。感謝學弟妹，在實驗上的幫助讓 我能夠順利的完成論文中的實驗以進行分析，有了你們讓我的碩士班過得更加的愉 快。 ... See full document
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半極化面{10-11}氮化銦鎵/氮化鎵奈米金字塔發光二極體之製作及特性研究
... 美食團也都仰仗你，謝謝你開心的接受你的外號；感謝攝影大師幼齒，每次出去 都背著很重的傢伙，有的沒的都可以亂說，謝謝你聽了我那麼多抱怨；感謝小朋 友的家齊，總是很準時抵達大家約定的地點，下次會好好保護你的，謝謝你幫我 分擔了很多 PL 的實驗；感謝愛妻小杜，大量買東西都要靠你的車，謝謝你在製 程上幫了我很多的忙；感謝大神阿 po，就算沒搞清楚狀況還是會跟團，不論如 ... See full document
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400奈米氮化銦鎵-氮化鎵與氮化銦鎵-氮化鋁鎵多重量子井發光二極體
... 面之2英吋藍寶石基板上。三甲基銦、三甲基鎵、三甲基鋁以及氨氣 作為有機金屬源。圖1(a)為本研究中所使用的氮化銦鎵-氮化鎵多重量子井結構。換句話說，InGaN-AlGaN多 ... See full document
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氮化銦鎵覆晶發光二極體之製作
... ITO和Ni/Au發光二極體的L-I-V特性曲線也同樣在此做比較討論。從I-V曲線中可以 發現覆晶式ITO、非覆晶式ITO和非覆晶式Ni/Au發光二極體在操作電流為20 mA時 ... See full document
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氮化鎵發光二極體光取出效率提升的研究
... 在這說長不長，說短不短，兩年多的研究所進修生活即將過去， 因為有許多人的幫助與支持鼓勵讓我能順利畢業。首先，最感謝我的 恩師，張翼教授對我的指導與多方面的啟發，讓我的知識增長，視野 更加寬大，於求學期間在課業與生活上諄諄指導、鼓勵及關懷，使學 生受益良多，在此獻上我最誠摯的謝意。這篇論文的完成，也要感謝 口試委員謝宗雍教授和張立教授，在百忙之中抽空當我的口試評審委 ... See full document
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高效率近紫外光發光二極體元件製作
... 瞬間高溫加熱元件造成傷害，卻也造成後續蝕刻傷害及使用犧牲層造成晶格品質的問 題。 本論文中，我們利用氮化鋁鎵銦(InAlGaN)來取代原本的氮化鋁鎵(AlGaN)的位障以 實現高效率的近紫外光發光二極體，並開發一種使用倒六角錐結構 ... See full document
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圖案化藍寶石基板氮化鎵系發光二極體之電雜訊量測及分析研究
... 首先非常感謝林國瑞老師，老師豐富的學識與涵養，以及在實驗上謹慎的態 度，都是值得我學習的地方。另外我也特別感謝光電所郭浩中老師的指導與鼓勵， 老師幽默風趣、內容充實的課程令我印象深刻，更提供了我許多機會與契機，使 我在碩士班的路途上一路順遂，非常感謝老師這兩年來對我的鼎力支持。同時感 謝李建平老師提供了完善良好的研究環境，使我能順利地進行研究，老師在 ... See full document
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成長與製作高效率氮化鎵系列發光元件
... 並且插入原子層沉積磊晶層之氮化鎵系列發光二極體與一般發光二 極體在操作電流為20mA 相比較下可提升 27% 之外部輸出功率。 我們同時也研究利用缺陷填補法來降低磊晶層缺陷密度。此缺陷 ... See full document
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以模型化方式探討氮化鎵藍、綠光發光二極體效率下降之原因
... 49 第六章 結論 在本碩論中，我們利用 ABC 模型搭配有效主動層體積並且考慮漏 電流的影響，去探討藍、綠光 LED 量測所觀察到 EQE 曲線的差異。量 測方面為了避免熱效應對輻射功率的影響，我們因而採用脈衝模式來 進行量測；量測數據處理方面，為了避免 RC 延遲對輻射功率判讀的 影響，我們採取微分輻射功率來還原光訊號。最後我們比較了脈衝模 ... See full document
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藉著電漿處理濕式蝕刻圖案化藍寶石基板提升氮化鎵發光二極體之效能
... PSS 基板 上，可有效降低氮化鎵磊晶層中的穿隧性差排密度、減少差排破壞主動層 的機會，進一步提升磊晶品質。除了利用上述方法估算差排數量外，為了 瞭解磊晶過程中的差排行進方向以及晶粒成長之變化，接著將利用穿透式 電子顯微鏡( transmission electron microscopy，TEM )分析磊晶層中的橫截 面。其中 TEM ... See full document
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光電化學製程在氮化鎵發光二極體製作上之應用 范文轅、蕭宏彬
... 本論文中，我們證明利用偏壓輔助光電化學技術能夠提升氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體之光取出效率。偏壓輔助光電化學 ... See full document
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氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之特性與內部量子效率研究
... 我自己一個人應該會更辛苦，和你們一起做實驗真的蠻快樂的，由衷的謝謝你 們。感謝政暐同學，從大學專題到碩士，在實驗上的問題總是會和你一起討論， 也常常會跟你抱怨實驗的不順利，謝謝你平常對我的鼓勵；感謝小馬、阿綱、治 凱、勁生、玫君、睿中、啄木、尚樺等碩二的同學，因為你們而讓我的碩士生活 更多采多姿。感謝小昕和依嚀學弟妹，常常陪著我做實驗到很晚；感謝永吉學弟， ... See full document
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高發光效率白光發光二極體
... B. 藍光 LED 激發有色螢光粉 使用藍光 LED 激發黃色 YAG:Ce 螢光粉 6 ，利用互補色原理得到白光。在 R. Mueller-Mach 等人論文中依照黃色螢光粉的比例不同 7 ，可調配出色溫介於 3500~5200K 左右之色光，此作法 之優點與不同色 LED ... See full document
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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體
... p 型氮化鎵，至此完成發光二極體主要結構。接下來為 VTF-LED 製程步驟， 將 p 型氮化鎵利用 Cr，Ag，Ni 等金屬在 350 度左右和矽基板接合，此即為晶圓 接合技術(wafer bonding ... See full document
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