[PDF] Top 20 化學機械研磨之清洗對銅導線電性的研究
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化學機械研磨之清洗對銅導線電性的研究
... 寶明；清大微機電所學長蘇旺申在實驗結果分析上給予許多的指教；電子所同學劉俊彥、林 榮祥、鐘文駿、林余俊、張志廉、張至揚；清大材料所同學黃秉偉；清大工科所同學黃清鴻 逢甲化工同學陳抴聰在求學與研究過程互相鼓勵與提供實驗上的協助。在此特別感謝方政昱 ... See full document
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創新的腐蝕抑制劑於化學機械研磨之清洗對銅導線電性之研究
... 創新的腐蝕抑制劑於化學機械研磨之清洗對銅導線電性之研究 Study on Electrical Properties of Cu Interconnect with Novel Corrosion ... See full document
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化學機械研磨與蝕刻製程導致微影疊對誤差變異的影響研究與改善
... 在現今的 IC 製程中,微影製程不再是影響疊對誤差的唯一因素,其它製程,如化學機械研 磨,蝕刻,薄膜成長等製程,也會影響微影製程的對準行為與疊對誤差結果 ... See full document
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化學機械研磨廢水之電混凝沉澱操作參數及模廠操作最佳化之研究
... 要 化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)為現今積體 電路與光電元件不可或缺的製程之一，其產生的大量稀釋研磨廢水的 處理也成為不容忽略的問題。此股廢水具有顆粒微小、粒徑分佈狹 ... See full document
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奈米鑽石石墨研磨墊應用於化學機械研磨移除晶圓氧化層特性之研究
... 要 化學機械研磨為半導體製程中唯一可達到全面平坦化的關鍵技術。目前應 用於化學機械研磨製程中的研磨墊，皆以聚胺酯發泡型高分子為主，因其發泡 ... See full document
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化學機械研磨在氧化鋁及氮化鎵上的應用研究
... 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 化學輔助機械研磨在氧化鋁與氮化鎵上的應用研究 Study on the application of CMP for Al 2 O 3 and GaN 計畫編號：NSC xx-xxxx-x-xxx-xxx 執行期限：88 年 8 月 1 日至 89 年 7 月 31 ... See full document
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利用化學機械研磨與熱退火處理氮化鎵基板表面之研究
... 28 研磨的 removal rate 變快與 PL 量測結果相符。 然而因為前面時間與 AFM 表面形貌的變化與壓力大小與 AFM 表面形貌的變化 讓我們想到一個的疑點?如果我們讓樣品經過長時間的 CMP 研磨及又在樣品上施 加重量，這些孔洞還是會繼續變大變深嗎?刮痕同時也會變寬變深嗎?或者最後可 ... See full document
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氮化鎵基板經化學機械研磨後損害層觀察與去除之研究
... 鏡的反射後，以焦距為5公分的聚焦透鏡，正向聚焦到樣品上，經聚焦後 的光點直徑約為0.3mm，樣品表面的功率密度可達21W/cm 2 ，樣品被激發 出的螢光同樣藉著此聚焦透鏡收光，與光譜儀入光口前的另一個焦距為15 公分的聚焦透鏡，形成共焦的光學路徑。收光所使用的光譜儀內含三種光 ... See full document
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應用模糊類神經網路於銅膜化學機械研磨之批次製程控制
... 究此網路時發現一個特點，在粗調時，批次的數度非常的快速，因為 是用一個演算式來求得權值的，而逐次是需要疊代，因此本研究所建 構之網路乃是利用此一批次粗調的優點。至於微調網路時，再撰寫程 式時發現微調的確可以把誤差再往下降，只不過其誤差再下降的程度 已經有限了，而且微調亦是用疊代的方法，而且運算式亦十分的複 ... See full document
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化學機械研磨的模式化與控制(2/3)
... layer)、絕緣介 電層(inter-layer dielectrics, ILD)加以平坦化。這種技術主 要以研磨液(slurry)與晶圓表面產生化學作用，再用研磨 液中所含硬度極高的陶瓷粒子以機械力將晶圓表面不平 的區域削切刮除，這種技術的主要原理很容易了解，但 是影響 CMP ... See full document
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有機添加劑和改變稀釋比例之化學機械研磨
... 有機添加劑和改變稀釋比例之化學機器研磨 Cu-CMP with Organic Additive and W-CMP with Different Dilution Ratio 研究生：洪啟哲 Student: Chi-Che Hong 指導教授：葉清發教授 Advisor: Dr. Ching-Fa Yeh ... See full document
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鑽石修整器修整特性對化學機械研磨製程的細微刮傷缺陷之影響
... 1.2 研究動機與目的 化學機械拋光的耗材使用種類中，以拋光墊與拋光液佔整體耗材成本的 60 %以 上，若能提高拋光液的作用率，便可減少拋光液的使用量，這也是降低成本的方向之 ... See full document
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化學機械研磨法之垂直結構發光二極體
... 5mA 的 驅動電流下均勻發光的照片。本實驗測試結果也發現在氮氣環境下退火活化只能有限度 的恢復半導體樣品的電特性，長時間在高溫及氫氣環境下生長對半導體樣品的特性影響 是很大的。從測試結果可以看到，目前製造的晶粒正向電壓均偏大，在 20mA ... See full document
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利用化學機械研磨技術製作新穎多晶矽薄膜電晶體結構及其電性模擬
... 感謝林俊銘學長在實驗方面給我相當多的幫助，在發生問題時也提供了相當寶貴的 意見，還有感謝同屆的好同學，在這忙碌的實驗過程中互相幫忙及分享各種實驗技巧， 也感謝所有認識的學長對我的指導與照顧。也感謝學弟妹們陪我打球解解悶。最後也謝 謝交大奈米中心及 NDL ... See full document
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MOS元件之閘極層介電材料之技術開發與清潔溶液對複晶矽薄膜經化學機械研磨之研發
... 元件之閘極層介電材料之技術開發與清潔溶液 對複晶矽薄膜經化學機械研磨之研發 Technology Development on Gate Dielectric for MOS Devices and Cleaning Solutions for Poly-Si Film after ... See full document
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高速模型演算法擺放無意義金屬用以改善化學機械研磨的平整度
... 蒙與鼓勵，同時教導我相當多做人做事的道理，是我精神上 的導師。而陳宏明教授適時的提攜我，讓我能有機會可以接 觸到 EDA 的研究領域。不可否認的，我對這份研究相當有興 趣。在這片對我而言尚是未知的領域，陳宏明教授也給予細 ... See full document
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化學機械研磨製程之控片與樣片之移除率及不平坦度預測與分析
... 2.5 研磨漿料的配置 化學機械研磨機台在研磨不同的材料時，必須使用不同的研磨漿 料，如：二氧化矽需用 PS2515＋DI Water 來研磨，銅需用三氧化二 鋁 3%＋硝酸 2%＋DI Water ... See full document
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化學機械研磨對不同研磨墊外形研磨晶圓之有效研磨頻率及有效研磨次數分析方法
... 紋形貌影響下，以研磨墊之數值矩陣重新估算新設計的 研磨墊外形對整個晶圓之有效研磨頻率及有效研磨次數 分佈狀態。本發明所稱研磨頻率說明如下：假設研磨墊 與晶圓接觸之區域稱為有效研磨，且研磨粒為均勻分佈 ... See full document
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嵌入式銅導線之無研磨粒子平坦化技術的先進製程控制
... CMP 機台只能 輸入至小數第一位，因此基於輸入的限制，本實驗將控制器計算出來之值在小數 第二位取四捨五入，這也是實驗之誤差之一。 移除率控制結果畫於圖 11 中，和圖 6 之無控制狀態下之趨勢比較，圖 11 很 明顯的可以將移除率效率下降值控制回到我們所設定的目標值上。當然，實驗時 ... See full document
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