[PDF] Top 20 透明非晶態氧化鋅錫搭配無銦電極之薄膜電晶體
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透明非晶態氧化鋅錫搭配無銦電極之薄膜電晶體
... 國立交通大學電機學院 光電工程學系碩士班 摘 要 由於銦價不斷的上漲，氧化薄膜電晶體中無銦的材料逐漸受到重視。本文著 ... See full document
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氧含量對非晶態透明半導體銦鋅錫氧薄膜電晶體特性之研究
... 氧含量對非晶態透明半導體銦鋅錫氧薄膜電晶體特性之研究 Study on the effect of oxygen incorporation on amorphous Indium Zinc Tin Oxide transparent thin film ... See full document
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微波退火技術應用於新穎式透明非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究
... 微波退火技術應用於新穎式透明非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究 Study of Microwave Annealing Technology on Novel Transparent Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film ... See full document
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透明氧化鋅之薄膜電晶體技術開發研究
... 成具備透明與半導體特性之氧化鋅薄膜；藉由在濺鍍過程時，改變通 入氧氣的流量及製程完成後的後續退火處理，我們成功建立一個得以 在室溫環境之下，均勻氧化鋅薄膜的沈積且具有最佳薄膜電晶體電性 表現的半導體層( Semiconductor ... See full document
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利用大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鋅系透明電極與氧化鋅/銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用之特性研究
... 國立交通大學 電子工程學系暨電子研究所 摘要 隨著光電領域的蓬勃發展，透明導電膜的需求量急速上升，商業化銦錫氧化 物具有良好的光電特性，然而銦是稀有金屬且具毒性，新的替代材料開發是必需 的，氧化鋅具有低成長溫度、低成本、鋅的蘊含量豐富且不具毒性等優點而受到 ... See full document
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非晶氧化物InGaZnO4 薄膜製備的透明薄膜電晶體
... 第五章 結論 經過鍍金接點後的霍爾量測、製程上靶材燒結、薄膜均勻性、微 影光罩對準、潔淨度的種種改善，以及結構的重新設計。我們終於使 用底部閘極的結構製成擁有高開關電流比 10 5 ~10 6 、低元件截止電流 10 -12 A、高元件遷移率 µ sat =7~~19 cm 2 V -1 S -1 以及可見光平均透光率 ... See full document
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InGaZnO4 非晶透明導電薄膜的物性研究與以其製備的薄膜電晶體特性
... 源 極 (source) 、 汲 極 (drain)、閘極(gate)；及以 Y O 2 3 [12]來做為絕緣層。且其所報導的 TFT 元件的載子遷移率可達 10 cm V s 2 − 1 − 1 ；on-to-off 電流比可達 10 3 ； 漏電流(leak current)約 10 − 10 A 。而其中較令人意外的是 InGaZnO 4 在 ... See full document
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高效能透明有機薄膜電晶體
... Nation Chiao Tung University In Partial Fulfillment of the Requirements. For the Degree of Master In[r] ... See full document
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具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究
... 摘 要 近年來隨著顯示器產業的迅速發展，對於做為畫素開關元件以及電流驅動元 件的薄膜電晶體之要求也隨之增加。然而，以傳統的非晶矽薄膜電晶體而言其主 ... See full document
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高效能非晶系銦鎵鋅氧雙極性有機薄膜電晶體
... 在雙極性 薄膜電晶體中扮演著電洞傳輸的角色，相對的 a-IGZO 則是提供了電子傳輸。 許多傳統的電子傳輸材料，在空氣中都會有不穩定的效果，必須藉由覆蓋 一層修飾層來達到在空氣中量測的目的，但是 a-IGZO 卻可以直接在大氣環 ... See full document
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具保護層之非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體穩定性研究
... 要 透明非晶態銦鎵鋅氧化物的載子遷移率已超越使用在液晶螢幕面板中的非晶態矽， 並實現透明電子產品。與環境的水氧反應和偏紫外光波段波長的吸收造成非晶態銦鎵鋅 ... See full document
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室溫氧化銦薄膜電晶體的製備
... 4-1 氧化銦薄膜電晶體 我們設計了一個全新結構的薄膜電晶體，有別於傳統的非晶矽薄 膜電晶體使用的Inverted staggered結構，採用Inverted coplanar，讓通 ... See full document
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藉由大氣電漿沉積主動層之氧化鋅薄膜電晶體之研究
... 摘要 本論文利用大氣電漿沉積氧化鋅作為元件的主動層，並且成功發展 出高效能的薄膜電晶體。在X光繞射儀(XRD)分析中可以發現由大氣電 漿沉積之氧化鋅具有優選的(002)晶向。氧化鋅薄膜對可見光的穿透率超 ... See full document
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不同電極對下電極結構之非晶系銦鎵鋅氧薄膜電晶體之影響
... 變化，研究了不同製程因素對於銦鎵鋅氧薄膜的特性影響，以提升非晶系 銦鎵鋅氧薄膜電晶體的效能。一開始，先藉由氧通量的變化，來探討氧通 量對薄膜特性的影響，而優化薄膜的半導體特性。另一方面，藉由退火改 ... See full document
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非晶氧化銦鎵鋅(a-IGZO)薄膜電晶體差分放大電路之研究
... 致謝 碩士兩年的時光飛逝，轉眼間就到了離開學校的季節，兩年間雖然辛苦但收穫 良多，由衷的感謝陳奕君老師在兩年間不僅僅是教導研究上的知識，也認真的跟我 們分享未來在職場上可能會面臨的情況，並時時刻刻的提醒我們做實驗的態度，且 發自內心的關心著每位同學，真的很謝謝老師的用心，也謝謝師丈陳建彰老師時常 來休息室關心大家的實驗狀況並爭取更好的實驗環境給我們，讓大家可以較舒適 ... See full document
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銅製程對非晶矽氧化銦鎵鋅薄膜電晶體特性影響之研究
... Fig 4.11(b) The ATLAS simulation results for the cases of donor- like subgap states in IGZO along with the measurement results shown in Fig.. Chapter 5[r] ... See full document
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非晶銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之背通道調製效應
... 成膜，並具有高於非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)的電子遷移率(>10cm 2 /V S )，故在顯示 科技領域上具有很大運用潛力。此外由於 IGZO 在大氣環境下非常穩定，複合式 IGZO 生 化感測器(Hybrid IGZO bio-chemical ... See full document
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具有奈米點摻雜之高效能雙閘極非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體
... IV Acknowledgement 兩年，轉眼之間就過去。當初跨科系考進交大光電所，懵懂的我對一切都很 陌生，當時看著學長們彼此討論著實驗的數據，疑問多到無所適從，那時總是聽 到一句，”以後你就懂了”。到今天，雖然還是對許多地方不懂，但是能順利完 成這篇論文。首先感謝指導教授冉曉雯老師和蔡娟娟老師的指導。其中，冉老師 ... See full document
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高效能矽披覆層非晶銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體
... 感謝口試委員們不辭辛勞地給予我們研究與論文上的指點與鼓勵，也很感謝研究室 的大學長們，不論在生活還是實驗上給我許多寶貴的建議:感謝蔚宗學長、武衛學長、 長紘學長、洪正學長、銘志學長、亭州學長、振航學長，你們的經驗與智慧讓我在研究 上事半功倍；其中特別感謝長鴻學長在這兩年來實驗的協助與經驗的傳承上都不遺餘 力。另外還有已畢業的碩士班學長們不辭辛勞的教導與鼓勵:家新學長、雋正學長、王 ... See full document
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