[PDF] Top 20 金屬有機化學氣相沉積磊晶氧化鋅薄膜於氧化物單晶基板之研究
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金屬有機化學氣相沉積磊晶氧化鋅薄膜於氧化物單晶基板之研究
... μm，外觀無色透明[38]，YSZ(111)與氧化鋅(0002)具有相近結構， 晶格差異約10.8%，接面示意圖如圖8。當釔含量介於4-5%為正交晶結構 ... See full document
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利用有機金屬化學氣相沉積法 研究砷化鎵於矽基板上成核成長之技術
... 本研究論文主要探討，以適當的成長條件，利用有機金屬化學氣相沉積法，直接成長砷 化鎵於矽基板上。於實驗起初，我們將對矽基板進行仔細的化學與熱處理，並適度調控 ... See full document
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原子層沉積之金屬氧化物及高分子/金屬氧化物超晶格複合材料熱電性質及氣體滲透率研究
... 技術之缺乏。在材料選擇方面，相較於傳統的重金屬化合物塊材熱電材料，金屬 氧化物半導體薄膜熱電材料具備多項優勢，包括價格低廉、化學性質穩定、環境 友善、且薄膜製備簡易等，因此為極受看好之新世代熱電材料。然而，金屬氧化 ... See full document
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金屬氧化物修飾層於有機薄膜電晶體應用之研究
... College of Electrical and Computer Engineering Nation Chiao Tung University. In Partial Fulfillment of the Requirements For the Degree of Master[r] ... See full document
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有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究
... InGaAs 量子點可能的長晶溫度 範圍大約在 400 0 C~ 550 0 C 之間。我們 成長三片樣品，其三片樣品的條件為 厚度 2.46ML、t GRI 為 30sec、溫度分別 為(a)470 0 C、(b)500 0 C、(c)530 0 C。圖 6 至圖 8 是這三片樣品沒有蓋披覆層的 AFM 觀測結果。我們由圖中看到 470 0 C 的樣品在大顆島狀物週圍分佈 ... See full document
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有機金屬化學氣相沉積奈米銅膜之動力研究及材料分析
... (K 1 ×P a ) 2 >> 1，沉積速率和先驅物分壓趨近於 零階(zeroth order)關係。蒸發器溫度 70°C 在 Fig.6 座落的位置屬於沉積速率和先驅物分壓 由二階線性分佈末端轉成趨近於零階線性分 佈的開始，表示此蒸發器溫度所提供的先驅物 濃度是很足夠的，足以讓先驅物的分子吸附且 ... See full document
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利用雙加熱式有機金屬化學氣相磊晶系統成長高銦氮化銦鎵薄膜與其物理特性研究
... 3-2 X 光繞射 X 光繞射在研究材料裡的微觀結構物與缺陷是一樣必要的工具，在本 論文研究中，X 光繞射量測主要被用來決定氮化物的晶格常數、合金組成、 以及結晶品質。X 光繞射是一項快速、非破壞的量測技術，並且其穩定及 高再現性的量測特性，所以時常被用來當作成長薄膜最佳化時的回饋資訊 來源。本論文中所使用的 X 繞射儀是使用 Bruker D8，如圖 ... See full document
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在不同緩衝層上以有機金屬化學氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究
... 4 約為 95meV，並探討了溫度對於激子遷移的影響，且在變功率下的 TRPL 顯現 了與 c-plane 的線性衰減不同的特徵，而是指數衰數衰減，這個提供一個 m-plane 量子井結構不具內建電場的另一個證據。而 DenBaars 等人對於 c-plane 及 a-plane 的 GaN/AlGaN 作了一系列變量子井厚度的比較，他們發現了傳統 c-plane GaN/AlGaN 量子井結構只需 ... See full document
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雙加熱器有機金屬化學氣相沉積系統上、下加熱板溫度對氮化銦鎵薄膜成長之研究
... 發光峰值能量不變，但積分光強度衰減 1 個數量級，然而從圖 4-12 來看， 樣品內的刃形和螺旋差排的密度變化都不顯著，因此改變上蓋板溫度對樣 品的 PL 積分強度變化不完全是來自差排密度影響。 點缺陷也可能非輻射復合中心，S. F. Chichibu 等人[57]以正電子淹滅實 驗量測不同成長方向氮化鎵的點缺陷與光性的關係，發現當鎵空缺(Ga ... See full document
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自身氧化還原先驅物之有機金屬化學氣相沉積奈米銅膜之動力研究及材料分析
... 之後探討分析沈積時間效應，由先前結果可知在 沈積溫度 190~230°C 之間所成長銅薄膜具有較佳的表 面型態及較低的電阻值。因此在此部分將沈積溫度分 別固定在 190°C、210°C 及 230°C，改變沈積時間從 0.5 到 10 分鐘成長銅薄膜，探討分析其表面型態及電性 質。圖 4 為沈積溫度為 ... See full document
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利用大氣電漿技術沉積不同結晶性硒薄膜於堆疊金屬前驅層之硒化製程研究
... Se 之損耗。我們將研究不同的電漿瓦數和基板溫 度對硒膜表面形貌、粗糙度、結構、元素組成的影響，分為退火前和 退火後兩階段探討。我們預期利用硒的激發態增加銅銦鎵硒薄膜黃銅 礦結構的結晶性，進而改善銅銦鎵硒太陽能電池的效率。接著我們將 完成太陽能電池，其結構為鋁電極/氧化銦鍚/氧化鋅/硫化鎘/銅銦鎵 ... See full document
117
利用雙加熱有機金屬化學氣相沉積系統成長低史托克位移氮化銦鎵薄膜之研究
... 並且有另一個更高能量的受激發光峰值出現，此峰值和吸收光譜實驗中的 吸收邊緣相吻合，而史托克位移較小的樣品則沒有上述兩種現象，主要是 因為史托克位移大的樣品一開始的受激發光峰值是來自富銦叢集，但這些 叢集的體積總和遠小於整體主動層的體積，因此其能態的總數目也會小得 多，激發的能量密度到達 100 μJ/cm 2 時，此時所產生的載子數目已將叢集 ... See full document
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溶膠凝膠金屬氧化物薄膜電晶體之研究
... 維哲、智昱平常實驗上的幫忙。兩年的日子裡，實驗室裡共同的生活 點滴，都是我求學生涯中非常珍惜的一段時光，也因為有大家的陪 伴，讓我在交大的生活更加豐富有趣。 最後，謹以此文獻給我最愛的父母親—郭廸流先生、蔡素玲女士 以及我的妹妹—郭蓉蓉小姐，你們的默默支持和關心是我前進的動 力，並陪伴著我走過這段日子，還要特別感謝一直在我身邊支持我的 女友-管順婷小姐，因為有妳的支持和鼓勵，關心和包容，使得我能 ... See full document
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利用大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鋅系透明電極與氧化鋅/銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用之特性研究
... 國立交通大學 電子工程學系暨電子研究所 摘要 隨著光電領域的蓬勃發展，透明導電膜的需求量急速上升，商業化銦錫氧化 物具有良好的光電特性，然而銦是稀有金屬且具毒性，新的替代材料開發是必需 的，氧化鋅具有低成長溫度、低成本、鋅的蘊含量豐富且不具毒性等優點而受到 ... See full document
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化學氣相沉積氧化鋅磊晶薄膜於YSZ基板之研究
... 物溫度 128 o C開始加熱，前驅物加熱約 8 分鐘後再升高至 130 o C，此時爐 體亦加熱至預定溫度即可開始鍍膜。鍍膜結束後以爐冷方式冷卻至室溫， 冷卻速率約每分鐘 2 o C。 兩階段成長部分，選用YSZ (111)做為基板，試片尺寸為 1×1 cm 2 ，清潔 步驟與一次成長部分相同。實驗步驟敘述如下： 1.清潔後之試片固定於基板 ... See full document
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使用緩衝層成長磊晶氧化鋅於單晶基板上之研究
... 試片 之 HRAFM 影像，其掃描的影像範圍大小分別有 2μm x 2μm、1μm x ...3 薄膜的表面形貌，很明顯的可以觀察到 Y 2 O 3 表面微小的晶粒尺寸與形貌，而在一般的 AFM 機台為因為解析 度不夠的緣故，無法觀察到平整表面的形貌，而使用 HRAFM 可以看 ... See full document
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以超高真空化學氣相沉積系統成長鍺磊晶層於磷化銦鎵/砷化鎵基板之研究
... 為了解決矽半導體元件在線寬持續縮小的趨勢下所遇到的問題，以鍺磊晶薄 膜作為通道材料因應其高電動遷移率(1900 cm 2 /V-s)的特性被視為一種可行的解決方 案。本篇論文首度利用超高真空化學氣相沉積系統(UHVCVD)成長鍺磊晶層於磷化銦 ... See full document
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於鋁酸鑭單晶基板成長非極性氧化鋅薄膜之研究
... It can be shown, from the concept of substrate engineering by enlarging the lattice distance of substrate along one direction, that (114) plane of LaAlO 3 with a miscut angle of 19.47[r] ... See full document
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原子層沉積法成長單晶氧化鋅薄膜之光學與晶體結構特性研究
... 老師在同步輻射資源上的支援與 X-ray 實驗與理論上的指導，讓學生得以在晶體材料的研 究上有著非常大的幫助。也感謝口試委員們對的指正與建議，使本論文更臻完善，也讓我 對於研究的未來的方向有更進一步的想法與做法。也感謝實驗室裡面的伙伴們長久以來的 互相支持，並一起渡過了大大小小像是工安環安的難關。感謝阿政學長的大力幫忙，還在 ... See full document
117
藉由大氣電漿沉積主動層之氧化鋅薄膜電晶體之研究
... 摘要 本論文利用大氣電漿沉積氧化鋅作為元件的主動層，並且成功發展 出高效能的薄膜電晶體。在X光繞射儀(XRD)分析中可以發現由大氣電 漿沉積之氧化鋅具有優選的(002)晶向。氧化鋅薄膜對可見光的穿透率超 ... See full document
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