[PDF] Top 20 鋁/氧化鋁/鈧穿隧接點於低溫下微分電導之研究

... 鋁/氧化鋁/鈧穿隧接點於低溫下微分電導之研究 Low Temperature Differential Conductances in Al/AlO x /Sc Tunnel Junctions 研 究 ... See full document

... − 之間的關係來看，我們和第二章理論部分的 T RKKY 效應做比較， 可以發現當溫度下降時其電導會隨之下降，直到某一溫度時會看到因為磁性雜質的影響 使得導電電子與雜質間產生交互作用，導致電子與雜質間的自旋反轉產生 Kondo 效應， ... See full document

... 4-1 鋁/氧化鋁/鋁(Al/AlO X /Al)穿隧接點的特性 為了更進一步探討接點電阻，本人的研究方向是設計一系列金屬/氧化層/金屬的 ... See full document

... 們確實有可能三個樣品都反映出鐵磁性耦合。但是，對照先前我們在實驗數據中之觀 察，在中溫區域的 G even ( V , T ) 為 V 與 T 的修正，分析與討論後我們認為其應為近藤效 應與雜質間反鐵磁耦合之競爭造成其顯露 NFL 行為的結果，即我們的樣品反映一雜質 間存在反鐵磁耦合之 2IK 模型的物理架構。在這樣的模型架構下，其基態不論是近藤屏 ... See full document

... 再將靶材放入鎢舟完成蒸鍍準備動作。與其他真空系統相同使用機械幫浦粗抽， 再由擴散幫浦接著將腔體抽到高真空，再慢慢加大電流，等待度率穩定，極可開 啟檔板，緊接著便將靶材換為鈦線跟金錠蒸鍍電極，清洗方式如同氧化鋁，預先 蒸鍍鈦可使金的附著更好，待鈦的鍍率穩定後，極可開啟檔板。鍍金的步驟與鈦 相同。本實驗製程一般為鈦 15nm、金 ... See full document

... 摘 要 在動態記憶體元件製程中，塹渠式的動態記憶體已被廣大應用在生 產線上。然而，隨著半導體的微縮定律，目前技術所提供的儲存密度 漸漸不敷使用，傳統的複晶矽/二氧化矽/矽已無法提供足夠的電荷儲 存量，因此，我們改以金屬/絕緣層/金屬替代，配合高介電係數材料 來替換傳統的二氧化矽，希望可以提高塹渠式的動態記憶體的電荷儲 存量。 ... See full document

... 在陽極處理的初期，電場將O 2- 離子從電解液中推入金屬和電解液界面，而Al 3+ 從金屬溶 出並與O 2- 離子在鋁表面上形成一層很薄且均一性佳的氧化鋁阻障層，如圖2-1-7A所示。因 為阻障層的體積膨脹造成氧化層表面變的不規則，當表面開始變的不規則，就會造成電場 密度不均勻化，穿透路徑(penetration ... See full document

... 5nm~10nm 之電子束並聚焦到樣品 表面上。於末端透鏡裝有一掃描線圈，可以使電子束在樣品上掃描。成像信號可 以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是最主要的成像信號。由 電子槍發射的能量為 5~35 keV 的電子，以其交叉斑做為電子源，經二級聚光鏡 ... See full document

... 1-2 研究背景 形 成 富 鋁 紅 柱 石 主 要 之 天 然 礦 物 「 鋁 矽 酸 鹽 礦 物 (aluminum silicate mineral)」如高嶺土等，已是研究多年的傳統陶瓷，其探索之方向著眼於高強度 的結構陶瓷應用。而針對富鋁紅柱石的相關研究從 1980 年來日益增多，在 1990 ... See full document

... 2 之質量比固定為 2/3，並添加 0-30%的 Al 2 O 3 以改變玻璃基底之成分，添加之標的重金屬含量為 1000 mg/kg，混合均勻後放入石墨坩鍋，再將石墨 坩鍋置入熔融爐中，以 5 ℃/min 的速度升溫，到 1450 ℃時持溫 30 分鐘。在分別以空冷及水冷兩種方式冷 卻，空冷與水冷編號分別為 A 與 W 系列，次編號則按照 Al 2 O 3 ... See full document

... 2 之質量比固定為 2/3，並添加 0-30%的 Al 2 O 3 以改變玻璃基底之成分，添加之標的重金屬含量為 1000 mg/kg，混合均勻後放入石墨坩鍋，再將石墨 坩鍋置入熔融爐中，以 5 ℃/min 的速度升溫，到 1450 ℃時持溫 30 分鐘。在分別以空冷及水冷兩種方式冷 卻，空冷與水冷編號分別為 A 與 W 系列，次編號則按照 Al 2 O 3 ... See full document

... 實驗結果顯示淨水污泥中以 SiO 2 含 量最高佔 54%，其次為 Al 2 O 3 及 Fe 2 O 3 ， 其餘成分均低。燒結產物經由電子顯微照 相、X 光繞射分析及比表面積測定，發現 淨水污泥中主要的結晶相為 SiO 2 ，且隨溫 度增加而有減少之趨勢。淨水污泥經燒結 後結構更為緻密，在 1000～1100℃燒結溫 度、成型壓力 1～3 噸、延時 0.5～1.5 ... See full document

... 子及反射電子，並會引發連續X光與特殊X光出現。而被激發二次電子和反射 電子會作為掃描式電子顯微鏡的成像使用外，當電子撞擊減速所放出X光 線，可形成EDS能譜背景值。而特殊X光線則來自於電子束所激發原子的外層 電子，而外層電子很快的遷降至內層電子中的空穴，這時會以X光方式釋放 ... See full document

... 1.1 研 究 背 景 與 動 機 鋁 鈧 合 金 之 相 關 研 究 與 早 期 發 展 因 受 限 於 鈧 含 量 稀 少 ， 導 致 在 價 格 方 面 過 於 昂 貴 ， 同 時 其 主 要 產 地 又 大 多 位 於 前 蘇 聯 境 內 ， 故 此 更 不 為 西 方 世 界 國 家 所 ... See full document

... VII 致謝 研究所這兩年時間說長不長，說短不短，期間發生了許多事情， 認識了許多人，學會了許多新事情。如今也到了即將畢業的時刻，論 文的完成，首先要先感謝兩位指導教授，台大物理王立民老師與師大 光電李亞儒老師的指導，在台大向王老師學習時，使我學習到基本的 真空系統、鍍膜系統、黃光製成、蝕刻製程與元件特性量測，並在實 驗上提供了一些新穎的想法，運用在太陽能電池元件製作上有很大的 ... See full document

... 所分配到的驅動時間將被縮短，造成顯示對比的降低甚至造成殘影的 現象。 為改善此一問題，可利用主動矩陣的驅動方式。主動矩陣驅動是 運用薄膜電晶體( TFT , Thin film transistor )來控制每個像素的 開關動作，且可將外加的電壓儲存直到下一個訊號輸入。在主動矩陣 驅動的液晶顯示器中，每一個 X 軸掃描線跟 Y 軸資料線的交點上都設 ... See full document

... 交指背接觸電極矽晶太陽能電池則是被看好極具有成為高效能 太陽能電池的潛力，且較易於模組化的特性則是非常適合大量生產與 應用，基於上述原因，交指背接觸電極太陽能電池的研究也是相當熱 門的課題。但是由於載子傳輸距離較傳統結構長的特性，表層鈍化即 成為了最重要的研究方向。 ... See full document

... (一)蒸鍍(Evaporation) (二)分子束磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy, MBE) (三)濺鍍(Sputter) 上述三種方式中，濺鍍擁有可以達到穩定的沈積效率、大尺寸的沈積 厚度控制、精確的成份控制及較低的製造成本而廣為應用於半導體工 業中。然而濺鍍的方法亦有直流濺鍍，射頻濺鍍，磁控濺鍍等差異區 ... See full document

... XES)等兩種光譜技術來進行探討。以下將就 XRD、同步幅射光 源、XAS 及 XES 等實驗技術及原理逐一介紹。 第一節 X-ray 繞射之基本理論 帶電粒子在巨大的加速或減速過程中，會釋放高能量電磁 波，其波長在10 -12 ~10 -8 m 則成X-ray，如此產生的光譜為一連續 光譜。此外，高速電子撞擊原子時，高速電子的動能會激發原子 ... See full document

... 其次，實驗室學長陳柏寧學長給予的指導相當受用。在實驗過程 中不斷的給予建議，並提供我寶貴的經驗，使得本論文可以順利的完 成。對於學長這兩年來的照顧，我將永遠感恩於心。 另外，實驗室的同學文全、明聰、鈞凱、永茂、勝軍，大家一起 努力打拚，那種患難與共的感覺相當的美好，我將永遠放在心中不會 忘記。 ... See full document