[PDF] Top 20 電漿處理或快速熱回火於MOHOS電容器儲存層之研究

... 1.5 電子伏特。因此， 圖 1-7 顯示在同樣的閘極電壓操作下，電子較易穿隧到儲存層的導帶 上。在本論文的研究中分成兩個主題進行討論。第一部分製程上製備 了 TaN/SiO 2 /HfO 2 /SiO 2 /Si 的 MOHOS 電容結構，主要針對 HfO 2 當電 ... See full document

... 我們進一步研究高介電常數閘極絕緣 層金氧半場效電晶體的可靠度故障分析， 包括熱載子效應、遲滯現象、通道遷移率 的劣化以及 1/f 雜訊的探討，透過電性、物 性探討提出一個可能的模型。我們研究不 同的電漿處理方式對於高介電常數閘極絕 ... See full document

... 條件。以暗電流量測元件的結果顯示出，於較低的電漿功率(100W)、較低的氫 電漿壓力(0.75 torr)、和較長的氫電漿處理時間(50 sec)會提升異質接面本質矽薄 膜太陽能電池的元件特性。此外，以光電流量測該太陽能電池的結果表示出，使 ... See full document

... 其次，我們研究了在原子層沉積閘極介電層中加以不同次數之氧氣電漿處 理，觀察其對二氧化鉿/砷化銦金氧半電容電性之影響。我們發現當採用高次數 ... See full document

... 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 ■ 成 果 報 告 □期中進度報告 新式結構與四氟化碳電漿處理在複晶矽薄膜電晶體應用之研究 The Study of the New Structure and CF 4 Plasma Treatment for Poly-Si TFT’ s Application ... See full document

... 其次，實驗室學長陳柏寧學長給予的指導相當受用。在實驗過程 中不斷的給予建議，並提供我寶貴的經驗，使得本論文可以順利的完 成。對於學長這兩年來的照顧，我將永遠感恩於心。 另外，實驗室的同學文全、明聰、鈞凱、永茂、勝軍，大家一起 努力打拚，那種患難與共的感覺相當的美好，我將永遠放在心中不會 忘記。 ... See full document

... 其次，要感謝實驗室的各位學長，給予我課業和實驗上的建議。特別是菘宏 學長，在實驗過程中給予我很多的幫助，提醒我無論是製程或量測都需注意很多 的小細節，使我的實驗能順利完成。對於學長兩年來的照顧，我將永記於心。 另外，實驗室的同學，給予我碩士班許多的歡笑。無論是在修課或實驗，大 家都一起努力、一起檢討、一起排解實驗地苦悶，這種同甘共苦的日子，我會永 遠珍藏。 ... See full document

... V 誌謝 首先，感謝指導老師 張國明教授，在這二年碩士求學生涯裡， 不僅在課業上細心指導以及研究上提供了許多重要意見，在生活上的 關心更令我倍感溫情。除此之外，在為人處事和人際應對上，老師也 常在聚會的場合教導我們，這些都讓我們受益良多。 ... See full document

... 式，結合沉積高介電薄膜前的電漿氟化處理及沉積後高介電薄膜後的電漿氮化處 理二種優點，並將此技術應用在具高介電材料的金屬-絕緣層-半導體電容及低溫 ... See full document

... 歐耿良;林耀楠;陳正雄;張維仁;林哲堂;謝松志;鄧乃嘉;李勝揚 摘要 本研究利用電漿表面處理來活化鈦金屬表面以連接生物活化性白蛋白(albumin), 發展一植體表 面處理技術。鈦金屬表面先以氫氣電漿清潔，接著以丙烯胺(allylamine)電漿處理，使經氫氣電漿 清潔後的表面附著上胺基(-NH2)，再以交鍵劑戊二醛(glutaraldehyde )連接固定白蛋白於[r] ... See full document

... 避免外加應力造成奈米碳管扯離基材，且於奈米碳管經電漿處理之文 獻中發現，電漿處理製程除可達到平坦化之目的外，對於奈米碳管之 化學成分及電性皆有助益，如去除表面非晶質碳可藉由電漿源予以轟 ... See full document

... 從碩一進入實驗室直到碩二畢業的七百多個日子裡。回想起來，在 NDL 沒日 沒夜做實驗的日子，除了覺得辛苦外，還有小小的驕傲。不管有多累，還是靠著自 己的力量，完成了我碩士論文要研究的元件。 一路走來，要感謝的人實在太多。感謝徐行徽、蘇俊榮、李明賢、呂嘉裕、盧 景森、張凱翔等博班學長及已畢業的上界學長們給予我研究上幫助及建議，與我分 ... See full document

... In chapter 2, the leakage current models are introduced and compare the bottom-gate and top-gate characteristic after and before NH3 plasma treatment.. We also verified physical properti[r] ... See full document

... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 隨著金氧半場效電晶體的微縮，二氧化矽當作閘極介電層將面臨到物理限 制。當互補式金氧半場效電晶體的閘極通道長度微縮到 100 奈米以下時，閘極介 電層的有效電性厚度將縮小至 ... See full document

... 荷，使得遲滯現象增加。因為介面缺陷位於介電層與矽之交界處，以至於當閘極 電壓在變化過程中，表面電位改變時，介面缺陷會捕捉或是發射電子，導致帶電 量改變。類施體介面缺陷位於能帶下半部分，當費米能階彎曲低於介面位置，使 ... See full document

... 後以電子顯微鏡(SEM)觀察樣本的表面，以 電子能譜儀(XPS)作定性分析，並以元素分 析 儀 (SEM-EDS) 作 定 性 分 析 與 半 定 量 分 析，檢測蛋白質於不同種類和濃度的交鏈 劑處理下在鈦金屬表面連接的情況。SEM 結果可見，實驗組的鈦金屬上有球型或海 綿狀類似膠原蛋白之披覆。而 XPS 分析圖 中顯示有 ... See full document

... 誌謝 時間過得真快，兩年的研究所生活即將結束。首先要感謝我的指 導老師汪大暉教授與張國明教授，除了給予我正確的研究方法與專業 的教導，建立深厚的研究基礎，讓我受益良多之外，老師也常常告訴 我們做人處事的道理，並常常鼓勵我們、支持我們。 ... See full document

... 職是之故，申請人鑑於習知技術中所產生之缺失，經過 悉心試驗與研究，並一本鍥而不捨之精神，終構思出本 案「形成多晶矽的氨電漿處理方法」，能夠克服習知製 造多晶矽結構技術中的弱矽氫鍵結及長結晶時間等的缺 陷，以下為本案之簡要說明。 ... See full document

... 其次，我要感謝交大電子所這兩年來的栽培，系所老師們的認真教學使身為 學生的我終身受用不盡。另外，我要感謝國家奈米實驗中心（NDL）的研究員及設 備工程師們，由於你們的協助使我能在一流的製程設備中從事我的研究工作。 感謝 Yeh＇s groups 中蕭智文、王碩晟、謝志民學長們的指導與協助。感謝 ... See full document

... 本研究利用低溫電漿來活化鈦金屬表面以連接第一型膠原蛋白。鈦金屬表面先以丙烯胺 電漿處理，使附著上胺基 (-NH2) ，再分別以不同濃度的交鏈劑 BS3 及戊二醛連接固定 第一型膠原蛋白。而後以電子顯微鏡 (SEM) 觀察樣本的表面，以電子能譜儀 (XPS) 與 顯微傅立葉轉換紅外線光譜儀 ... See full document