賽局理論下是否存在最適生產模型 - 政大學術集成

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(1)國立政治大學商學院經營管理碩士學程財管組碩士論文. 賽局理論下是否存在最適生產模型以DRAM產業為例. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學 er. io. sit. y. Nat. n. al v i 指導教授：李志宏博士 n C hengchi U. 研究生：黃俊欽撰中華民國一百年六月.

(2) 謝. 誌. 沒有放棄一堂課、一次作業，珍惜每一分學習時光！未曾因為內心艱苦而放棄追求學習機會。讓經濟學、財務管理、策略與投資、企業管理實務四個面向結合成論文為構思的起點。很慶幸終於能讓這份想法轉化成文字。感謝恩師李志宏教授論文寫作期間給予許多寶貴意見與指導，引領本文深入探討相關議題。感謝力旺電子股份有限公司董事長徐清祥博士、智成電子副董事長吳中皓博士、力新國際董事長林榮生先生、集邦科技股份有限公司執行長林啟東先生、瑞晶電子. 政治大智豐電子股份有限公司總經理鄭素芬女士，在本論文撰寫過程中接受訪談並給予立. 股份有限公司董事長謝再居博士、力晶科技股份有限公司副總經理譚仲民先生、. ‧ 國. 學. 許多專業的意見與咨詢。感謝柏霖、姿吟、秋萍、玫珊、馥薔等力晶科技同事們協助釐清問題與資料蒐集。. ‧ sit. y. Nat. 攻讀學位期間遭受一生中最嚴厲的司法指控，感謝新竹地方法院庭長黃惠. al. er. io. 玲法官鉅細靡遺調查事實真相與公正無私的判決還我名譽，讓我得以安心學業並. v. n. 完成論文。感謝力晶科技股份有限公司董事長黃崇仁博士十三年來哉培與指導，. Ch. engchi. i n U. 十三年教誨與啟發對於本文構思具有決定性的影響。謝謝父母養育之恩，謝謝妻子慧雯一路來無怨無悔的付出、協助、照顧。愛犬 DIAMOND 伴我度過每個寫作的夜晚。陳之藩先生於「謝天」一文提到得之於人者太多，出之於己者太少，因為需要感謝的人太多就感謝天罷。無論什麼事，不是需要先人的遺愛與遺產，即是需要眾人的支持與合作，還要等候機會的到來。越是真正做過一點事，越是感覺自己的貢獻之渺小。創業的人，都會自然而然的想到上天，而敗家的人卻無時不想到自己。感謝老天。. 黃俊欽謹誌中華民國一百年六月二十六日 ii.

(3) 摘. 要. 論文名稱：賽局理論下是否存在最適生產模型以DRAM產業為例. 頁數：74. 校所別：國立政治大學經營管理碩士學程財務管理組畢業時間：九十九學年度第二學期. 學位：碩士. 研究生：黃俊欽. 指導教授：李志宏博士. 論文摘要：. 政治大影響企業決策的因素隨著時代變遷轉趨複雜，技術演進、財務管理、人力立. ‧ 國. 學. 資源，甚至於終端產品發展趨勢牽動整個企業決策方向。同業間的競爭以資訊透明層度影響彼此決策。賽局理論（Game Theory）探討的就是聰明又自私的人如. ‧. 何在策略性佈局中採取行動及與對手互動。如果財務管理是考量企業自身的條件. sit. y. Nat. 與價值，賽局理論則是加入外部因素包括產業與自身互動關係討論決策模式。本. io. er. 研究以 DRAM（Dynamic Random Access Memory 動態隨機存取記憶體）產業為. al. 例，每一世代的支本支出皆以百億計，快速推進的製程技術造成產量大增，影響. n. v i n Ch 價格崩跌令廠商大幅虧損。本文以賽局理論為基礎討論最適資本結構下的生產規 engchi U. 模。藉由廠商選擇有利於企業的發展策略進而控制資本支出，讓企業維持生產規模最適狀態進而達成價格維持的目的。. 本研究以賽局理論為主軸討論產業內業者競合關係，應用納許均衡討論企業有利決策形成過程，就過去五年內 DRAM 價格崩跌與產能擴增的速度來印證囚犯的困境，從經濟學的寡佔市場理論來討論 DRAM 產業內的定價關係，運用 A. Cournot 古諾雙占模型推廣為基礎來討論產能分配均衡。財務管理中最適資本結構下股價最高，以當時的資本負債比為參考，如果以資本額為股東權益來計算. iii.

(4) 在資產＝負債＋業主權益的恆等式下求出該企業應該有的資產、負債規模。在該目標下進行資本結構與負債管理，達成企業最適產能規模。. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. i n U. v. 關鍵詞：DRAM、賽局理論、納許均衡、囚犯困境、寡佔市場理論. iv.

(5) 目. 錄. 第一章緒論........................................................................................................... 1 第一節研究背景 DRAM 產業發展歷程....................................................... 1 1.1.1 一九九五年 ~ 二 OO 七年初步整合 ............................................. 1 1.1.2 二 OO 九年賽局成型溝槽式電容退出市場.................................... 3 1.1.3 來自三星的挑戰.............................................................................. 6 第二節研究動機與目的.................................................................................. 6 第三節研究範圍與假設................................................................................ 12 第四節論文架構 ........................................................................................... 13 第二章文獻探討................................................................................................... 15 第一節賽局理論 ........................................................................................... 15 第二節那許均衡 ........................................................................................... 17 第三節囚犯困境 ........................................................................................... 17 第四節不完全資訊靜態賽局：貝斯那許均衡 ............................................. 18 第五節寡占市場理論 ................................................................................... 20 2.5.1 寡占理論 ....................................................................................... 20 2.5.2 A. Cournot 古諾雙占理論 ........................................................... 21 2.5.3 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型 ......................................... 23 2.5.4 古諾模型結論的推廣 .................................................................... 24 第六節抝折的需求曲線................................................................................ 25 第七節資本結構與負債管理理論 ................................................................ 26 第三章研究方法................................................................................................... 27 第一節模型建立 ........................................................................................... 27 3.1.1 DRAM 產業的抝折需求曲線......................................................... 27 3.1.2 DRAM 是寡占市場？還是獨占性競爭？ ..................................... 33 3.1.3 從寡占市場的利益探討 DRAM 產量 ............................................ 33 3.1.4 那許均衡與 DRAM 產業 ............................................................... 35 第二節最適資本生產模型的假說 ................................................................ 37 3.2.1 DRAM 產業最適資本規模下的那許均衡 ..................................... 37 3.2.2 DRAM 產業那許均衡下的囚犯困境效應 ..................................... 39 3..2.3 精煉貝斯均衡與 DRAM 產業....................................................... 41 3.2.4A. Cournot 古諾雙占模型與 DRAM 產業 ...................................... 41 3.2.5 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型 .......................................... 42 3.2.6 最適資本生產模型的假說 ............................................................. 44 第四章數值與決策分析 ....................................................................................... 46 第一節以力晶科技股份有限公司為例......................................................... 46 4.1.1 力晶發展沿革與現況 ..................................................................... 46. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. v. i n U. v.

(6) 4.1.2 過去歷史股價高點與財報關係...................................................... 47 4.1.3 以一座四萬片十二吋廠房投資評估為例 ...................................... 49 第二節以南亞科技股份有限公司為例......................................................... 51 4.2.1 南亞科技發展沿革與最適產能推估 .............................................. 51 第三節以茂德科技股份有限公司為例......................................................... 53 4.3.1 茂德科技發展沿革與最適產能推估 .............................................. 53 第四節產業面臨供需失衡............................................................................ 53 第五節賽局理論下的決策分析 .................................................................... 55 4.4.1 從新建十二吋晶圓廠產能為例討論無共謀賽局........................... 55 4.4.2 不考量轉型成本下的台系廠商整合賽局分析............................... 58 4.4.3 透過古諾雙占模型達成精煉貝斯均衡 .......................................... 60 第五章結論與建議 ............................................................................................... 66 第一節結論 ................................................................................................. 66 第二節產業建議 ........................................................................................... 67 第三節政府政策建議 ................................................................................... 69 參考文獻 ................................................................................................................ 72. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. vi. i n U. v.

(7) 圖. 1 DRAM 產業策略聯盟與技術整合過程 ....................................... 2 2 DRAM 製程技術演進與整合過程 ............................................... 4 3 DRAM 技術集團市占率一覽表 ................................................... 5 4 DRAM 的世代交替與技術推移 ................................................... 7 5 藉由施行晶片緊縮以增加有效的晶片數 .................................... 8 6 DRAM 生產計劃流程 .................................................................. 8 7 DRAM 產業資本投入與營收關係 ............................................... 9 8 研究方法 .................................................................................... 14 9 A. Cournot 雙占模型 .................................................................. 22 10 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型 .................................... 24 11 抝折的需求曲線 ....................................................................... 25 12DRAM Price Trend..................................................................... 28 13DRAM 產業的抝折需求曲線.................................................... 29 14 韓系廠商 CAPEX PLAN 2005~2010........................................ 31 15 歐美日廠商 CAPEX PALN 2005~2010 ................................... 31 16 台系廠商 CAPEX PLAN 2005~2010........................................ 32 171996~2012 PC Shipment Growth ............................................... 32 18 寡占市場 DRAM 個別廠商與產業的最大利潤的矛盾 ........... 34 191995-2010 PC Content Per Box Growth ..................................... 36 20DRAM percentage in PC BOM Cost .......................................... 40 21 古諾雙占模型應用在 DRAM 產業 .......................................... 42 22 應用價格競爭達到均衡的 DRAM 產業 .................................. 44 23 資產負債比與當期最高股價關係圖 ........................................ 48 24 新廠產能移入與 ASP 變化關係............................................... 51 25 2005.1Q~2010.2Q 期間 DRAM 業者投產增加概況 ................ 54 26 舊產去化能決策樹 ................................................................... 55 27 新產能規劃決策樹 ................................................................... 56 28 2006 年至 2009 年台系三廠每季投片數量消長 ...................... 57 29 假設台系廠商採取一致立場.................................................... 59 30 三星定價策略與產業關係分析 ................................................ 60 31DRAM 產業供需曲線 ............................................................... 62 32 古諾雙占模型下的 DRAM 產業 .............................................. 64 33 精煉貝斯均衡達成古諾雙占均衡 ............................................ 65. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. al. er. io. sit. y. Nat. 圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表圖表. 目錄. Ch. engchi. vii. i n U. v.

(8) 表格. 1DRAM 業者自有品牌營收與市佔率概況 .................................... 5 2 寡佔市場與 DRAM 產業特性比較表 .........................................11 3 賽局理論主要發展與形成.......................................................... 15 4 賽局的分類及對應的均衡概念.................................................. 16 5 囚犯困境 .................................................................................... 18 6 市場進入賽局：不完全資訊...................................................... 19 7DRAM 廠商資本支出一覽表..................................................... 29 8DRAM 廠商營收一覽表 ............................................................ 30 9 在賽局理論下 A、B 廠商產能利潤分析 ................................... 35 10DRAM 廠商 OP 毛利概況........................................................ 40 11 負債比與最高股價關係............................................................ 47 12 力晶產能配置一覽表 ............................................................... 49 13 投資折舊費用評估表 ............................................................... 50 14 新廠產能移入規劃時程 ........................................................... 50. 立. 政治大. 學 ‧. ‧ 國 io. sit. y. Nat. n. al. er. 表格表格表格表格表格表格表格表格表格表格表格表格表格表格. 目錄. Ch. engchi. viii. i n U. v.

(9) 第一章緒論『善加運用資金，創造最大利潤』，便是財務管理急於探討的課題。財務經理人的工作就是如何透過財務決策來創造或增進公司價值1 。然而企業處於不確定的環境中，即使有非常先進的技術、優越的行銷策略、及不斷的創新能力，但若未能做好財務上的管理與規劃，當經營環境突然有所變化時，企業可能因財務上的一時缺口而導致失敗2。追求最大利潤與控制風險一直是企業追求的目標，. 政治大甚至於終端產品發展趨勢牽動整個企業決策方向。同業間的競爭以資訊透明層度立. 然而影響決策的因素隨著時代變遷轉趨複雜，技術演進、財務管理、人力資源，. ‧ 國. 學. 影響彼此決策。賽局理論（Game Theory）探討的就是聰明又自私的人如何在策略性佈局中採取行動及與對手互動3。如果財務管理是考量企業自身的條件與價. ‧. 值，賽局理論則是加入外部因素包括產業與自身互動關係討論決策模式。本研究. sit. y. Nat. 以 DRAM（Dynamic Random Access Memory 動態隨機存取記憶體）產業為例，. io. er. DRAM 產業近年形成四個技術集團，每一世代的支本支出皆以百億計，快速推. al. 進的製程技術造成產量大增造成價格崩跌令廠商大幅虧損。為了避免過度投資反. n. v i n Ch 而造成產品價格大幅下滑，以賽局理論為基礎討論最適資本結構的生產規模為本 engchi U 研究主要的主題。藉由控制資本支出，廠商選擇有利於企業的發展策略，在無勾結的前提下讓生產規模維持最適狀態進而達成價格維持的目的。. 第一節研究背景 DRAM 產業發展歷程. 1.1.1 一九九五年 ~ 二 OO 七年初步整合 1 2 3. 2005.08 月財務管理 P2 洪茂蔚、蘇永誠、陳明賢、胡星陽合著雙葉書廊 2003.06 月透析財務數字推薦序李志宏 2003.12 月 Game Theory At Work James Miller 為經濟學暨法學博士任教於 Smith College 1.

(10) 一九九五年的 DRAM 產業在美國廠商為 IBM、Micron、Texas Instrument、 Motorola，日本為 NEC、Hitachi、Toshiba、Fujitsu、OKI，韓國則以 Samsung、 Hyundai、LG 三家廠商，歐洲只有一家 Siemens，台灣有三家德碁（TI-Acer），華邦（Winbond）、世界先進（Vanguard），合計十六家廠商有鑑於當年 DRAM 廠商獲利豐厚於是另外三家台灣廠商力晶、南亞科技與茂矽透過技術移轉也加入 DRAM 製造行列。DRAM 製造由於概念主要可分為溝槽式電容（trench capacitor）以及堆疊式電容（stack capacitor）兩種製程。溝槽式是採晶圓表面向下挖溝擴大表面積方式，擴大電容量，優點是單片晶圓裸晶數較堆疊式多 1 0 %左右，不過. 治政大 1 為 DRAM 廠商整不同的製造模式在根本上建立起彼此難以跨越的高牆。圖表立缺點是牽涉高階製程的物性限制高，可能影響良率。DRAM 製造因這兩種完全. 合與技術移轉來源的歷程。. ‧ 國. 學 ‧. 圖表 1 DRAM 產業策略聯盟與技術整合過程. n. al. Ch Ti Acer. Motorola. 1999. 1998 Intel. 2003 2002 2001. 2000. engchi NEC. i n U. v. Hitachi. 1997 1996. 1995. 2004. Toshiba. Vanguard. TI. 2006. 2005. er. io. Fujitsu OKI. sit. y. Nat. Mosel Vitelic IBM. Panasonic. 2010 2009 2008 Qimonda 2007 SMIC. LG Hyundai. 1994 1988-1993 1987. SIEMENS. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 一九九四年台積電設立世界先進企圖以半導體業卓越技術協助世界先進在 DRAM 領域發展。卻在一九九九年不堪連年虧損的情況下先與三菱、力晶策略聯盟，後於二 OO 二年正式退出 DRAM 製造走向代工市場。由此觀之台灣廠商 2.

(11) 在技術開發仍有一段大的差距。其他台資企業除力晶維持一貫日本技術來源外，南科、華亞、茂德、華邦等業者都發生過二至三次以上的技轉來源改變。這樣的過程除了讓廠商產生多餘的學習成本外，機台的相容性與熟悉度亦造成廠商增加額外的研發成本。. 一九九六年開始到一九九九年第一季，全球 DRAM 廠商以 60％~120％的高成長率迅速拉大產能，大量產出換來產品價格慘跌，於是美商 Texas Instrument、Motorola，日本 Fujitsu、OKI 退出 DRAM 產業，台灣德碁（TI-Acer）. 治政大 Hyundai、LG 二家廠商被下世大積體電路與德碁後退出 DRAM 製造。韓國則以立先 1999 年六月售出三成股權給台積電，後於二 OOO 年七月七日在台積電併購. 迫合併成 Hynix。一九九九年日系廠商 NEC、Hitachi、MITSUBISH 將虧損連連. ‧ 國. 學. 的 DRAM 部門合組成 Elipda。然而溝槽式電容（trench capacitor）與堆疊式電容. ‧. （stack capacitor）不同的技術還是壁壘分明。. sit. y. Nat. io. n. al. er. 1.1.2 二 OO 九年賽局成型溝槽式電容退出市場. Ch. engchi. i n U. v. 隨著廠商彼此整合，對於生產機械設備的廠商而言，越是進入高階製程設備研發所要投入的費用越高，維持兩種生產概念機台越顯得困難。一如過去直流電與交流電；VHS（Victor Helical Scan）與 Betamax 一般，市佔率少的一方終將淘汰。溝槽式電容（trench capacitor）製程隨著製程推進晶圓厚度固定的前提下產生破碎的現象為其物性限制，其二是因在蝕刻導電的過程中隨著蝕刻的深度會產生電流，吸引電子產生偏差現象使良率降低。二 OOO 年 Infineon4開始大量對外授權，希望經由保障機台數提高設備商研發意願，然而溝槽式電容（trench capacitor）製程於二 OO 九年 Qimonda 宣佈破產瓦解。南科與華亞尋求美國 Micron. 4. Infineon 於 2003 年獨立 DRAM 製造部門成立 Qimonda 3.

(12) 合作，華邦轉求日本 Elipda 技術移轉，茂德的技術來源 Hynix 自顧無暇，得到韓國政府協助後只能勉力維持。茂德在二 OO 九年二月十四日在經濟部的協調下由台灣銀行主導銀行團加貸三十億後的至今尚無力償還，雖然一度 TIMC 欲以茂德為平台與 Elipda 合作，然在台灣政府無實質資金協助下，至今仍有營運上的困難。但單以製程而言溝槽式電容（trench capacitor）完全退出市場，開啟以堆疊式電容（stack capacitor）製程為主的世代。. 圖表 2 DRAM 製程技術演進與整合過程 2003 Micron Samsung Hyundai＋ProMOS Elipda＋ PSC. IBM＋ Nanya Siemens/ Infineon＋ ProMOS Toshiba＋ Winbond. Infineon＋Nanya＋Inotera Winbond SMIC. 政治大. 學. TRENCH. 2009 Micron＋ Nanya＋ Inotera Samsung Hyundai Elipda＋ PSC＋ ProMOS＋ Rexchip＋ Winbond. 2000 Micron Samsung Hyundai Elipda＋ PSC. 立. IBM Siemens/ Infineon Toshiba. Qimonda＋Winbond. ‧. ‧ 國. STAKE. 1995 Micron NEC TI Hitachi Motorola Mitsubishi Samsung OKI Hyundai TI-Acer LG Vanguard Fujitsu Winbond. 2009.01.23.破產. sit. y. Nat. ＊Infineon/（Qimonda）. io. er. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. al. n. v i n 圖 2 演化的結果二 OO 九年一月二十三日僅存以堆疊式電容（stack Ch engchi U. capacitor）製造方式為主的四個技術集團。表格 1 中二 OO 九年 4Q 與二 O 一 O 年 1Q，DRAM 製造商以自有品牌為統計依據的營收與市佔率概況。. 4.

(13) 表格 1DRAM 業者自有品牌營收與市佔率概況 (百萬：美元). Company 4Q09 1Q10 4Q09-1Q10 4Q09 1Q10 Revenue Revenue Change Share Share Samsung 2,581 3,058 18.50% 29.80% 32.10% Hynix 1,891 2,020 6.80% 21.80% 21.20% Elpida 1,632 1,590 -2.60% 18.90% 16.70% Memory Micron 1,155 1,370 18.60% 13.30% 14.40% Powerchip 367 453 23.40% 4.20% 4.80% Nanya 495 430 -13.10% 5.70% 4.50% Winbond 126 133 5.60% 1.50% 1.40% ProMOS 91 130 42.90% 1.10% 1.40% Others 317 340 -1 3.70% 3.50% Total 8,655 9,524 10.00% 100.00% 100.00%. 政治大 May., 2010 立. 學. ‧ 國. 資料來源：Gartner,. 就表格 1 營收分析與市佔率，以 Micron、Samsung、Hynix、Elipda 四家廠. ‧. 商整體於 DRAM 市場佔有率達 84.4％。如進一步以技術授權為基礎計算技術擊. io. sit. y. Nat. 集團市場佔有率如表 3 則四大技術集團整體市佔率高達 96.5％。. er. 圖表 3 DRAM 技術集團市占率一覽表. n. al. i n Ch DRAM策略集團市佔率一覽表 engchi U. v. 3.50% 18.90%. 32.10%. Samsung Hynix Elpida Memory Micron. 24.30% 21.20%. 資料來源：本研究自行整理. 5. Others.

(14) 1.1.3 來自三星的挑戰. 目前市場佔有率第一的三星電子決定將二 O 一 O 年記憶體事業群投資金額由 5.5 兆韓元 (約 48 億美元)擴大到 9 兆韓元 (約 78 億美元)。三星將興建 20 萬片的 12 吋晶圓廠，生產 DRAM 與 NAND Flash，估計新廠最快二 O 一一年第 3 季投片生產；三星擴充現有產能，並將 DRAM 製程技術轉進 35 奈米，強化晶圓代工業務。預估所生產的 DRAM 市場佔有率將達 41%。如果三星如願達成市場佔有率達 4 成的目標，現存的 DRAM 業者將面對強大的挑戰，如何維持生存競爭力？是令業者深思的問題。. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. 第二節研究動機與目的. 過去 20 年 DRAM 產業受景氣循環影響大，整體產出大幅增加是造成價格. y. Nat. sit. 崩跌的理由之一，「如果以一九九五年到二 oo 四年十年期間，因新廠產能開出、. n. al. er. io. 製程微縮，使得全球 DRAM 出貨量由一九九五年不到 2,000.terabits（二千兆位. i n U. v. 元）增加到二 oo 四年每月近 90,000.terabits（九萬兆位元），成長達四十五倍。. Ch. engchi. 半導體製程科技自一九九九六年至二 OO 一年，DRAM 產業從 0.4 微米到 0.15 微米總共出現了八個世代的製程技術。僅僅靠這個製程技術，DRAM 市場在這六年期間就多出了七倍以上的供應量！」5。. 5. 2005 譚仲民 DRAM 產業十年興衰 - 探索日本企業管理困境與全球競合趨勢 6.

(15) 圖表 4 DRAM 的世代交替與技術推移 1000 晶片尺寸（m㎡）. 設計規則 450 （μm）. 500 晶片尺寸 ×1.5/世代. 300. 100 50. 1.0 0.5 設計規則 ×0.7/世代. 10 5. 記憶體單元尺寸 ×0.4/世代. 1 0.5. 立. 政治大. 0.6 0.25. 學. 256K. 1M. 4M 16M. 64M. 256M. ‧. ‧ 國. 記憶體單元尺寸（μ㎡）. 0.1. 資料來源：圖解半導體科技業的黑色鍊金術 2004. Nat. sit. y. 1G. al. er. io. DRAM 世代交替技術推移常採用的方式（1）晶片尺寸變大（2）記憶體單. v. n. 元尺寸變小。過去由六寸、八寸至現在主流十二寸廠然而每個世代都將晶片抑制. Ch. engchi. i n U. 在 1.5 倍大小，基於經濟效益考量以π基準、bi 基準或√3 基準等，因 DRAM 在世代交替的過程中原則上僅提高 1.7 倍左右，所以必需將記憶體容量提高四倍或降低成本於是採取改變晶圓大小的方式。但是晶圓大小的改變必需要有效益就時效上並不容易達成於是另一種方式就是要採取微縮（shrink）方法，目的從一片晶圓中得到更多的晶片數，此二種方法皆是從擴大產出來達成降低成本的目標。. 7.

(16) 圖表 5 藉由施行晶片緊縮以增加有效的晶片數 1000 0.25μm Rule 800 2世代緊縮. 有效的晶片數(個). ( ×0.7 ) 晶圓板. 600 0.35μm Rule. 0.18μm Rule. 1世代緊縮. 400 ( ×0.7 ) 0.25μm Rule. 200. 立. 政治大. 0.13μm Rule 0.18μm Rule. 學. DRAM世代(位元數). 4M. 16M. 64M. 設計規則（μm）. 0.8. 0.5. 0.35. 256M. ‧. ‧ 國. 原來的晶片. y. Nat. n. er. io. sit. 資料來源：圖解半導體科技業的黑色鍊金術 2004. al. 0.25. i n U. v. 研究發現過去產業發展發現無論是晶圓尺寸變大或採取微縮（shrink）方. Ch. engchi. 法。就過去評估世代推移評估的流程皆以圖表 6 流程產生生產計劃。. 圖表 6 DRAM 生產計劃流程. 生產評估/技術. 製定目標. 銷售評估/市場. 投資計劃. 廠房設立財務規劃. 產品價格評估/未來價格驅勢. 資料來源：本研究訪談整理 8. 試投. 量產.

(17) 從圖表 6 可以發現財務管理的諮詢在此屬於被動與協助角色。在上述的評估流程中，生產技術與銷售是考量的兩個重點，產品價格評估以專業研究機構研究的產品價格趨勢與需求、供給量預估。制定投資方向後財務單位負責資金規劃。就過去發展過程 DRAM 公司來自盈餘轉投資有限，資金多來自於舉債與原股東增資。負債比逐年提高，當產品售價快速下滑，廠商現金流入速度低於現金流出速度時，本業經營的風險開始浮上檯面。. 圖表 7 DRAM 產業資本投入與營收關係. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. i n U. v. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 由圖表 7 我們可以發現，自一九九二年以來 DRAM 產業出現顯著的產業循環特性，一九九二年起整體產業營收逐年攀升至一九九五年達到最高峰，產能較具規模的投入始於一九九四年。然而自一九九六年起 DRAM 的整體營收開始隨著產能增加而由逐年下滑至一九九八年來到最低。第二階段一九九八年、一九九九年、二 OOO 年產能投入相較過去一九九五年、一九九六年、一九九七年相對為低因此營收於二 OOO 年達到本階段的高峰。以 Micron operation income 而言 9.

(18) 是繼一九九五年後最高的一年。而後除二 OO 一年資本投入較多以外，二 OO 二、二 OO 三年、二 OO 四年資本投入相對減少所以開創出二 OO 四年~二 OO 七年榮景。由於 12 吋晶圓廠在此階段大量投入，故又引發二 OO 八年、二 OO 九年價格大崩盤。產能投入似乎是影響 DRAM 產業景氣循環的重要因素。由於 DRAM 擴產評估最主要參考的因素是每個 DIE 產出量增加是否符合擴產投資效益。 DRAM 生產設備有兩大特性（1）投入金額大（2）折舊年數短。投入初期折舊費用劇增，當設備折舊提列完成後，再度更新投入以提高競爭力，於是進入「軍備競賽」循環。然而就財務管理與產業風險控管上的顯然處於被動，衍生下列三. 政治大. 個問題使 DRAM 產業一直無法擺拖累計虧損困境：. 立. （1）製造成本不斷增加. ‧ 國. 學 ‧. （2）老舊設備去化. y. Nat. er. io. sit. （3）技術推移後所增加的產能成為價格下跌的推手. al. n. v i n 觀察 DRAM 產業目前存在現象與經濟學所定義的寡佔市場相較，比 Ch engchi U. 較雙方特性會發現 DRAM 產業實已經進入可以發展出另一種策略模式，避免產能度開發所產生的景氣循環。. 10.

(19) 表格 2 寡佔市場與 DRAM 產業特性比較表. 寡佔市場 2~10. DRAM產業 4個技術集團. 同質或異質產品. 產品相容性高. 進入市場困難. 進入市場困難. 廠商利潤受競爭者價生產數量影響. 廠商生產策略相互影響. 廠商數量產品新進者門檻競爭對手策略. 資料來源：本研究自行整理. 立. 政治大. 黑天鵝效應6在前言中有一段話「不論你知道什麼，如果你的敵人知. ‧ 國. 學. 道你知道，就會變的不重要」。過去產業的危機來自未知的變化。運用寡佔市場理論與賽局理論中不完全信息靜態賽局：貝斯那許均衡加入研究中藉由. ‧. 各公司相互影響關聯性再以財務管理中資本結構與負債管理了解過度投資. y. Nat. sit. 提高負債比重讓 DRAM 產業營運風險，討論財務管理上負債管理與資本規. n. al. er. io. 劃應納入評估階段？探討 DRAM 產業是否存在最適資本與產能分配比率？本研究探討目的在於：. Ch. engchi. i n U. v. （1）生產策略：應用賽局理論與寡佔市場價格理論中分析對手擴張策略下，企業該以何為基礎提出因應策略？該如何定義企業在市場定位？廠商間是否存在那許均衡？如何維持 DRAM 企業競爭力？. （2）財務策略：應用資本結構與負債管理理論來討論 DRAM 企業是否存在最適合產能配置？生產規模與資本額、現金之間的關係為何？. 6. 所謂黑天鵝，是指看似極不可能發生的事件，它具三大特性：1 不可預測性 2 衝擊力強大 3 一旦發生之後可以會編造出某種解釋， 11.

(20) 探討資本規劃、負債、資本支出的關係應該如何配置？是否存在最適比例？. 第三節研究範圍與假設. 本研究範圍以各別公司的十二吋廠為主，排除現有未除役之八吋廠所產出之晶圓數量。針對研究對象設定假設如下：. 政治大. （1）假設個別公司 Full Capacity 以 DRAM 為單一產品。. 立. ‧. ‧ 國. 學. （2）假設市場價格由市場總供給決定。. （3）假設所有業者的成本相同。. sit. y. Nat. er. io. （4）假設每一萬片 Capacity 所需花費的資本支出相同。. al. n. v i n Ch 本研究運用賽局理論以價格競爭下 e n gA.cCournot h i U古諾雙占模型結論推廣為基礎透過比較產能規模與產品價格變化來呈現盲目擴產所產生的問題。最後考量自身財務能力與營運風險，以財務管理之資本結構與負債管理理論來分析 DRAM 是否存在最適產能。以 A Cournot（古諾雙占模型）假設如下：. （1）生產的產品為同質無差異化商品. （2）每家廠商行動時，都在其對手不會改變產量的假定前提下，決定能為本身帶來最大利潤的產量。. 12.

(21) 第四節論文架構. 第一章緒論主要說明研究背景，研究動機與目的，研究範圍與假設，研究方法與步驟，論文架構。. 第二章主要是文獻探討，主要以過去經濟學者針對賽局理論，那許均衡，囚犯困境，不完全信息靜態賽局：貝斯那許均衡，價格理論中之寡佔市場理論，資本結構與負債管理理論來闡釋 DRAM 產業為何符合文獻中所提出的理論觀點。. 立. 政治大. ‧ 國. 究變數之操作型定義，並提出本研究之研究假說。. 學. 第三章為研究方法，利用數值分析建立研究模型，本研究之架構並說明研. ‧ er. io. 說進行統計分析與歸納。印證數據符合假設模型。. sit. y. Nat. 第四章數值分析針對過去所產生的數據進行分析。針對研究目的及研究假. al. n. v i n Ch 第五章結論與建議綜合本研究之結果提出結論，並對企業界以及後續研究 engchi U 者提出建議。本研究的研究流程如下圖. 13.

(22) 圖表 8 研究方法. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 14. i n U. v.

(23) 第二章文獻探討第一節賽局理論. 研究主體的行為發生直接相互作用時候的決策以及這種決策的均衡問題，也就是說，當一個主體，好比說一個人或一個企業的選擇受到其他人、其它企業選擇的影響，而且反過來影響到其他人、其他企業選擇時的決策問題和均衡問題。所以在這個意義上說，賽局理論又稱為「對策論」7。. 立. 政治大. 研究重心. 1944. 馮紐曼賽局理論與經濟行為（Von neumann） The Theory of Games 摩根斯坦 and Economic （Morgenstern） Behaviour 那許（Nash）議價模型. Nat. y. ‧. cooperative game. 重要學者. sit. 合作賽局. 年代. io. 1950. al. er. 題. 學. 主. ‧ 國. 表格 3 賽局理論主要發展與形成. 夏普里（Shapley）議價模型. n. 1953. Ch. i n U. 非合作賽局. 1950，1951. Gillies Shapley 那許（Nash）. non- cooperative game. 1950. Tucker. engchi. 1965 1967－1968 1982. v. 核” core „的概念. 定義了囚犯的困境“. prisoners’ dilemma 薛爾頓（Selten）精煉那許均衡概念哈尚義（Harsanyi）. 不完全資訊引入賽局理論. 克瑞普斯（Kreps）動態不完全資訊賽局威爾遜（Wilson）. 資料來源：本研究自行整理. 7. 1999 張為迎賽局理論與信息經濟學 0 導論 0.1 賽局理與主流經濟學的新發展。 15.

(24) 賽局理論的基本概念包括：參與人、行動、資訊、策略、支付函數、結果、均衡。參與人指的是賽局中選擇行動以最大化自己效用的決策主體。行動是參與人的決策變量。策略是參與人的行動規則，告訴參與人什麼時候選擇什麼樣的行動。資訊指的是參與人在賽局中的知識，特別是有關其他參與人（對手）的特徵和行動的知識；支付函數是參與人從賽局中獲得的效用水準，他是所有參與人策略或行動的函數，是每個參與人真正關心的東西。結果是指賽局分析者感興趣的要素的集合；均衡是所有參與人的最適策略或行動的組合。. 治政大從此角度，賽局可分為靜態賽局（static game）與動態賽局（dynamic game）。靜立賽局的劃分可以從兩個角度進行。第一個角度是參與人的行動先後順序，. 態賽局指賽局中，參與人同時選擇行動或雖非同時但後行動者不知先行動者採取. ‧ 國. 學. 了什麼樣具體行動；動態賽局指的是參與人的行動有先後順序，且後行動者可以. ‧. 觀察到先行動者所選擇的行動。第二個角度是參與人對有關其他參與人（對手）. y. Nat. 的特徵，策略空間及支付函數的知識。從這個角度，賽局可以劃分為完全資訊賽. 種不同類型的賽局以及與其對應的均衡概念。. n. al. Ch. engchi. er. io. sit. 局和不完全資訊賽局。因此將上述兩個角度的劃分結合起來，我們就可以得到四. i n U. v. 表格 4 賽局的分類及對應的均衡概念資訊. 靜態. 行動順序. 完全資訊. 不完全資訊. 動態. 完全資訊靜態賽局：那許均衡；那許（1950，1951）. 完全資訊動態賽局：子賽局精煉那許均衡；薛爾頓（1965）. 不完全資訊靜態賽局：貝斯那許均衡：哈尚義（1967~1968）. 不完全資訊靜態賽局：精煉貝斯那許均衡：薛爾頓（1975） Kreps 和 Wilson（1982） Fudenberg 和 Tirole（1991）. 資料來源：賽局理論與信息經濟學8 8. 1999 張為迎賽局理論與信息經濟學 0 導論 0.2 非合作賽局理論的一個非技術性論述。 16.

(25) 第二節那許均衡. 一九五 O、一九五一年那許發表兩篇論文中在非常一般的意義上定義了非合作賽局與均衡解，其所定義的均衡稱為「那許均衡」，在一個賽局中給定其他參與人策略後參與人選擇自己的最適策略。所有參與人的策略組合稱之為「那許均衡」。假設有 N 個人參與賽局，給定其他人策略的條件下，每個人選擇自己的最適策略，這個最適策略（1）可能依賴其他競爭者策略，（2）也可能不依賴其他競爭者策略。所有參與人選擇策略構成一個策略組合（Strategy profile）稱為. 政治大下，沒有個別參與人有誘因選擇其他策略，進而沒有人有誘因打破此種均衡。那立. 那許均衡。那許均衡為由所有參與人的最適策略組成，意指給定別人策略情形. ‧ 國. 學. 許均衡可以看成是一種僵局。如果以另一種方式來探討，假設賽局中所有的參與人事前達成協議規定每個人的行為規則，當沒有存在外在約制力時，這些參與人. ‧. 是否會自覺地遵守協議？這個協議可否自動實施？假設所有參與人會自覺遵守. sit. y. Nat. 協議，等於說這個協議構成一個那許均衡。給定別人遵守協議的情況下，沒有人. al. er. io. 有誘因違背規範自己行為規則。表示一個協議不構成那許均衡就不可能被自動施. v. n. 行。如果當中有個參與人違背這個協議，不滿足於那許均衡的要求的協議是無意義的。. Ch. engchi. i n U. 第三節囚犯困境. 賽局理論用來詮釋那許均衡的著名例子即是「囚犯困境」以兩個作案被逮捕的嫌犯分別關在兩個不同的偵訊室，警方承認沒有足夠的證據指證這兩個人的罪行，所以必須以較輕的罪名判處兩人各 2 年監禁，雙方都被告知（1）如果一個人招供另一個人不招供，前者將被無罪開釋後者將要有 9 年的牢獄之災。（2）如果兩個人都做對方不利供詞，兩個人都必須服 5 年監禁。（3）如果雙方都不招 17.

(26) 供，兩人將被無罪開釋。兩人都給予時間考慮，警方告知彼此條件相同待遇。但在他們做出決定前，他們沒有機會知道對方的決定，因此每個人只考慮自己的福利，盡可能縮短自己的服刑期間。. 表格 5 囚犯困境 B拒絕與警方交易 A拒絕與警方交易 2年，2年 A供出對B不利的證據 0年，9年. B供出對A不利的證據 9年，0年 5年，5年. 資料來源：本研究自行整理. 政治大言，我可以逍遙法外。假設我做出不利 B 的證言而 B 同樣做不利於我的證言時立. 囚犯 A 的推理過程：「如果我做出不利 B 的證言而 B 又沒有不利於我的證. ‧ 國. 學. 我將坐 5 年牢，因此在上述的兩個狀況下，我做不利於 B 的證言時都是對我有利的，因為不管我怎樣做最糟的狀況就是要少蹲四年」。反過來說當雙方都是理. ‧. 性時，都會做對方不利的證明時雙方要坐五年牢，但如果守口如瓶有拒絕合作，. er. io. sit. y. Nat. 每個人最壞只要坐 2 年牢。. n. 第四節不完全資訊靜態賽局：貝斯那許均衡 a iv. l C hengchi Un. 現實中許多賽局並非有足夠資訊判斷其他參與人的偏好函數，在不完全資訊的賽局中，至少有一個參與人不知道其他參與人的偏好函數。考慮市場進入賽局為例：潛在進入企業（廠商 A）決定是否進入一個新的產業，但不知已在市場企業（廠商 B）成本函數，亦不知廠商 B 是默許進入還是打算發動價格戰？以廠商 B 可能的成本函數：高成本或低成本；對應兩種成本不同的情況其支付矩陣如表格 4. 18.

(27) 表格 6 市場進入賽局：不完全資訊. 廠商B. 廠商A. 高成本默許價格戰 40,50 -10,0 0,300 0,300. 進入不進入. 低成本默許價格戰 30,80 -10,100 0,400 0,400. 資料來源：本研究自行整理. 哈尚義的上述工作被稱為“哈尚義轉換”（the Harsanyi transformation）通過這個轉換，哈尚義把“不完全資訊賽局”轉換成“完全但不完美資訊賽局”（complete but imperfect information）。這裡，“不完美資訊”指的是，自然作出了它的選擇，. 政治大. 但其他參與人並不知道它的具體選擇是什麼，僅知道各種選擇的機率分佈。這. 立. 樣，不完全資訊賽局就變得可以分析了。在這個基礎上，哈尚義定義了“貝斯那. ‧ 國. 學. 許均衡”。貝斯（Bayes）是一位機率統計學家；貝斯均衡是那許均衡在不完全資訊賽局中的自然擴展。我們可以對此作如下解釋：在靜態不完全資訊賽局中，參. ‧. 與人同時行動，沒有機會觀察到別人的選擇。給定別人的策略選擇，每個參與人. y. Nat. sit. 的最適策略依賴於自己的類型。由於每個參與人僅知道其他參與人的類型的機率. n. al. er. io. 分佈而不知道其真實類型，他不可能準確地知道其他參與人實際上會選擇什麼策. i n U. v. 略；但是能正確地預測到其他參與人的選擇是如何依賴於其各自的類型。決策的. Ch. engchi. 目標就是在給定自己的類型和別人的策略依從其類型的情況下，最大化自己的期望效用。貝斯那許均衡是這樣一種策略依從類型組合：給定自己的類型和別人類型的機率分佈的情況下，每個參與人的期望效用達到了最大化，也就是說，沒有人有誘因選擇其他策略。接下來我們來探討不完全資訊動態賽局。對應於不完全資訊動態賽局的均衡概念是“精煉貝斯均衡”（perfect Bayesian equilibrium）。這個概念是完全資訊動態賽局的精煉那許均衡和不完全資訊靜態賽局的貝斯均衡的結合，對此作出貢獻的主要有薛爾頓（Selten，1975），克瑞普斯和威爾遜（Kreps and Wilson，1982）及弗得伯格和泰勤爾（Fudenberg and Tirole，1991）等。薛爾頓定義了「顫抖手 19.

(28) 均衡」（trembling hand equilibrium），克瑞普斯和威爾遜定義了「序列均衡」（sequential-equilibrium），弗得伯格和泰勤爾給出了「精煉貝斯均衡」的正式定義。理論上講，序列均衡是比精煉貝斯均衡更強的概念，而顫抖手均衡爾比序列均衡更為強，但在許多情況下，三個概念是一致的。精煉貝斯均衡的要點在於當事人要根據所觀察到的他人的行為來修正自己有關後者類型的「信念」（主觀機率），並由此選擇自己的行動。這裡，修正過程使用的是貝斯規則。這一點意味著，每個參與人都假定其他參與人選擇的是均衡策略。具體來講，精煉貝斯均衡是所有參與人策略和信念的一種結合，它滿足. 治政大適的；（2）每個人有關他人類型的信念都是使用貝斯法則從所觀察到的行為中獲立. 如下條件：（1）給定每個人有關其他人類型的信念的情況下，他的策略選擇是最. 得的。用數學的語言來說，精煉貝斯均衡是個「不動點」。應該強調的是，與其. ‧ 國. 學. 他均衡概念不同，精煉貝斯均衡不能僅定義在策略組合上，它必須同時說明參與. ‧. 人的信念，因為最適策略是相對於信念而言的. y. Nat. n. er. io. al. sit. 第五節寡占市場理論. 2.5.1 寡占理論. Ch. engchi. i n U. v. 在價格理論中，市場競爭結構分為完全競爭、獨占、獨占競爭和寡占。寡占市場特性：（1）買家人數多，供應廠商少，市場呈現 2~10 幾家廠商，如果只有 2 家廠商稱為雙占。（2）生產同質或異值產品。（3）新的生產者進入市場相當困難。（4）廠商利潤受競爭者之價格與生產數量影響。寡占市場形成因素（1）資本與生產技術密集產業具有遞增規模報酬特性。（2）市場內既有生產者會阻鐃新的競爭者加入。寡占市場的價格均衡具有不確定性，以獨占與完全競爭市場為例，只要假定廠商以追求最大利潤為目的，預期未來的成本與需求狀況不變，廠 20.

(29) 商價格和產量的決策解是可以求知，但在寡占市廠下，各廠商都佔有相當大的市占率，單一廠商的行動會影響其他競爭者決策結果，廠商彼此間存在相互依存關係。廠商的決策決定於競爭者的決策與因應之道，面對寡占市場中其他競爭者多元化的決策事前無法肯定，故寡占市場的均衡價格存在不確定性。當討論寡占市場時往往假定競爭者決策後就保持不變，並且重覆出現，A. Cournot 古諾雙占理論即假設為如此。此種模式稱為「無勾結的寡占理論」。然而就寡占市場相互依存度高的特性，為免除因依存度高所產生的不確定性進而形成各種勾結協議形式，如卡特爾、價格領導制等進行分析。此一類型稱為勾結型的寡占理論。由一. 治政大的因素（1）參加者能獲得獨占利潤；（2）消除由定價引起對手反應的不確定性。立. 家廠商確定價格後，其他廠商即以領導者的價格為準決定自己的銷售價格。採用. ‧ 國. 學. 2.5.2. A. Cournot 古諾雙占理論. ‧ sit. y. Nat. 以寡占理論中的特殊型式－雙占模型為例說明：當市場被歸類完全競爭與. al. er. io. 獨占市場的條件下，假設廠商以追求最大利潤為目的。假設其他條件不變下，例. v. n. 如成本與需求，廠商決定價格與產量的解為均衡市場價格。然而雙占情形下個別. Ch. engchi. i n U. 廠商市占率、影響力大，廠商影響市場環境前提下單一廠商的決策會影響其他廠商行為，廠商間存在相互競爭與策略影響力。假設兩家廠商成本相同，產品為同質無差異化商品，如果以兩家廠商出售皆以 DRAM 為主要銷售商品，對他們產品的市場需求，以一根傾斜的直線表示，每家廠商行動時，都在其對手不會改變產量的假定前提下，決定能為本身帶來最大利潤的產量。. 21.

(30) 圖表 9 A. Cournot 雙占模型. P D. e=1. P= 2. P1=1. O. 立. Q1 =1 Q2=2. Q3=3. D’=4. X MR （A）’ 政MR （A）治MR（B）大. ‧. ‧ 國. 學. 資料來源：本研究自行整理. 假設廠商 A（以下以 A 表示）生產、銷售 DRAM。生產規模為市場規模. sit. y. Nat. OD’之二分之一，價格為 2 元獲得最大利潤，由於 MR=MC=0 故需求彈性 e=1，. al. er. io. 當廠商 B（以下以 B 表示）進入市場後假設競爭者 A 維持銷售 2 個單位不變，. v. n. 由於市場的需求曲線為 AD’，為求最大利潤故 B 的生產數量應為 Q3。接著 A 為. Ch. engchi. i n U. 了擴大規模；並假定 B 不改變生產規模，將生產規模擴增至 B 剩下的 1/4。此一決策模式持續演變至 A、B 各占有市場的 1/3 後達到均衡，共同供應市場 2/3，在每個階段 A 與 B 皆得到最大利潤，但整個產業並未實現最大利潤。. A 廠商的均衡產量為：. OQ（1/2－1/8－1/32－……）=1/3 OQ. B 廠商的均衡產量為：OQ（1/4+1/16+1/64+……）=1/3 OQ. 22.

(31) 行業的均衡總產量為：1/3 OQ+1/3 OQ=2/3 OQ. 2.5.3 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型. 假定兩個寡頭分別用 40 元的固定成本生產可以相互替代並且有差別的產品，並假定不存在可變成本，邊際成本為 0，兩個寡頭面臨的市場需求數如下：. D1：Q1 = 24－4 P1+2 P2. 立. D2：Q2 =24－4 P2+2 P1. 政治大. ‧ 國. 學. π1= P1 Q1－40 = （24 P1－4 P12+2 P1P2）－40. ‧ y. Nat. n. er. io. al. sit. dπ1 / dP1=24－8 P1+2 P2=0. Ch. P1= 3 + 1/4P2（廠商 A 的反應函數）. engchi. i n U. v. 同理：P2= 3+ 1/4 P1（廠商 B 的反應函數）. 因此，P1=4， P2=4. 得：Q1=16， Q2=16；π1=24，π2=24。. 寡占間的這種無勾結行為而達到的這種均衡稱為古諾均衡.寡占間若存在著勾結，以求得聯合的利潤最大化，所得到的均衡為共謀均衡。 23.

(32) 圖表 10 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型. P6. F 共謀均衡點. P5 P4. E 古諾均衡. P3 P2 P1. P1. P2. 立. 政 P4 治P5 大 P6. P3. 學. ‧ 國. O. 資料來源：本研究自行整理. ‧. 2.5.4 古諾模型結論的推廣. io. sit. y. Nat. n. al. er. 假設廠商以競爭對手不改變產量為條件。古諾雙占模型的結論可以推廣。. Ch. i n U. v. 假設市場中廠商的數量為 m，則可以得到一般的結論如下：. engchi. 每個寡占廠商的均衡產量=市場總容量/（m+1）. 行業的均衡總產量=市場總容量·m/（m+1）. 24.

(33) 第六節抝折的需求曲線. 1930 年代美國經濟學者史威吉（Paul Sweezy） 9提出抝折的需求曲線（Kinked demand curve）。基本假設寡占廠商猜測當他提高價格時，同行不會跟著抬高價格；但當他降價時，其他廠商馬上就會跟著調低價格。寡占廠商最大利潤條件為邊際成本等於邊際收益，由於邊際收益中有一段是垂直的，當邊際成本稍有變動時，由於仍通過垂直的收益線故價格並不會調整，結論在抝折的需求曲線下當邊際成本變化不大時，廠商不會改變價格。10. 學. P. MC MC2. io. D1. n. al. er. P2. 0. Ch. Q eQn gMRcMR hi 1. 2. 資料來源：本研究自行整理. 10. i n U. D2. 2. 9. sit. Nat. e. P. y. MC1. ‧. ‧ 國. 政治大立圖表 11 抝折的需求曲線. 經濟學理論與實際寡佔市場 P 226 經濟學理論與實際寡佔市場 P 227 25. v. Q.

(34) 第七節資本結構與負債管理理論. 公司要成長，就必須要有資本11，資本來源有兩大類：負債及權益。負債融資有兩個重要的優點：（1）利息可抵稅，而股票的股利不能抵稅，這相對地降低負債的成本；（2）負債的報酬是固定的，所以即使公司很成功，股東也不用將公司的利潤分給債權人。然而負債的缺點（1）負債用越多，公司的風險也越高，這會同時提高負債和權益的成本；（2）如果公司在景氣不好時經營不善，營業收入不足以支付利息費用時，股東應該想辦法補這些差額，如果股東們不這麼做，. 政治大. 公司就要破產。景氣也許即將復甦，但太多的負債壓得公司喘不過氣來無以為繼. 立. 也因此折損了股東權益。. ‧ 國. 學. 一家公司的最適資本結構（optimal capital structure）指的是該結構下，股. ‧. 價可以被最大化。資本結構的制定，是在風險與報酬間作適當的權衡。而影響資. sit. y. Nat. 本結構決策的因素為：（1）企業風險；（2）公司的稅賦狀況；（3）財務彈性；（4）. n. al. er. io. 管理政策保守或積極程度。. 11. Ch. engchi. i n U. 姜堯民編譯現代財務管理 CH14 資本結構與財務槓桿 P376 26. v.

(35) 第三章研究方法第一節模型建立. 本研究蒐集 DRAM 產業資訊，引用集邦科技（DRAMeXchange）股份有限公司 2010 年 2 月所提出之「DRAM Industry View for 2010 -2012February 2010」中有關 DRAM Demand Analysis，DRAM Supply Analysis，DRAM Cycle，DRAM. 政治大中有關寡占市場「抝折的需求曲線」來解釋廠商急於擴產的心態。並以資本支出立 Makers’ Competitiveness Analysis 提供之歷史資料為分析依據。應用經濟學理論. ‧ 國. 學. 的角度分析產能規劃與價格之間的關係是否符合寡占市場定價模式。並以賽局理論與囚犯困境來討論業者資本支出的規劃是否合理。以價格競爭下 A. Cournot. ‧. 古諾雙占模型分析是否有最適產能的存在。最後以財務管理的資本結構與負債管. sit. y. Nat. 理的論述分析國內 DRAM 產業之力晶科技、南科、華亞科技、茂德科技為例，. io. al. er. 說明過去資本支出的評價依據是否合理，並檢驗 ROE 的趨勢與各公司的資本支. n. 出與收益分析，說明擴產之不理性導致產品價格崩潰。. Ch. engchi. i n U. v. 3.1.1 DRAM 產業的抝折需求曲線. DRAM 產品雖然是單一產品，然而在每一世代皆有不同的主流規格，且存在的期間也不一定，本研究為了使產業問題得以呈現，故以 DDR 512Mb 以及 DDR2 1Gb 的合約價格（Contract Prices）為主要討論標的。由圖表 12 知兩項產品的存在時間約為三年半，歸納後發現兩項產品由原始售價到最低售價折價幅度分別為 89.58％與 84.12％由價格大幅下降的趨勢我們來對應經濟學當中抝折的需求曲線基本假設寡占廠商猜測當他提高價格時，同行不會跟著抬高價格；但當 27.

(36) 他降價時，其他廠商馬上就會跟著調低價格。. 圖表 12DRAM Price Trend DRAM Price Trend 6 5 4 USD $ 3 2 1 0 1Q. DDR512Mb Contract ASP DDR2 1Gb Contract ASP. 06. 08 08 06 07 07 09 09 10 10 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q. 政治大. . 立. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. ‧ 國. 學. 我們引用抝折的需求曲線來解釋，當價格在 P 時對應的產品數量為 Q，然. ‧. 而 DRAM 業者無法獨自調高產品價格來帶動同業調高產品價格，為了追求銷售. y. Nat. sit. 數量於是採用大量投資的方式來降低成本提高銷售數量。從 Q 到 Q2 而價格也由. n. al. er. io. P 下降至 P2 過程中 DRAM 業者運用製程微縮的方式大量分攤了每一產出顆粒的. i n U. v. 製造成本，然而新增產出造成了價格不易向上調整的壓力，廠商為了提升自己的. Ch. engchi. 競爭力不得不再擴大生產於是形成了惡性循環。. 28.

(37) 圖表 13DRAM 產業的抝折需求曲線. P. MC1. MC. e. P. MC2 D1. P2 D2. 0. MR1 Q2. Q. 政 MR治大. Q. 2. 立. 表格 7DRAM 廠商資本支出一覽表. Nat. n. al. er. io. sit. y. ‧. ‧ 國. 學. 資料來源：本研究自行整理. Ch. engchi. i n U. v. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 表格 7 DRAM 廠商支出一覽表可以獲得證明，整體的資本支出由 2004 年的 107,32,000,000.USD 到 2007 年的 21,440,000,000.足足成長 99.77％接近一倍的投資。然而對應整體的營收最高的 2006 年來看營收只增加了 28.69％。如果以機台裝置完工後加計試產以半年時間來推估產能顛峰來看，到了 07 年相較 2004 年只成長了 22.71％，對應 2006 年卻是衰退的。如果再下追蹤至 2008、2009 年 29.

(38) 相較 2004 年整體營收反而分別下降 9.36％、5.78％。我們發現 DRAM 業者並無能力提高產品售價，只能由擴大生產來達到降低生產成本的目的。然而投資所造成的營收結果反而是衰退的，而由表格 7 可看見 2008 年後廠商開始縮減資本支出，2009 年最低只有 4,336,000,000.僅 2004 年之 40.40％，結果反而讓 2010 年整體 DRAM 產業營收 39,414,000,000.成長多 04 年的 57％。. 表格 8DRAM 廠商營收一覽表. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學 er. io. sit. y. Nat. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 另以總投片數量來看自 2005 年 1Q 開始追蹤至 2010 年 4Q 為止，以韓系、. al. n. v i n 台系與非韓台之美日歐公司來比較，我們發現 2005 年起韓系廠商的投片數呈現 Ch engchi U 穩健成長的態勢，而美、日、歐，除歐系之 Qimonda 呈漸進退出之外，其餘廠家投片數也呈持平上揚的趨勢。. 30.

(39) 圖表 14 韓系廠商 CAPEX PLAN 2005~2010 韓系廠商CAPEX PLAN 400 350 300 250. Samsung. 千萬片 200. Hynix. 150 100 50 0 05 06 07 07 09 05 06 08 08 09 10 10 1Q 3 Q 1 Q 3Q 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q. 政治大. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 立. 學. 歐美日廠商 CAPEX PLAN. ‧. n. al. Micron Qimonda Elpida. er. io. sit. y. Nat. 140 120 100 80 千萬片 60 40 20 0. ‧ 國. 圖表 15 歐美日廠商 CAPEX PALN 2005~2010. Ch. engchi. i n U. v. 07 08 05 05 06 06 07 08 09 10 09 10 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q 1 Q 3 Q 1Q 3 Q 1Q 3 Q. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 台系廠商（包含中國大陸的中芯半導體）則出現了不規則的劇烈波動。仔細分析，從 2005 年的 11 萬片增加到 2007 年底的 38 萬 7 千片成長了 351.81％，過度投片引發價格崩跌，至 2009 年 1Q，為減產之最高峰期總投片數 20 萬 5 千片只有高峰期的 52.97％。. 31.

(40) 圖表 16 台系廠商 CAPEX PLAN 2005~2010. 千萬片. 台系廠商 CAPEX PLAN 140 120 100 80 60 40 20 0. Nanya Powerchip ProMOS Inotera Rexchip SMIC Winbond. 05 0 5 0 6 0 6 0 7 0 7 0 8 0 8 0 9 0 9 1 0 10 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q 1Q 3Q. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 立. 政治大. 然而我們從需求端來討論統計 1996 年起至 2012 年（預估值）PC 的需求呈. ‧ 國. 學. 現緩步上揚的趨勢，雖如此 PC 複合成長率也只有 11.9％。. ‧. 圖表 171996~2012 PC Shipment Growth. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 32. i n U. v.

(41) 可見為了要提高競爭力而擴大投資期望用降低成本手段來達成競爭的目的最後反而讓 DRAM 廠商產生了反淘汰的賽局。抝折的需求曲線說明了 DRAM 廠商利用降低成本的方式來提高銷售數量的心態，然而當所有的廠商都進行擴產的計畫時，過度的投資反而促使 DRAM 價格崩跌。. 3.1.2 DRAM 是寡占市場？還是獨占性競爭？. 獨占性競爭理論假設產業中有許多競爭廠家存在，而在長期中新的廠商可. 政治大 products）例如汽車產業立。寡占市場廠商數目少，每家行動相互牽制，每家的. 以任意進入這個市場，但每個廠商生產與他人不太相同的異質產品（hetergeneous 12. ‧ 國. 學. 行動會影響到其他廠商的利益，由於相互影響性高所以寡占市場業者在行動時往往會考慮對手的行動，故也造成寡占市廠業者競合過程中產生不同的結果，有從. ‧. 事非價格競爭傾向；也有聯合壟斷的勾結行為；也有拼個你死我活的割頸式競. sit. y. Nat. 價。由於 DRAM 產業進入與退出障礙皆高，資本密集度與市場集中度皆高13，且. al. n. DRAM 業者彼此牽動程度高故應屬於寡占市場。. Ch. engchi. er. io. 各廠商間產品相異不大，最後目前剩餘的廠商全數採取堆疊式生產方式而. i n U. v. 3.1.3 從寡占市場的利益探討 DRAM 產量. 寡占市場理論從產業的立場，最大利潤的產量就是 MR＝MC 之 c 點所對應的 Q2，比完全競爭時的均衡產量 Q1 為少，價格從 P1 提高至 P0，為了維護 P2 這個高價格，產業內的產出必需減產，換言之個別廠商必須節制生產，以產業之 MC＝MR 之邊際成本點為準。. 12 13. 經濟學理論與實際張清溪許嘉棟劉鶯釧吳聰敏 1987 年九月 P222 獨佔性競爭 DRAM 產業再造方案之評估彭建豪 2010 年二月 33.

(42) 圖表 18 寡占市場 DRAM 個別廠商與產業的最大利潤的矛盾. A 廠商. P. A. MC. D AC. P2. MR2. a. d. P0. h MR1. A. A. b. Q2A. 立. Q. 政治大. D. Σ. ‧. e. Nat. g. Pc. D C. n. al. MR Q1 Q3. Q2. Ch. sit. io. 0. MC. e’’. e’. P0. 學. ‧ 國. P. Q1A Q3A. y. 0. engchi. er. P1. B 產業. k. f. A. i n U Q. v. 資料來源：經濟學理論與實際. 就理想狀態下廠商 A 的利潤來自於 fd * 0 Q2A 的面積，產量減少，利潤增加，但是在 P2 的價格下，A 廠商的最大利潤是 P2＝MR2A＝MCA 的 Q3 A，利潤也提高至 hk*0 Q3 A，所以廠商 A 在利益驅使的條件下開始擴產，以此類推產業內其他廠商因為不甘受制於人，故也投入擴產計畫於是產品供應量大增，由於需求曲線並沒有改變於是過多的投產造成價格崩跌。. 34.

(43) 3.1.4 那許均衡與 DRAM 產業. 「那許均衡」指在一個賽局中給定其他參與人策略後參與人選擇自己的最適策略。所有參與人的策略組合稱之為「那許均衡」。假設有 N 個人參與賽局，給定其他人策略的條件下，每個人選擇自己的最適策略，這個最適策略（1）可能依賴其他競爭者策略，（2）也可能不依賴其他競爭者策略。所有參與人選擇策略構成一個策略組合（Strategy profile）稱為那許均衡。那許均衡由所有參與人的最適策略組成，意指給定別人策略情形下，沒有個別參與人有誘因選擇其他策. 政治大打破 DRAM 產業的擴產競爭必需尋求一個最適策略，如果假設本產業只有 AB 立. 略，進而沒有人有誘因打破此種均衡。那許均衡可以看成是一種僵局。所以為了. ‧ 國. 學. 兩個競爭者，目前 DRAM 價格是 5USD＄如果雙方皆擴產 50％價格馬上跌至 0.8 USD＄，如果只有一方擴產 50％時，價格會滑落至 3 USD＄，假設 A 的產能為. ‧. 100 顆，成本每顆 2 USD＄，B 的產能為 100 顆每顆成本 2.5 USD＄。如果以賽. al. er. io. sit. y. Nat. 局的方式來表示. n. 表格 9 在賽局理論下 A、B 廠商產能利潤分析. Ch. A 廠商擴產. B 廠商擴產. engchi. -180，-240. B 廠商不擴產. 75， 40. v Ai 廠商不擴產 n U 100，60. 300，200. 資料來源：本研究自行整理. 從表格 9 中可以發現即使在廠商 A 在成本上具有優勢，廠商 B 當產品價格高於成本時即使不擴產仍舊能維持獲利，而 A 廠商在 B 的擴產下如果維持現狀所維持的獲利優勢也沒有改變。導入 DRAM 產業中過去的 DRAM 製造產業在擴充產能的思維上是以生產數量成長來降低生產成本但是需求並沒有因 DRAM 搭載的數量改變而使得使用率提高，相反的我們在表 20 中可以發現，Content Per Box 的成長率自 1995 年到 2010 年複合成長率有 45.07％，然而需求並沒有大幅 35.

(44) 提升，也就是當技術與製程提升而提高產出時，消費者並沒有因這樣的產品降假幅度來改變消費的習慣，消費者還是去買合適使用的產品，當價格降低沒有產生需求成長，搭載容量變高並沒有形成誘使消費者增加消費支出的動因，所以背負著高額的資本支出只是為了要創造成本優勢卻忽略了一個重點,消費者在 PC 整機當中所願意負擔來自於採購 DRAM 成本佔整機的製造成本比例是固定的亦即關於 DRAM 的成本預算是固定比例並不回隨著價格大幅滑落而搭載更多 DRAM。. 圖表 191995-2010 PC Content Per Box Growth. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. i n U. v. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 3.1.5 最適生產資本結構下的生產規模. 寡占市場價格均衡來自於共謀的結果，競爭者由於彼此間容易掌握訊息價格具有僵固性。價格僵固性不論是共謀均衡還是因訊息透明化使得價格不易調整產業內的均衡價格並非是個別廠商的最大利潤點。而賽局理論中的那許均衡認為 36.

(45) 每個人選擇自己的最適策略，構成所有參與人選擇策略組合。選擇策略不論是否依賴其他競爭者策略，最適策略目的並非追求個別參與人的最大利潤點，而是讓自己在所有參與人中如何取得有利的競爭優勢。. 因此藉由賽局理論討論最適資本結構下的生產規模目地並非尋求個別廠商的股東利益極大化。因為基於那許均衡或寡占市場理論均衡價格都非個別廠商的最大利潤點，主要目的是要維持企業利潤優勢，設立新廠商的進入障礙。. 第二節最適資本生產模型的假說. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. 3.2.1 DRAM 產業最適資本規模下的那許均衡. 假設 DRAM 個別公司 Full Capacity 以 DRAM 為單一產品。市場價格由市. y. Nat. sit. 場總需求決定。所有業者的成本相同。假設每一萬片 Capacity 所需花費的資本支. n. al. er. io. 出相同。那麼在什麼條件下業者會希望採取增加資本支出？（1）追求利潤（2）. i n U. v. 財務優勢（3）營運風險考量。在前一節討論過寡佔市場所產生的均衡點並非為. Ch. engchi. 個別廠商的最大利潤點，也因此會破壞市場均衡的競爭者會採取行動希望趨近最大利潤點，換言之廠商願意維持現有狀況不增加資本支出的理由,就產品價格來討論追求產品價格穩定應是這些廠商的考量。那許均衡的意義在於選擇最合適自己的決策。換言之產業內的廠商雖然產能規模並未達到最大利潤，但由於考量風險、財務能力、與企業發展等因素，採取合適企業的生產規模，如果產業內所有的廠商皆基於最適合的基礎為決策考量依據，進而達到均衡狀態。然而如何決定最適點？以資本規劃角度來探討，在財務管理中一家公司的最適資本結構（optimal capital structure）指的是該結構下，股價可以被最大化。資本結構的制定，是在風險與報酬間作適當的權衡。財務管理學負債比的計算方式如下： 37.

(46) 總負債負債比 = 總資產. （1）. 得到負債比＊總資產=總負債負債比＊（總負債＋業主權益）＝總負債（負債比＊總負債）＋（負債比＊業主權益）＝總負債負債比＊業主權益＝總負債－（負債比＊總負債）負債比＊業主權益＝（1－負債比）＊總負債將負債比＝（1）代入業主權益＝（1－負債比）＊總負債＊總資產總負債業主權益＝（1－負債比）＊總資產. 政治大. 立. ‧ 國. 學. 依前述最適資本結構（optimal capital structure）指的是該結構下股價可以被最大化。如果以股價最大時的負債比為參數，則可以推得最適的資產規模與最. ‧. 適的業主權益。假設 A 公司的負債比為 45％時得到股價為 50 元為最大化，當. al. er. io. sit. y. Nat. 時的資產總值為 1 億元則：. v. n. （1）最適業主權益應該為：（1－45％）＊1 億＝0.55 億. Ch. engchi. i n U. （2）舉債程度最適規模為 1 億－0.55 億＝0.45 億. 換言之 A 公司目前舉債 0.75 億，為維持最適資本規模業主權益為應由目前的 0.55 億提高至 0.92 億，為維持最適資本狀態需增資 0.37 億元。. （1） 0.45＝0.75/(1＋X). 0.45X＝（0.75－0.45）. X＝0.67. 38.

(47) 1＋0.67=0.75＋Y. Y=0.92. 0.92－0.55＝0.37…………………應增資金額. 當 DRAM 業者確定最適資本結構時，此時該產能不一定是其最大利潤點，從寡占市場的最大利潤分析已經證明過，但如果廠商在此時不擴張產能反而維持最適資本結構規模認為這樣的風險承擔對企業是最佳選擇；而產業內各廠商都以最適資本狀態為決策依據並都相信對企業是最佳選擇則產業內便達到納許均衡狀態。. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. 3.2.2 DRAM 產業那許均衡下的囚犯困境效應. 由圖表 20 可以發現兩件事（1）自 2001 年 12 吋廠開始投片 DRAM 製程. sit. y. Nat. 以 0.15μm 為起，至 2007 年為止主要規格如表 12 所示為 DDR2 1Gb，中間進行. al. er. io. 了四次的製程微縮，（2）DRAM 全體廠商總投入金額為 102 億美元，比 07 年力. v. n. 晶、南科、華亞科、茂德加總的總資本額還多，然而 DDR2 1Gb 的價格卻由 5.54. Ch. engchi. i n U. 跌至 1.06，折幅達百分之八十。但整體 OP 毛利率卻遲至 2004 年才開始轉正，然而隨著產出大幅成長 2007、2008、2009 年都產生虧損。. 39.

(48) 圖表 20DRAM percentage in PC BOM Cost. 學. 資料來源：DRAMeXchange, Jan., 2010. 表格 10DRAM 廠商 OP 毛利概況. Nat. n. al. er. io. sit. y. ‧. ‧ 國. 立. 政治大. Ch. engchi. i n U. v. 資料來源：本研究自行整理. 那麼投資 102 億美元的目的到底為何？廠商為了增加成本優勢或追求最大利潤的結果反而造成產品價格大崩跌。整理近年來整體產出的發現在表格 7 中，整體 Capex 由 2002 年的 5500 萬片至 2007 年的 21440 萬片整整增產 389％，但 2008 年在台系廠商減產效應下產能只有巔峰期的 57.1％，但 2009 年更進一步的下降，比 2002 年的 5500 萬片更低的之 4336 萬片才促使 2010 年價格回升，如果減產比原 5500 萬片還低 21.1％才能讓整體市場去化先前的庫存，廠商為了創造 40.

(49) 個別優勢所增加的資本支出卻反而帶來整個產業危機。. 3..2.3 精煉貝斯均衡與 DRAM 產業. 假設 DRAM 產業為靜態不完全信息賽局，廠商同時行動沒有機會觀察到別人的選擇。給定別人的策略選擇，每個廠商的最適策略依賴於自己的類型。由於每個廠商僅知道其他廠商類型的機率分佈而不知道其真實類型，廠商不可能準確地知道其他廠商實際上會選擇什麼策略；只能正確地預測到其他廠商的選擇是如. 政治大其類型的情況下，最大化自己的期望效用。DRAM 廠商在一個最適的資本規模立. 何依賴於其各自的類型的。決策的目標就是在給定自己的類型和別人的策略依從. ‧ 國. 學. 下的進行產能規劃，以自身負債比來達到抑制廠商產能成長經由每個參與者的自制達到產業內產能成長速度達到產業均衡。. ‧. Nat. n. al. er. io. sit. y. 3.2.4A. Cournot 古諾雙占模型與 DRAM 產業. i n U. v. 假設廠商 A（以下以 A 表示）生產、銷售 DRAM。生產規模為市場規模. Ch. engchi. OD’之二分之一，價格為 2 元獲得最大利潤，由於 MR=MC=0 故需求彈性 e=1，當廠商 B（以下以 B 表示）進入市場後假設競爭者 A 維持銷售 2 個單位不變，由於市場的需求曲線為 AD’，為求最大利潤故 B 的生產數量應為 Q3。接著 A 為了擴大規模；並假定 B 不改變生產規模，將生產規模擴增至 B 剩下的 1/4。此一決策模式持續演變至 A、B 各占有市場的 1/3 後達到均衡，共同供應市場 2/3，在每個階段 A 與 B 皆得到最大利潤，但整個產業並未實現最大利潤。. 41.

(50) A 廠商的均衡產量為：. OQ（1/2－1/8－1/32－……）=1/3 OQ. B 廠商的均衡產量為：OQ（1/4+1/16+1/64+……）=1/3 OQ. 行業的均衡總產量為：1/3 OQ+1/3 OQ=2/3 OQ. 圖表 21 古諾雙占模型應用在 DRAM 產業. 政治大. 學. P D. ‧. ‧ 國. 立. Nat. e=1. sit. y. P= 2. n. al. O. er. io. P1=1. v i n C Qh =1 Q =2 e n g c hQ i=3 U D’=4 X MR （A）’ 1. 2. 3. MR （A） MR（B）. 資料來源：本研究自行整理. 3.2.5 價格競爭下 A. Cournot 古諾雙占模型. 假定市場內兩家 DRAM 廠以 40 億元的固定成本生產 DRAM，並假定不存在可變成本，邊際成本為 0，市場需求數如下：. 42.

(51) D1：Q1 = 24－4 P1+2 P2. D2：Q2=24－4 P2+2 P1. π1= P1 Q1－40 = （24 P1－4 P12+2 P1P2）－40. dπ1 / dP1=24－4 P1+2 P2=0. 政治大. P1= 3 + 1/4P2（廠商 A 的反應函數）. 學. ‧ 國. 立. 同理：P2= 3+ 1/4 P1（廠商 B 的反應函數）. ‧. 因此，P1=4， P2=4. n. Ch. engchi. er. io. al. sit. y. Nat. 得：Q1=16， Q2=16；π1=24，π2=24。. i n U. v. 這種無勾結行為而達成均衡稱為古諾均衡.，寡占間若存在著勾結，以求得聯合的利潤最大化稱為共謀均衡。所以古諾均衡來自於企業選擇對本身最佳策略。. 43.

(52) 圖表 22 應用價格競爭達到均衡的 DRAM 產業. P6. F 共謀均衡點. P5 P4. E 古諾均衡. P3 P2 P1. 立. P1. P6. 學. ‧ 國. Nat. io. er. 3.2.6 最適資本生產模型的假說. y. ‧. 資料來源：本研究自行整理. sit. O. 政治大 P2 P3 P4 P5. al. n. v i n 假設廠商是理性的生產者，決策的目的在於追求企業最適生產模式。就財 Ch engchi U. 務管理考量，在最適資本結構下規劃產能規模。. 1 分析企業最高股價時的資產負債比。定義資產負債比的範圍。. 2 從最適資產負債比中對應最適資本額與負債總額。. 3 假設競爭對手也會以最適競爭策略規畫生產規模-------------那許均衡. 4 假設競爭對手不會盲目擴產……………………………..囚犯困境 44.

(53) 5 廠商的產能會因此受到資本額的限制，由於廠商會考量最適資本規模所以生產規模會受到負債比率的影響，故不會以大幅舉債來達到擴產的目的….. 精煉貝斯均衡。. 6 市場需求是由廠商的供給來決定，廠商不因市場需求的預測值擴充產能，雖然產業內廠商不因共謀即採聯合壟斷方式決定產能分配，但由於廠商選擇最有利於本身的產能與負債比率，所以克制擴充產能速度令市場進入均衡…古諾均衡. 立. 政治大. ‧. ‧ 國. 學. n. er. io. sit. y. Nat. al. Ch. engchi. 45. i n U. v.

(54) 第四章數值與決策分析第一節以力晶科技股份有限公司為例. 4.1.1 力晶發展沿革與現況. 力晶科技股份有限公司於八十三年十二月創立於新竹科學園區，業務範圍. 政治大牌上櫃。八十八年發行全球存託憑證，成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市立. 涵蓋動態記憶體製造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在台灣正式掛. ‧ 國. 學. 的上櫃公司。截至九十六年底，力晶擁有六千一百位員工，資本額達新台幣五百六十億九千萬元，年度營收為新台幣八百零八億元。力晶的科技和產能針對資. ‧. 訊、通信及消費性電子市場提供多樣化 DRAM 產品、高容量快閃記憶體(Flash)、. sit. y. Nat. CMOS 影像感測器及多元化代工服務。產能規模目前擁有三座十二吋晶圓廠，最. io. er. 大投片數可達十三萬片，最先進生產技術已達 45 奈米。2010 年力晶營收高達. al. 808.3 億元，是台灣最大的 DRAM 製造商，也是除瑞晶外，唯一能獲利的 DRAM. n. v i n Ch 廠。2011 年 2 月力晶宣布將退出標準型市場，力晶所有標準型 DRAM e n gDRAM chi U. 產出將全部賣給日本的爾必達（Elpida），力晶將轉型為代工廠，不再生產販賣自有品牌的 DRAM 產品。力晶希望在 2011 年底前，將 DRAM 產能佔全公司產能的比重降低到 50%以下，其餘的產能將作晶圓代工。. 46.