[PDF] Top 20 以電流驅動錫晶鬚的成長之研究
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以電流驅動錫晶鬚的成長之研究
... Technologies 的一個部分，除了本身的論壇外，也去聽了其他相關領域的部份，知名學者所發表的 演說讓我獲益良多並且看到平時只能在論文上看到的人物，讓我興奮不已。除了聽取其他人所發表的報告，也 會與與會者討論，而討論內容也讓我有諸多收穫。在覆晶封裝領域中仍有非常多困難需要克服，諸如大家熟知 ... See full document
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GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究
... 張良肇 國立交通大學電子物理研究所 一、中文摘要 本計畫主要研究利用有機金屬氣相磊晶法在 砷化鎵基板上成長氮砷化鎵薄膜，並量測薄膜特 性。我們使用三乙基鎵、二甲基聯氨、砷化氫做為 反應物原料，研究成長溫度、[二甲基聯氨]/[砷化 氫]比例對氮砷化鎵薄膜含氮量之影響。我們也研 ... See full document
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幼兒在動手做科學活動歷程之心流研究：以潛在成長模式進行分析
... 屏東教育大學特教系助理教授 本研究採取縱貫研究的方式，探討幼兒在參與動手做科學活動歷程，其心流 經驗的變化。由於目前多數的縱貫研究採取重複量數的 ANOVA 或 MANOVA 來分 析資料，但這些統計方式並無法提供個體改變軌線，也無法進行與變化軌線關連 ... See full document
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以分子束磊晶成長之氧化錳鋅薄膜的光學特性研究
... 感謝周武清老師在兩年前讓我加入分子束磊晶實驗室，在這裡有 豐沛的研究資源，尤其有精密且昂貴的分子束磊晶系統。在碩一時老 師也讓我有這機會參加舉辦於日本仙台的學術研討會。在這研討會期 間我除了上台報告、聽許多外國學者演講之外，也參觀了國外知名研 ... See full document
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硒奈米晶體之成長控制與其光電特性研究
... 聚醣分子作為軟性模版以還原出高品質 之硒奈米棒，並且系統性地探討硒奈米晶體之成長機制。我們證實 CMC 分 子會形成類一維結構，並包覆於硒奈米晶體周圍，使硒晶體進行非等向性 成長而形成一維奈米棒。在此合成系統中，硒奈米晶體之形貌與尺寸可藉 ... See full document
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以電漿輔助式分子束磊晶法成長氧化鎂鋅磊晶薄膜與特性研究
... 並且幫我修改語句，讓我可以在時間內完成本論文。感謝崑峰學長教導我 長晶技巧與量測經驗，感謝李寧學長教導我正確的理論觀念。感謝文忠學 長、彥丞學長與瑞泰學長給予我精神上的支持，建立我的信心。還要感謝 偉仕學長、靜宜、維綸、侑霖、嘉華、湘穎、宣劭、明叡以及小育，因為 ... See full document
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氧化錫奈米線成長及其電化學觸媒支撐材應用研究
... 1989 成立以來，世代發展模型機組，稱作 Mark I, II, III, IV,…。 下午參觀 Powertech ，它由本地的水電公司 BC hydro 百分百所投資， BC hydro 擁有豐沛的 自然資源， 從遊覽車上舉目望去， 黛山白頭， 雪水潺潺流下，水力發電資源豐富， 多餘電 力可用於分解水成氫氣，儲存備用。 ... See full document
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電鍍霧錫系統中形狀因素對於錫鬚晶成長機制之探討
... 在不同時效溫度下對於錫鬚晶生長之情形，並以統計方式來探討不同形狀之基材對於錫鬚晶生 長之影響。結果顯示，在不同形狀基材之影響，對於彎曲之引腳會產生拉張及壓縮應力，在凹 ... See full document
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數值模擬晶棒成長之熱流分析
... 第二章 物理模型與系統描述 單晶生長過程中，熱流場是一個相當繁雜的系統，由長晶系統整 體分析而言，由加熱器以熱輻射的方式加熱坩堝，坩堝再經由熱傳導 將熱傳至矽熔湯中，矽熔湯因溫度差使矽熔湯的密度產生變化，因而 進行自然對流的流動行為。因為矽晶爐內大部分時間均處於高溫狀況 ... See full document
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鋁導線設計對覆晶銲錫凸塊中的電流與溫度分佈之研究
... 1-1 電子封裝簡介 1958 年 Jack Kilby 和 Robert Noyce 發明第一個積體電路後，人 們的生活進入一個新的紀元。四十多年前，摩爾提出預測半導體成長 趨勢的摩爾定律（Moore ， s Law），每十八個月電路的密度會增加一 ... See full document
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以錫銅化合物來抑止銲錫與銅多次回銲時Cu6Sn5的成長
... 首先要感謝的人是我的指導教授，陳智博士，在研究上面的指導。他不僅教導我實 驗上的技巧，也訓練我思考上縝密的邏輯，更傳授我許許多多待人處事的道理。在碩士 班兩年期間，尤其感謝老師鼓勵我們多多參與國外學者及業界的交流，提供許多出國參 ... See full document
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以動態能力的角度探討三星電子的成長與衰退
... 策略聯盟與技術授權的方式，大量吸取過去領先企業的成功方式與技術。在內部機 會感知方面，採取同步工程降低溝通成本，並以內部競合等拼命三郎的方式，提升 企業的競爭力。 在雄厚的資本與外部資訊獲取迅速的輔助下，三星電子採取市場導向型研發 ... See full document
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覆晶錫鉛銲錫以熱時效處理後之電遷移失效時間與微結構研究
... 製造的首個積體電路晶棒（圖1-2）所開啟。此後伴隨著 電子產品朝向輕、薄、短、小發展的趨勢，積體電路的複雜度依摩爾定律（Moore’s Law）的驚人速度演進。1965年英特爾（Intel）創始人之一戈登摩爾，由其半導體 ... See full document
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以少量的動作感知器來驅動角色動作之研究
... 都是林教授在旁細心指導與諄諄教誨，而得以克服萬難及增強自 信與勇氣，以面對未來的挑戰。兩年來的成長，即是我進入研究 所最大的收穫。 在背後默默關心的父母和親人，是我最大的避風港。每當遇 到困頓或寂寞時，家人的鼓勵，就成為最重要的精神支柱，或許 ... See full document
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非極性氮化鎵光電元件之磊晶成長
... 嚴謹風格帶領之下，著實讓我在博士班前四年，立下良好的學習基礎，更能展現個人 的研究特色。另外，我亦十分感謝美國耶魯大學韓仲教授，千里馬的這一年時間，在 他優秀學者風範的耳濡目染與薰陶之下，讓我的研究能力得到另一個提升，並敞開我 ... See full document
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以鎳為金屬墊層之覆晶錫銀銲錫接點於不同溫度下之電遷移失效模式研究
... 一般在銲錫接點通電可靠度測試中，所觀察到主要微結構改變通常出現在電子 流方向向下的銲錫凸塊破壞最先，最主要發生在電子流向下的銲錫凸塊，破壞會 出現在電子流聚集處，即鋁導線與銲錫凸塊接觸的界面，破壞模式為界面上產生 ... See full document
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四元InAlGaN之磊晶成長與光電元件之研製
... (4)受延攬人於補助期間對貴單位或國內相關學術科技領域助益如何？ How has the employed person, during his or her term of employment, benefited your unit or the relevant domestic academic field? 受延攬人於補助期間提出了一種工藝簡單可行的增強 LED ... See full document
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低驅動電壓高電流密度有機薄膜電晶體
... 圖二為使用 1 nm F 4 -TCNQ 做為修飾層的五環素電晶體特性圖，在閘極電壓-3.6 V 下， 汲極飽和電流為 20 μA，移動率為 11.27 cm 2 V -1 s -1 ，此值為目前本實驗室之最高值。而轉 換特性曲線顯示，臨限電壓為-1.05 伏特，開/關電流比為 ... See full document
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覆晶錫銀銲錫接點於定溫不同電流密度下之電遷移失效模式研究
... 3150μm 的鋁導線連接四個鋁墊層，並標示著 b1 凸塊到 b4 凸塊如圖，而在基板端共有六條銅導線分別連接到此四顆銲錫凸塊，並依序標 示為 n1 到 n6 如圖。本研究中定義電子流之方向乃從 n3 導線流經 b2 凸塊之基板 端再向上至其晶片端，並經由鋁導線而再由 b3 ... See full document
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