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[PDF] Top 20 低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究

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低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究

低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究

... 再者,我要特別感謝張家文學長,學長不僅在研究過程中都很熱心地幫助 我、指導我,在日常生活中也都特別的關心照顧我。另外要感謝黃俊嘉學長在實 驗上經驗的傳承,還有楊學長、陳建豪學長、郭柏儀學長、陳志仰學長、馬鳴汶 學長、統億學長、錦石學長,感謝你們這些日子以來的關心指導。也要感謝久 騰、明爵、仕傑、統億、文呈、冠良、文彥、子恆、張婷、春瑀,懷念你們相 處的日子以及一起討論課業時的那股求知的熱情。 ... See full document

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鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究

鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究

... 發非薄膜側向準分子雷射退火來製作高效能薄膜 。此外,為了解決對於鎳金屬誘發薄膜來說,非常重要的鎳金 ... See full document

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具備新穎自我對準升高式源/汲極結構之低溫複晶矽薄膜電晶體元件之開發與寬通道效應之研究

具備新穎自我對準升高式源/汲極結構之低溫複晶矽薄膜電晶體元件之開發與寬通道效應之研究

... 首先,我們利用傳統熟知金屬鑲嵌化學機械研磨技術,用以開發出 具備自我對準閘極增高式源汲極薄膜元件,在 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體應用於光感測之可行性研究

低溫複晶矽薄膜電晶體應用於光感測之可行性研究

... 薄膜 薄膜 ... See full document

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以新穎降電場結構改善低溫複晶矽薄膜電晶體特性研究

以新穎降電場結構改善低溫複晶矽薄膜電晶體特性研究

... 1-2 高介係數閘極氧化層金屬閘極 傳統金氧半場效製程中,多使用氧化為閘極介材料, 當氧化層小於1.5奈米時,由於直接穿隧( Direct Tunneling )機率的增 加,引起閘極漏流急遽的增加;這些增加的漏流可能超過在65奈 ... See full document

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鎳金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-界面狀態與低溫複晶矽薄膜電晶體特性之研究

鎳金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-界面狀態與低溫複晶矽薄膜電晶體特性之研究

... - Interface state and LTPS TFTs Device Performance. 研 究 生:趙育誠 Student:Yu-Cheng Chao[r] ... See full document

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具奈米尺度及新穎結構的高效能低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究

具奈米尺度及新穎結構的高效能低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究

... 博 士 論 文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University[r] ... See full document

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改善低溫複晶矽薄膜電晶體均勻性之元件結構與校正電路之研究

改善低溫複晶矽薄膜電晶體均勻性之元件結構與校正電路之研究

... 善 薄膜 均 均勻 勻性 性 元 元件 件 ... See full document

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複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III:MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究

複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III:MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究

... 的效應。此圖案相依的金屬誘化側向 薄膜的製程完全相容 於目前互補式金氧半場效的技 術,而且不需要而外的光罩製程。此元 ... See full document

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鎳金屬誘發側向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

鎳金屬誘發側向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

... IV 誌謝 兩年,說長不長說短不短的時間,我學習到了很多道理,也有所長進了吧?! 首先,最應該要感謝的,就是實驗室的大家長:趙天生老師。謝謝老師當初肯辜 負眾學長的期待選擇看似上進乖巧的我作為實驗室的力軍。老師以淡定哲學領 導著一個向心力如此強大的團隊,讓我們可以盡情地做自己想做的事!我想,這些 年的研究成果都足以說明無為而治的潛在力量。這一路以來也受到很多人的幫助, ... See full document

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鎳金屬矽化物誘導橫向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

鎳金屬矽化物誘導橫向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

... 接著,特別感謝郭柏儀學長的細心指導,由於他的經驗豐富,以及做實驗的 認真態度,讓我在研究方面能更加順利,還有智揚學長、家文學長,謝謝你們常 在我遇到問題的時候,給予我適時的幫助、解答,而在每次的小組討論時,感謝 紹明學長和俊嘉學長的教導,讓我更加了解有關記憶方面的研究,還有我同屆 的同學們,仕傑、明爵、哲綸、文呈、士銘、文瑋、廷圍,和你們一起無論是修 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體於背光下之電性研究

低溫複晶矽薄膜電晶體於背光下之電性研究

... 最後,我願將這份榮耀呈獻給我深愛的家人,父親-林水河先生、母親-林陳玉琴 女士、姐姐-林秀蓉小姐、以及弟弟-林成峯先生。感謝家人們的鼓勵,特別是父母親 多年來辛苦的教導栽培,一直以來的支持關懷,陪我度過了許多風雨榮耀的時光, 讓我能無後顧憂,全力衝刺學業,終於不負所望完成學業,在此獻上我內心最深的謝 ... See full document

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鎳金屬誘發側向結晶-低溫複晶矽薄膜電晶體之漏電流與可靠度研究

鎳金屬誘發側向結晶-低溫複晶矽薄膜電晶體之漏電流與可靠度研究

... 析度能夠進一步提升。然而利用薄膜方式驅動的液晶顯示器,成像品質的好壞 的特性有很大的關係,如漏流、驅動流、寄生容、臨界開關速率 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究

低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究

... 接下來,我要特別感謝謝明山學長,學長不僅在研究過程中都很熱心地幫助 我、指導我,在日常生活中也都特別的關心照顧我。另外要感謝已畢業的獻德學 長帶我進入薄膜這個領域,也要感謝郭柏儀學長在實驗上經驗的傳承,還 有小強學長、楊紹明學長、小賢學長、志仰學長、家文學長,感謝你們這些日子 以來的關心指導。也要感謝伯浩、俊嘉、宗元、梓祥,你們這二年的陪伴、一 ... See full document

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新穎低溫複晶矽薄膜電晶體與前瞻非揮發性記憶體元件之製作與特性研究

新穎低溫複晶矽薄膜電晶體與前瞻非揮發性記憶體元件之製作與特性研究

... 我感謝博士論文口試當天的口試委員:施敏院士、陳力俊院士、雷 添福教授、龔正教授、以及崔秉鉞教授。在您們的指導下,讓我對研 究有了更進一步的想法,同時也對做研究的態度有更進一步的啟發。 同時,我也要感謝我十年的好友:世青、大山、富明、星舟以及敏 全讓我在研究的路上走的不孤單。另外,我要感謝大同光所的堡 安、智超、建鋒、家齊、聖琦以及易良等諸位學弟,對於實驗機台上 的協助以及在 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體之負偏壓溫度不穩定研究

低溫複晶矽薄膜電晶體之負偏壓溫度不穩定研究

... 張婷,你們相處的時光總是充滿歡樂。 最後感謝我最親愛的家人,感謝我的父母李俊忠先生和張麗華女士無怨無悔 的將我拉拔長大,還記得數十年來,父親對兒子的多少期待,母親對兒子的多少 關懷,歷歷在目,無以回報,永識於心。也很感謝蕙質蘭心的女友書君,總是在 聽了我的牢騷後給我繼續前進的動力。 ... See full document

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鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制、金屬捉聚與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究

鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制、金屬捉聚與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究

... 型(TFT)。依驅動方式的不同又可分為被動式矩陣驅動及主動式矩陣驅動。TN STN 屬於被動式矩陣,此型的液晶顯示器由於容串因(Capacitor Coupling)嚴重,而導 致會有殘影及對比差及反應速度慢等缺點,再加上又是採用多工方式驅動,驅動方式較 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究

低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究

... 國誠、余俊、伯浩、宗元、梓翔、源俊、俊嘉、統億、錦石、子恆、張婷以及李 耀仁、林家彬學長,有你們的陪伴討論,實驗過程不再枯燥乏味而是充滿著歡 樂。因為有你們的幫忙笑聲,讓我能以快樂的心情面對實驗上生活上的挑戰。 由衷地感激在實驗中曾給我幫助的朋友們,特別是計測實驗室的彭作煌先 生、教學實驗室的彭兆光先生,奈米中心的徐秀鑾、林素珠、黃月美、楊月嬌、 ... See full document

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鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體

鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體

... 一般的研究目標以如何在中加快速率、改善品質及增大晶粒尺寸 減少第三類過渡金屬原子(如鎳、鉬、鐵、銅等)污染來降低漏流的目標進行, 而漏流的產生經常是過渡金屬原子在材料中都是屬於快速擴散源容易造成 金屬原子殘留而產生減損元件特性,發生機率最高會在 TFT ... See full document

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高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作

高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作

... 有縱向成長的晶粒及在源/汲極接面附近 缺陷較少,因此藉由此法所製作出的 薄膜相較於傳統製程呈 現出較高的載子移動率、較的次臨界擺 幅及漏流。此外,既然晶粒的成長可藉 由人為控制,因此相較於傳統雷射再 ... See full document

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