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[PDF] Top 20 利用準分子及連續波雷射退火製作高效能低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

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利用準分子及連續波雷射退火製作高效能低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

利用準分子及連續波雷射退火製作高效能低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

... 子工程學系 子研究所碩士班 摘要 近年來,薄膜是在顯示技術應用中的關鍵元件。雖然透過分子 ... See full document

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以準分子雷射退火技術製作低溫複(單)晶矽薄膜電晶體元件

以準分子雷射退火技術製作低溫複(單)晶矽薄膜電晶體元件

... 具簡化程的高性能薄膜 ,是故研究內容與原計畫十分相符,且 亦達成預期目標。研究成果十分具有 學術㆖應用㆖價值,可推廣研究成果 至 TFT-LCD ... See full document

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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之多閘極複晶矽薄膜電晶體之研究

以準分子雷射退火製作控制晶界位置之多閘極複晶矽薄膜電晶體之研究

... 子工程學系 子研究所碩士班 摘要 近年來,薄膜成為顯示技術應用中的關鍵元件,由於其高 載子遷移率的特性可以應用在系統面板(System on Panel, SOP)上。雖然透過 ... See full document

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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之雙閘極複晶矽薄膜電晶體之研究

以準分子雷射退火製作控制晶界位置之雙閘極複晶矽薄膜電晶體之研究

... 我們也利用該結方式,作出雙閘極薄膜,並對其特 性加以研究。在沒有任何氫化的處理之下,其N型元件等效載子移動率更超過 1000 cm 2 /V-s,而P型元件則超過 340 cm 2 /V-s。我們觀察到元件的均勻性也被提 ... See full document

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具有超薄非晶矽層之高效能雷射退火複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究

具有超薄非晶矽層之高效能雷射退火複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究

... 非 分 子 退 火 ( excimer laser-annealed)薄膜特性做了一系列的研究與比較,在不需 ... See full document

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固態連續波雷射結晶於主動驅動有機電激發光顯示器低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

固態連續波雷射結晶於主動驅動有機電激發光顯示器低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

... Laser) 取代現有的分子 (Excimer Laser) 來研薄膜。從微調雷參 數出發,並以材料分析驗証其薄膜品質, 然 後 使 用 最 佳 化 的 雷 參 數 來 ... See full document

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複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III:MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究

複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III:MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究

... 的效應。此圖案相依的金屬誘化側向結 薄膜程完全相容 於目前互補式金氧半場效的技 術,而且不需要而外的光罩程。此元 ... See full document

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低溫快速金屬誘發非晶矽結晶化製作複晶矽薄膜電晶體

低溫快速金屬誘發非晶矽結晶化製作複晶矽薄膜電晶體

... 在較退火退火時間所做出的薄膜其元件特性優良已取代 SPC 所作出薄膜元件。[7-9] 而 MIC/MILC 有其缺點,針對此一缺點 2001 年 Murley ... See full document

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高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作

高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作

... 高性能薄膜已藉由 分子再結方式配合凹槽式元件 通道結構作出。由於其在元件通道內擁 有縱向成長的晶粒在源/汲極接面附近 ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體的電容特性及模擬

低溫複晶矽薄膜電晶體的電容特性及模擬

... 交流信號將操作於閘極。因此薄膜對於元件在交流信號下的頻 率響應就具有相當大的重要性。 ... See full document

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利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)

利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)

... 要 薄膜 (poly-Si thin film transistor, poly-Si TFT) 擁有較高子遷移率 (electron mobility)較陡臨界壓( subthreshold slope),所以針對顯示器高解析度較佳 ... See full document

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高均勻載子移動率之低溫複晶矽薄膜電晶體研製

高均勻載子移動率之低溫複晶矽薄膜電晶體研製

... 式。當適當的控制能量,結合分子 與鎳金屬催化結法可作出高品質 薄膜。經由鎳金屬催化結 備出薄膜具有較大的晶粒但其內 ... See full document

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鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體

鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體

... 後退火(post-annealing) 界可假設為障,界的多寡將會阻礙載子移動的大小,所以如何減少 界的數量和晶粒內缺陷來改善 TFT 元件特性一直是研究的方向。目前利用退火 [27][28]來減少消除晶粒缺陷的方式有高退火和 ELA ... See full document

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低溫複晶矽薄膜電晶體於交流偏壓下之劣化特性研究

低溫複晶矽薄膜電晶體於交流偏壓下之劣化特性研究

... 使本文得以順利完成,師恩浩瀚,永誌於心。亦感謝口試委員聯華子黃正同 博士、光所朱安國教授和張榮芳博士撥冗審閱,給予論文指正與教導,特此 致謝。 在研究生涯時期,很高興在這大 Group 裡面認識許許多多的人。兩年的 生涯裡遇到許許多多的挫折人生的無助,時常感傷、徬徨、不知所措。所幸, ... See full document

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新型低溫複晶矽(矽鍺)電晶體及奈米碳管場發射元件---子計畫II:低溫快速金屬誘發之結晶層製作薄膜電晶體(I)

新型低溫複晶矽(矽鍺)電晶體及奈米碳管場發射元件---子計畫II:低溫快速金屬誘發之結晶層製作薄膜電晶體(I)

... LCD OLED)大部分使用驅動方式以主動式矩陣(active matrix) 驅動為主,而在主動式矩陣驅動中傳統使用薄膜性表現已經無法符 ... See full document

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以準分子雷射結晶法製作高載子移動率低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究

以準分子雷射結晶法製作高載子移動率低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究

... 博 士 論 文 以準分子雷射結晶法製作高載子移動率 低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究 Study on High-Mobility Low-Temperature Polycrystalline Silicon and Silicon-Germanium Thin Film Transistors Fabricated by Excimer Laser Crystall[r] ... See full document

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具有副閘極結構之雷射退火複晶矽薄膜電晶體製作與特性研究

具有副閘極結構之雷射退火複晶矽薄膜電晶體製作與特性研究

... 子工程學系 子研究所碩士班 摘 要 薄膜已經廣泛的使用在液晶顯示器的畫素控制元件。而為了達 到將週邊驅動路與畫素控制元件整合在同一大面積玻璃基板的目標, ... See full document

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以準分子雷射結晶與非晶矽間隙壁結構製作高遷移率複晶矽薄膜電晶體之研究

以準分子雷射結晶與非晶矽間隙壁結構製作高遷移率複晶矽薄膜電晶體之研究

... A Thesis Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fu[r] ... See full document

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具奈米尺度及新穎結構的高效能低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究

具奈米尺度及新穎結構的高效能低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究

... 博 士 論 文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University[r] ... See full document

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應用於系統面板之連續波雷射結晶多晶矽薄膜電晶體之研究

應用於系統面板之連續波雷射結晶多晶矽薄膜電晶體之研究

... 萬霖,感謝您最後協助將元件做活了,以及一直在我耳邊覆誦安希教練曰: 『現 在放棄!比賽就結束了!』 ,真的很感謝您們。 另外,感謝傳授機台實驗經驗的序恆學長,雖然畢業了還是很關心我。以 及,在實驗或雜事上幫我超多的正國、旭航、雋荃、俊賢、佳信學弟們。以及同 屆在無塵室內奮鬥的茜云、聖凱、邦祐、英彰、家名、俊凱、彥徵。當然,還有 筠珊學姐,以及晏廷、宗哲、柏鈞、均宇、育荏學弟妹們一同在實驗室內造歡 ... See full document

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