[PDF] Top 20 寬能隙半導體材料及其結構之時域解析光譜之研究
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寬能隙半導體材料及其結構之時域解析光譜之研究
... 光 光 譜 ， 探 討 氮化鎵經砷元素同電 子性攙雜後光學特性，發現砷元素對 激子復合過程有很重大的影響，並會 形成一侷限能態。當 As 元素攙雜入 薄膜後，很明顯的，缺陷能階與施子- 受子對的躍遷減少了。由激子復合過 程可觀察到此侷限能態在溫度 75K 以 下時開始影響放光機制，與氮化鎵本 身的受束縛激子躍遷隨溫度的 ... See full document
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寬能隙半導體微共振腔強耦合作用之研究
... 首先，我們研究混合型氧化鋅微共振腔中的高反射率分布式布拉格反射鏡， 其結構為四分之一光學厚度的氮化鋁/氮化鎵薄膜組成。在 20 對氮化鋁/氮化鎵 分布式布拉格反射鏡中，反射率為 97.2%並且停止帶的寬度為 36.6 奈米。另外， 值得注意的是氮化鋁/氮化鎵分布式布拉格反射鏡其反射率中心波長短於 380 奈 ... See full document
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雷射技術及時析光譜研究奈米光電材料與結構之研究
... 關鍵詞： 聲子散射、溶膠─凝膠法、II-VI 族半導體、寬能隙半導體、氧化鋅、激子、螢光、 量子侷限。 Abstract The exciton-longitudinal-optical-phonon (LO-phonon) interaction was observed to decrease ... See full document
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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究
... 以瞭解其異質接面狀態及其奈米微細結構和合金成分；分析譜線的半高寬度，以鑑定其界面 品質及特性，並探討可能影響的因素。同時將研究其各個躍遷訊號和電場隨溫度的變化情 形，以充掌握各種外加參數對元件品質及性能之影響,進而提昇元件的性能。並擬將此技術發 ... See full document
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新穎光電半導體材料，低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)
... 陳輝勝、陳佳甄 一、中文摘要 本計畫目的主要利用非接觸式電場調 制(Contactless Electroreflectance, CER)及壓 電調制(Pizeoreflectance, PzR)反射光譜來研 究 II-VI 族 寬 能 隙 半 導 體 化 合 物 材 料 ZnCd ... See full document
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新穎光電半導體材料，低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(III)
... 和其它相類似之材料比較。另一方面，利用 極化的PzR光譜可觀察出一系列氮含量不同的 GaInNP薄膜的非對稱性質，證明在GaInP中 加入N仍有著非對稱性質，並正確地得到價帶 分裂的E g , E g +∆ 12 和E g +∆ 13 訊號。再藉由溫度 變化求出價帶分裂之三訊號之溫度參數，並 與其它含氮化合物材料作一比較，發現在低 ... See full document
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有機半導體材料電子結構分析與倒置式下發光有機電激發光元件之研究
... 微共振腔(Microcavity effect)的結果，陽極和陰極都是穿透率不高的金屬， 因此光線會在元件內來回折射，藉由調整光程差使特定波長產生建設性干 涉，微共振腔的元件結構得到的放光光譜半高寬會變窄，發光效率和色純 度都被大幅提高，但是因為在不同視角會明顯產生色偏，因此在大尺寸顯 ... See full document
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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)
... 激發態之躍遷情形，以瞭解其異質接面狀態及其奈米微細結構和合金成分；分析譜線的半高 寬度，以鑑定其界面品質，並探討其可能影響之因素。同時研究其各躍遷訊號和電場隨溫度 ... See full document
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利用調制光譜與表面光電壓量測技術研究半導體元件構造與微細結構之光學特性(II)
... 如、綠色雷射二極體、高速電子移動率電 晶體、異質接面雙極性電晶體、垂直面射 型雷射等的光學特性，比較各種不同調制 方式的譜線以分析調制機制。配合理論計 算，探討半導體臨界點間躍遷現象，以瞭 解其微細結構和合金成份，並分析可能影 ... See full document
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利用步進式掃描時域解析傅氏轉換紅外光譜法研究Criegee中間體CH2OO之紅外吸收光譜
... 一般而言，削足能力越強之削足函數，其儀器譜線形狀函數之半高寬 也越寬，因此當引入削足函數，理想光譜譜線與此削足函數對應之儀 器譜線形狀函數卷積後會造成解析度下降。而本實驗的目的為觀測自 ... See full document
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利用步進式掃描時域解析傅氏轉換紅外光譜法研究CH3OSO之紅外吸收光譜
... 13 maximum，SLAM)與主峰高度的比值為 21.7 %。 當主峰附近有其他微弱的吸收訊號則易與此側波混淆。為除去側 波的干擾，可引入一削足函數(apodization function)來取代匣式截斷函 數。表 2-1 列出數種常用的削足函數[10]，從中可發現削足函數雖然 可以降低側波的干擾，但也導致主峰的半高寬變寬，削足能力越強的 ... See full document
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寬能隙材料半導體微共振腔之研究
... 感謝陽光男孩柏源，希望你的陽光與樂觀能永遠存在；操不怕、不怕操的伯駿， 這麼好的身材不去當兵太可惜了；超極平易進人的卓木，沒想到轉了一圈還是回 到新竹了；專走頹廢風的小麥，很抱歉是學長害了你。懷念當年一起看電影、吃 包子的日子。感謝賢慧的乃方，你的決定我會支持的、有個性的阿伯，真幸運就 看到女主角、超嘴炮的治凱，澎湖名言永難忘懷、有理想的玫君，希望你能順利 ... See full document
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矽碳氮三元寬能隙半導體之光導電度及傳導特性研究
... It was found that the transmittance of a-SiCN thin films decreases with the increasing carbon content ; the index of refraction n varies from ~2.0 to ~2.2 and the optical gap (Tauc g[r] ... See full document
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奈米結構性寬能隙氮化物暨其他發光器件用半導體材料的磊晶和缺陷工程
... 的 光 電 器 件 , 例 如 : 發 光 二 極 體 (LED),雷射二極體(LD),和紅外-超紫外檢 測器。MOCVD 為極有用的工具,適合用於生 產以上材料與器件。基於氮化物和發光二 極體以及光電-電子器件的新工業正在形 成,台灣的公司群已在此領域中佔據世界 市場上的重要份額。然而仍然存在著一些 ... See full document
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半導體奈米材料光學性質與聲子頻譜之研究
... 力行為。僅使用第一原理的計算，會因計算量太大，而無法達到目標。但如使用 半經驗法則，但又因 數太多，無法猜測。所以要讓二者結合，以減少計算量且 又不失其準確性，目前在美國有芝加哥大學的張亞中教授，曾經成功的發展出一 新型的有效鍵結軌域模型(EBOM)，可以解決此一問題。我們實驗室正有一博士 ... See full document
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氧硒化鋅等電性半導體之光激螢光時間解析研究
... 接下來還要感謝實驗室的學長姐們，感謝文忠學長、瑞泰學長、崑峯學長、李寧學 長瑞雯學姊和威智學長，感謝你們能夠分享許多自己的研究經驗以及給我的指導與鼓勵。 感謝偉仕學弟和大陸同胞高昆，因為有你們的陪伴和幫忙，讓我的實驗室生活變得更多 采多姿。感謝崑峯學長帶著我一起去當普物實驗助教，因為你我才能很快的適應實驗室 ... See full document
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前瞻性發光元件應用之寬能隙氮化合物材料研究(2/2)
... With increasing the well width of the as-grown samples, the luminescence spectra steadily redshifts with the main peak positioned at 2.767 eV and 2.589 eV for samples w30 (Fig. The red[r] ... See full document
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三五族半導體光電材料及元件之研究(I)
... 砷化銦鎵量子點兩項成長技術。在低含氮 材料的部分，我們使用射頻電漿氮氣源輔 助之氣態源分子束磊晶法，成功地於磷化 銦基板上成長氮砷化銦/磷砷化銦鎵多層 量子井。X 光繞射顯示加入少量的氮可減 小量子井的應變量，使樣品獲得較平坦的 異質接面。但是含氮量較大的樣品卻因有 較嚴重的局部應變，導致晶格結構整個變 ... See full document
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三五族半導體發光元件結構優化之研究
... 育德、意蓉、佳萍、僑宴、琇圓、正斌、乾森，以及海德威電子謝文昇副總、 Joe、 James、Lynn、Ricky，謝謝你們三年來的陪伴。在學校生活中，特別感謝黃根生 博士以及余長治、賴芳儀、張亞銜、薛道鴻學長姐們在學業、學術研究上的幫助 以及工作經驗上的分享，有他們的引導讓我更清楚明白未來道路的規劃。感謝博 士班同學志強、泓文、榮堂在課業及研究上一路相互扶持奮鬥與努力，以及學弟 ... See full document
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