[PDF] Top 20 極寬頻半導體光放大器(2/2)

... 3.不同長度半導體光放大器之比較 除了總長 1mm 的兩段式元件，我們另外製作了總長 500μm，700μm 的元件，其中 在光源端長度都是 200μm，所以總共有三種長度不同的半導體光放大器，分別為 300 μm，500μm 以及 ... See full document

... 本論文展示了一種以非對稱輕摻雜汲極金氧半體電晶體作為功率單元的 2.4GHz 射頻功率放大器架構，該放大器可完全以 TSMC 0.18um 的 CMOS 一般製程環境來 實現。這個設計可以穩定的操作在 2.5V ~ 2.75V，而不需使用串接電路。較高 ... See full document

... 雙工器(duplexer)一般均以50Ω為標準，為了不影響濾波器的頻率響應，因此CMOS RFIC 中LNA均以50Ω的輸入阻抗為基準。低雜訊放大器設計上常利用電晶體雜訊模型並考量 功率消秏、輸入匹配、雜訊指數、增益等重要參數來設計製作。 如圖 4.7 所示，為傳統之共源疊接低雜訊放大器的架構，其中由電晶體 M1 與電阻 提供偏壓；電阻 一般為大電阻，主要是避免 RF ... See full document

... 射頻功率放大器是通訊系統中的關鍵元件,而寬頻的射頻功率放 大器更有高於一般的設計難度,且通常為系統中最昂貴的硬體,除了 在通訊系統外,雷達與高階醫療儀器中亦常見寬頻的射頻功率放大器 的使用. ... See full document

... 光固子壓縮飛秒反向光注入鎖模半導體 放大器光纖雷射 Femtosecond Soliton-Effect Compression of Backward-Optical-Injection Mode-Locked Semiconductor Optical Amplifier Fiber Lasers.[r] ... See full document

... 摘要 本篇論文的第一個部份描述應用在超寬頻系統中的低雜訊放大器之分析與 設計。超寬頻的低雜訊放大器需具備有寬頻、低功率、增益平坦的特性，為了達 到寬頻的目標，利用多級的概念來設計，並且選擇採用共閘級做為第一級放大， ... See full document

... 此步驟可以稍微降低半導體光放大器的電阻，也可以方便劈裂，至於磨到多 薄主要是看腔體長度需要劈到多短，若需要劈到越短，則要磨的越薄。我們先使 用黃膠加熱使晶圓穩定的固定在載玻片上並露出背面後，使用 ： ： 的溶液浸泡並以棉花棒在背面均勻等速的擦拭。此溶液中的 可使 GaAs 氧化，而 可侵蝕其氧化物，在不斷氧化且氧化物被侵蝕的情況下，背面 ... See full document

... 使用金氧半導體基板正偏壓設計的 射頻高輸出功率放大器 THE DESIGN OF HIGH-OUTPUT-POWER RF POWER AMPLIFIER USING MOS DEVICES WITH POSITIVE SUBSTRATE BIAS.[r] ... See full document

... 電子工程學系 電子研究所 摘要 由於積體電路的元件設計和系統整合皆已經發展相當成熟，接收器陣 列是未來主流之一。如果把一組接收器系統比擬為一雙眼睛，那麼接收器 陣列就像是蒼蠅的複眼，不但可以接收到更微弱的訊號，還可以增加接收 訊號的廣度;在一個超寬頻的接收器系統當中，由於接收的訊號太寬，必 頇先經由功率分配器輸出多路訊號之後再做切割與降頻，以提供較低頻且 ... See full document

... 誌 謝 時光飛逝，歲月如梭，轉眼間，碩士學業即將結束，心中充滿萬分的不捨與 感激，首先要感謝蔡政翰教授的指導與關懷，回想當初剛進入研究所，對於射頻 領域的知識懵懵懂懂，但在老師的指導下，讓我學有所成，好幾次在研究上遇到 瓶頸，不知從何下手時，老師總會耐心地引領我，陪我找尋答案的出口，遇到挫 折時，老師總是不斷的鼓勵我，給予我支持，記得第一次量測功率放大器時，電 ... See full document

... 3.4.1 LTCC 製程 圖 3-25 是 LTCC 製程的正交分相器布局圖，當中左右手傳輸線部份由 實驗室同儕所設計，圖 3-25(a)設計成可以下針量測特性，埠三是使用左右 手傳輸線端，圖 3-25(b)是要覆晶單位放大器用，為了避免左手元件的對地 寄生效應，故把左手元件的地都挖空，但為了避免挖槽產生的電路共振，我 ... See full document

... 本論文提出適合用於超寬頻的低雜訊放大器。在元件的選擇上， 使用由 GCTC 所提供的異質接面雙載子電晶體( heterojunction bipolar transistor, HBT )。電路架構上，則採用達靈頓回授式放大器結構。除 了基本架構外，本論文另外提出三種衍生架構： ... See full document

... 5.2 Future Works For the time being, there is still no the best solution for wavelength conversion although so many methods are proposed. However, many disadvantages of wavelength converters by using SOA’s are ... See full document

... 輕摻雜汲極金氧半導體電晶體擁有的汲極源極崩潰電壓大約為一般電晶體的 2 倍，所以這個設計約可穩定的操作在 2.5V~3V，而較高的操作電壓使得電路有優 越的功率。根據模擬的結果，功率增益可以達到 26.5dB，輸出功率 P1dB 可以達 到 24.9dBm，功率增加效率(PAE)在 P1dB ... See full document

... In order to provide a sharp, high attenuation, long wavelength cutoff filter into active fibers and to suppress the gain in C- and L-bands, the S-band EDFA is built a depressed cladding Erbium-doped fiber. This design ... See full document

... 第二章介紹單晶整合光接收器的相關背景，首先會先介紹光偵測原理以及金 氧半檢光二極體的架構與頻率響應，再來是介紹近年來發展出的可適性等化器架 構，從這些架構的介紹中可以延伸出此次研究的議題‧ 第 三 章 則 是 談 到 電 路 設 計 方 面 ， 以 0.18µm CMOS 製 程 設 計 出 一 個 3.125Gb/s ... See full document

... 1957 年，位於貝爾實驗室的 Charles Hard Townes 和 Arthur Leonard Schawlow 開始對紅外光進行一系列的研究。隨著想法的演變，他們放棄了紅外光而專注於 可見光。這個概念最初稱為 optical maser。1958 年，貝爾實驗室為其設計的光學 雷射放大器提出了專利申請。同時在哥倫比亞大學的研究生 Gordon Gould ... See full document

... 1957 年，位於貝爾實驗室的 Charles Hard Townes 和 Arthur Leonard Schawlow 開始對紅外光進行一系列的研究。隨著想法的演變，他們放棄了紅外光而專注於 可見光。這個概念最初稱為 optical maser。1958 年，貝爾實驗室為其設計的光學 雷射放大器提出了專利申請。同時在哥倫比亞大學的研究生 Gordon Gould ... See full document

... 整體而言，工作時間短而密集，休息時間長而悠閒，這似乎與歐洲的生活步調有關， 工作務實而重視休閒，但對於舉辦會議來說，然有效率，但卻不一定合時宜，又或許只 是我們習慣亞洲地區的步調，因而感到許多不便。 雖然是第一次出國，但德國人的英文能力普遍而言都算不錯，因而在語言溝通上不 致有太大的問題，慕尼黑的交通也非常方便，雖然住宿點在火車站附近，離研討會地點 有 10 ... See full document

... 使學生了解半導體物理特性與應用、分析、綜合能力。 2.技能面[使學生能獲得運用與實做本課程理論與概念之技巧]： 使學生能獲得半導體理論與概念，能運用於學術研究及業界實務。 3.情意面[能引發學生對本課程之興趣，激發學生學習動機，增加觸類旁通與自主學習]： ... See full document